ICP（感应耦合等离子体）光刻胶刻蚀速度变快的原因可以有多个方面，通常涉及到以下几点：
1. 等离子体参数：功率增加：ICP源的射频功率增加会产生更多的等离子体，增加刻蚀速率。气体流量和种类：反应气体的流量增加或使用不同种类且更活性的气体（如O₂，CF₄，SF₆等）都会影响刻蚀速率。氧气丰富的条件下，氧等离子体对光刻胶的刻蚀速度通常会显著提高。压力变化：腔体内压力的升高可以增加刻蚀速率，但可能会影响刻蚀的各向异性。
2. 温度因素：温度上升：光刻胶在较高温度下易分解，更容易被等离子体刻蚀。如果腔体温度或基板温度升高，刻蚀速度也会加快。
3. 光刻胶性质：光刻胶厚度：较薄的光刻胶层在同等刻蚀条件下会较厚的光刻胶层刻蚀得更快。光刻胶的化学成分：不同成分的光刻胶对等离子体刻蚀的反应速度不同，某些成分可能更容易被刻蚀。
4. 等离子体密度和能量分布：等离子体密度：等离子体密度增大会增加粒子的碰撞和反应频率，从而提高刻蚀速率。离子能量分布：高能离子容易使光刻胶的分解和去除速度加快。
5. 基体条件：基板材质：不同基板材质可能影响刻蚀条件及速度。某些材料可能会产生次生反应，影响光刻胶刻蚀。
