电感耦合等离子体刻蚀（ICP）刻蚀波导的垂直性与ICP功率、RF功率、腔室内的压强、温度、刻蚀配方等都有较大的关系，下面将以砷化镓基材料举例来说明，各参数对刻蚀波导的垂直性的影响。
首先是气体流量的配方对垂直度的影响：从下图可以看出其他气体流量、压强以及功率都不变的情况下，随着氮气流量的减小，其侧壁垂直度逐渐提高。出现这一现象的原因主要是，随着氮气的流量的减小，物理轰击逐渐减弱，减弱了对上层掩膜的刻蚀， 且不能较快的清除刻蚀生成物，使其附着在刻蚀材料的侧壁上方，减小了侧壁上方的刻蚀，从而提高垂直度。
腔室压强对垂直度的影响；压强降低，会使垂直度升高；因为压强降低，气体分子的自由程会提高，方向性会更好，而且便于刻蚀生成物的恢复，从而提高垂直度。
ICP功率对垂直度的影响；影响不大。
RF偏压对垂直度的影响；RF偏压升高，会使垂直度略微下降，因为RF偏压的升高会导致离子的能量升高，刻蚀气体没来得及与样品表面发生反应便被溅射、减少了化学刻蚀的作用。
综上所述，需要根据各参数逐一调节，为提高垂直度可以试着进行的实验校正包括，增加cl离子相关气体流量，减小如氩气氮气的流量，减小气体压强，减小RF功率等操作。
