赶在美国总统川普调增关税之前，欧美台工控厂商急拉货，台系存储模组厂透露，这一波急单，将一直赶工至农历年前交货。
在近期存储报价上，三星、SK海力士、美光及铠侠等NAND Flash原厂已开始减产。预计减产效应在第二季或第三季显现，NAND报价在下半年将开始止稳复苏。一般预料，美国川普总统20日上任后，将拍板关税调升政策。台系NAND Flash模组厂商透露，不少欧美台工控系统厂商，赶在川普上任前拉货。从2024年11月、12月，一直持续到2025年1月，客户还在拉货。由于蛇年农历年节过年较早，在欧美圣诞节放假后，紧接着是放春节假期。因此，客户赶着在近2～3周拉货，预期模组厂一直要加工赶工至农历年节前。台系存储模组厂认为，2025年上半年NAND Flash价格虽然看跌，但由于三星、SK海力士、美光及铠侠等NAND Flash原厂已开始减产。因此，2025年上半年虽仍有订价压力，随着客户开始备货，下半年行情有望止稳复苏。
韩媒报道，随着特朗普政府第二任期正式开启，预计将对中国半导体行业实施严格制裁。
与此同时，在中国设有NAND闪存和DRAM生产基地的三星电子和SK海力士也在为此做准备。两家公司正加速工艺转型，以减少对中国生产的依赖，并在提升效率的同时暂停产能扩张。三星电子正缩减其在中国西安的NAND闪存工厂的生产规模，以应对特朗普政府带来的不确定性增加。目前，三星正迅速将100层级的设备升级至200层级，以提高生产效率。然而，公司并未考虑增加产能的额外投资。事实上，预计三星电子西安工厂的NAND生产规模将较去年大幅减少。此前，三星电子已决定将中国西安工厂的NAND晶圆投入量较之前水平减少超过 10%。相应地，西安工厂的晶圆月产量预计将从约20万片降至约17万片。SK海力士也暂停了其在中国无锡的最大DRAM生产基地的产能扩张，同时决定扩大其在韩国利川的M14和M16工厂的产能。内部预计，到今年年底，M16工厂的DRAM产量将与无锡工厂持平。根据市场研究公司Omdia的数据，无锡工厂的DRAM生产份额预计将从去年的约40%下降到今年的35%。
摩根士丹利证券（大摩）发布报告指出，利基型DRAM的供应过剩问题愈来愈严重。
不过，NAND Flash价格有机会在下半年回升。大摩指出，消费型DRAM现货折价高达46%，高于一个月前的42%。大摩表示，南亚科的业务有60%来自于消费型DRAM，面临来自于大陆厂商CXMT的激烈竞争。虽然南亚科本身预估今年位元出货量将年增20%或以上，但在定价环境疲软的情况下，大摩预期南亚科今年仍将是亏损的一年。另外，大摩还下调力积电的今年预估获利，以反映消费型DRAM定价环境弱于预期。
韩媒报道，存储大厂三星将第六代10纳米级1c DRAM制程开发延后6个月，到6月才完成。
三星之前宣称第六代10纳米级1c DRAM制程2024年底开发完并量产。但良率没有提升，导致时程再延后半年，这会使预定下半年量产的第六代HBM4一并延后。市场人士称，三星第六代10纳米级1c DRAM制程遇到困难。尽管市场在2024年底左右，获得了三星送交的第一个测试芯片。但因为无法达到预期的良率，因此将预定开发完成的时间延后六个月。根据过往业界的经验，每一代制程的开发周期通常落在18个月左右。但是，三星于2022年12月开发出第五代10纳米级1b DRAM制程，并于2023年5月宣布量产之后，就一直没有1c DRAM状况的消息。如果第六代10纳米级1c DRAM 制程从开发完成到量产的时间约为正常的6个月时间，则三星实际量产的时间预计将在2025年底。而这样的时程，几乎也影响了三星当前正面临生死关头的HBM产品的发展。以1c DRAM制程为例，其核心产品是以DDR5内存为主，而HBM则是其衍生产品，开发时间会落后核心产品的时间。这代表着一旦核心产品延后到2025年底量产，HBM量产可能会在2025年之后进行。这相较于三星先前宣布将于2025年下半年将1c DRAM制程用于HBM4、并量产的情况有所改变，也影响三星HBM市场竞争力。三星计划上半年全力投入六代10纳米级1c DRAM制程，以尽快提高良率。由于竞争对手SK海力士选择稳定方法，第五代10纳米级1b DRAM制程用于HBM4。但三星展现大跃进决心，以快速提高性能和能效。而要达成目标，最重要的就是尽快量产。韩国半导体产业人士指出，三星正在修改1c DRAM部分设计。另外，三星电子为应对其12nm级DRAM内存产品在良率和性能上的双重挑战，已决定在改进现有1b nm工艺的同时，从头设计新版1b nm DRAM。该项目名为D1B-P，专注于提升能效和散热表现，采用了与三星第六代V-NAND改进版制程V6P相同的命名逻辑。尽管三星在2022年和2023年先后宣布其12nm级DDR5 DRAM完成开发与批量生产，但该工艺在LPDDR5x等关键领域未能取得预期成功，导致三星DS部门失去了Galaxy S25系列手机初期内存一供的地位。目前，现有12nm级DRAM工艺的良率仅为60%左右，远低于业界大规模量产所需的80%~90%。为加速D1B-P项目的进展，三星电子已在2024年底紧急订购了必需设备，预计该制程将于2025年内量产，最早可能在今年2~3季度推出。
封测大厂力成近日召开法说会，执行长谢永达表示，今年第一季因客户持续去化库存，预期将是低点，之后呈现逐步向上，加上新技术开发效益显现，全年营运倒吃甘蔗。
细分各业务，谢永达说，力成存储业务受第一季为景气循环低点，DRAM封测需求续降，预期第二季在客户给予较显著的订单后，会有比较明显的复苏。NAND也持续受客户调整库存影响，预期第二季随着AI服务器、数据中心等需求复苏，届时会恢复成长力道。力成的逻辑业务主要为电源功率模组，谢永达说，客户应用主要在云端运算端，自去年第四季开始导入量产，目前客户需求量相当大，预期第一季将有显著成长，也持续拓展先进封装业务。
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