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今日热点
1. 三星西安工厂NAND减产10% 2. 韩国半导体股全部暴跌 3. 南亚科Q4业绩爆冷亏损 4. 铠侠提前扩产NAND 5. 三星研发NPU芯片 6. 北京君正21nm DRAM预计今年推出
今日热点
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三星西安工厂NAND减产10%
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三星西安工厂NAND减产10%
最新消息，三星位于西安的NAND闪存工厂计划削减产量，减少10%以上。
平均月产量从20万片晶圆降至17万片。
而且，三星在韩国华城的12号和17号的两条重要生产线最近也在调整产量，同样是进一步缩减整体产能规模。
当前，全球NAND闪存市场仍深处供过于求的低迷期。
三星此举减产动作，可能是为维护自身盈利能力、促进市场价格稳定的战略部署。
02
韩国半导体股全部暴跌
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由于美国股市降息预期下降以及人工智能和半导体股票大幅下跌，导致韩国半导体股票13日接连下跌。
当日，三星电子录得54100韩元，较前一交易日下跌2.17%。
股价开盘下跌1.27%，日内延续跌势，最终以当日最低价收盘。
SK海力士录得194300韩元，下跌4.52%。
开盘就开始下跌0.25%，盘中跌幅继续扩大。
韩美半导体也延续疲软表现，收于106900韩元，下跌5.31%。
其他半导体生产和小企业股，均一下子全部下跌。
费城半导体指数暴跌2.42%，人工智能和半导体相关股票，包括英伟达和AMD分别跌3.00%、4.76%。
03
南亚科Q4业绩爆冷亏损
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中国台湾DRAM关键厂商南亚科，2024年第四季每股亏损0.51元；全年度税后亏损50.83亿元新台币。
南亚科去年Q4营业收入65.75亿元新台币，环比减少19.2％。
同期营业毛损6.95亿元新台币，毛利率-10.6％，环比减少13.8个百分点。
营业净损28.12亿元新台币，营业净利率-42.8％，环比下降12.0个百分点。
第四季度其DRAM平均售价季减低十位数百分比，销售量季减高个位数百分比。
累计2024年营业收入为341.32亿元新台币，税后亏损50.83亿元新台币。
04
铠侠提前扩产NAND
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铠侠提前扩产NAND
日本铠侠正在加速扩大其先进的NAND产能。
原定今年1月开始实施设备投资计划，以填补四日市“Y7”工厂最后的闲置空间。
但知情人士透露，铠侠去年第四季度就已经开始向相关合作伙伴下订单，提前扩产NAND。
投资规模约为每月15000套。
铠侠的另一个工厂北上“K2”工厂的投资也同样提前开始。
预计今年年底总产能将达到2.5万台。
其第10代NAND的生产也有望从今年下半年开始。
第10代，预计产量400颗。
三星电子、SK海力士等企业也预计最早将于今年下半年开始量产第10代NAND。
如果铠侠的计划顺利进行，预计与三星电子、SK海力士等企业的竞争将加剧。
但当前NAND市场低迷，下一代产品的销路仍不明朗。
05
三星研发NPU芯片
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三星研究院全球人工智能中心负责人Kim，透露三星在人工智能领域的最新布局。
“NPU的增长潜力非常高，三星还在运营多个开发项目。”
“我们正在开发用于服务器、手机和电视的NPU。”
英伟达GPU已成为构建 AI 数据中心最常见的半导体，其安全程度已成为AI竞争力的晴雨表。
而微软和Meta已经获得了数十万台。三星已经确保了数十万台，他说。
不过，预计未来将积极使用NPU等替代产品。与GPU相比，NPU缺乏通用性，但计算效率很高。
中心负责人Kim表示，“NPU是一种只专注于AI的芯片，如果GPU的AI性能是100，那么NPU的性能大约是1000。”
他补充道，“由于NVIDIA的芯片太贵，全球大型科技公司也在开发定制产品。”
“我们正在开发人工智能加速器，”他解释道。
三星也在开发从NPU 硬件和软件到 AI 模型的所有领域，并且正在内部开展多个 NPU 开发项目。
06
北京君正21nm DRAM预计今年推出
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在最新的机构调研中，北京君正透露，在DRAM的新工艺上，21nm和20nm都有在研。
预计21nm、20nm产品今年会推出。
北京君正表示，后续还会继续进行更新工艺的产品研发。
21nm工艺首先会用来提升DDR3的性能。
后续的更新工艺会用在DDR4和LPDDR4上。
目前北京君正销量最高的存储产品为DDR3类产品。
在闪存方面，Nor Flash车规产品占比接近50%，主要在武汉新芯代工。
SRAM销售收入相对稳定，客户以汽车和工业为主，预计2025年价格不会有太大变化。
最近，东芯股份的SLC NAND Flash及NOR Flash也通过AEC-Q100测试并实现车规级产品销售。
