在光刻工艺中的曝光是通过光刻机来完成，其中曝光剂量作为曝光工艺中重要参数之一，曝光剂量这一参数能决定部分的结果，例如直接影响光刻胶的交联程度，进而影响图形，最终影响整个的一个制程。
曝光剂量
公式：照度=光通量/面积（光通量单位lm,即流明）
每一种光刻胶都是有相对应的一个标准剂量。曝光不足则指的是给予光刻胶低于标准的剂量，过曝指的是给予光刻胶超出标准的剂量。加上正胶和负胶与光的反应机理不同，所以当过曝或曝光不足时，正胶与负胶的现象是不同的。
被曝光部分的光刻胶会溶解有所增加，导致开窗口的大小会变大，导致图案的线宽会和预期设计有所偏差。同时由于过多的溶解，细小的图案会丢失或线条边缘不规则的形状等，失真等等。
欠曝则与之相反。
小结：曝光其实还讲究的均匀性，对于CD来说合理的曝光剂量只是其一，下一步的显影也是极为重要，显影时也不能欠显以及过显。曝光和显影的好坏都会直接影响到CD。对于线宽要求高的，那么光刻曝光显影后的图形尽可能时陡直的，不理想的图形剖面就是正梯形或者是倒梯形，所做出的图形的尺寸会偏离设计尺寸。但是有特殊的情况，例如在利用正胶反转剥离工艺时，为了容易剥离，在光刻曝光时就会做出调整等等。所以一切都是需要根据所需的实际情况做出相对应的调整。
以上就是对于曝光剂量所带来的影响的简单描述，若有表述错误，不当的地方请大家及时指出，作者会第一时间予以纠正。
