参考：《基于阵列波导光栅路由器的单片集成路由芯片研究》范柱平
这种自对准工艺主要是应用于深浅刻蚀波导的对准，如果深浅刻蚀波导分两次前后进行光刻定义，然后刻蚀，可能由于光刻的精度不够，使深刻蚀波导和浅刻蚀波导不能有效对准，带来耦合损耗。
所以为了避免两次光刻定义精度误差带来的损耗，采用自对准工艺来做。
流程图如上图所示，通过在晶圆表面先沉积一层氧化硅，然后通过光刻定义波导形状（在这一步里，把深浅刻蚀波导的形状都要定义出来）刻蚀氧化硅，然后去掉氧化硅上的光刻胶掩模，再以氧化硅为掩模来刻蚀基底材料，从而完成浅刻蚀。
完成浅刻蚀之后，在需要深刻蚀的地方，先用光刻胶覆盖住，然后在晶圆表面低温多次沉积氧化硅，然后剥离，光刻胶上的氧化硅被去掉，从而浅刻蚀的地方被保护住，从而完成仅对深刻蚀区域的刻蚀。
总的来说，是先通过刻蚀浅波导，然后深刻蚀波导区域在浅刻蚀波导的地方继续下刻，不需要深刻蚀的地方盖住，从而完成一种自对准。
