Nano Res.[形貌]│黄勃龙课题组:过渡金属硫属化合物异质结中褶皱结构调控的理论探索

文摘   2024-12-24 16:11   北京  


背景介绍


过渡金属硫属化合物(TMDC)是一类具有独特电子、光学和机械性质的二维材料。这些材料通常以单层或多层形式存在,由过渡金属原子(如钼、钨)与硫属元素(如硫、硒)形成。在这些材料的平面异质结结构中,具有不同晶格结构的TMDC形成具有新物理特性的界面,其中褶皱结构在TMDCs异质结中是十分常见的。这类褶皱主要是由于应力、热膨胀差异或结构匹配性的不均匀性所导致。然后这些异质结界面附近的褶皱结构可以显著影响材料的电子和光学性能,诱发局域应变,从而改变带结构并提升光电器件的性能。

因此,通过理论计算从原子角度去研究这些褶皱结构有助于开发新型电子和光学器件,推动纳米科技和材料科学的发展。


成果简介


对于超薄二维 (2D) 材料和横向异质结,实验中经常可以观察到褶皱结构的形成,但相关的深入研究十分有限,尤其是它们与不同材料性质的关联性。针对该挑战,香港理工大学黄勃龙课题组与北京纳米能源与系统研究所的王中林院士合作,从理论角度系统地探索了具有褶皱结构的过渡金属二硫属化物 (TMDC)横向异质结。该工作基于类费米分布将褶皱的形成能定量划分为初始弹性应变阶段和断裂阈值阶段。电子结构表明,褶皱的形成伴随着电子从平坦表面不断向到褶皱区域的积累。通过比较异质结中的单侧、衰减和双边褶皱结构,该工作确认了能量的类费米分布在不同褶皱结构中的有效性,其中热力学和电子结构都会受褶皱所带来的不均匀应变的调控。材料的光学性质的主要特征吸收峰不变,但对褶皱带来的应变的敏感性有所不同。更重要的是,声子谱的计算进一步证明了褶皱在促进热导率方面的潜力,主要与材料结构中阴离子振动的光学分支有着很强的关联。该工作为基于TMDC异质结的高性能光电器件设计和优化提供了重要的理论指导。


图文导读


图1研究Armchair和Zigzag形褶皱的能量与不断增加的褶皱高度之间的相关性。


为了揭示褶皱结构对TMDCs不同性质的影响,该工作首先计算了具有Armchair和Zigzag方向褶皱结构的单层MoS2、WS2和WSe2的能量演化。在高度为0 – 1 Å的褶皱初始形成时,能量的增长趋势相对较慢,褶皱引起的不稳定性被整体的TMDC结构缓解。随着褶皱高度进一步增加并超过1.5 Å,能量呈现出快速增加的趋势,结构的不稳定性显著增加。当褶皱突破弹性应变阶段后,能量的增加速度降低。在达到褶皱的断裂阈值高度后,能量演化变得平缓且相对稳定。TMDCs中褶皱引起的整体能量演化均呈现“S”形趋势。由于随着褶皱高度进一步增加,能量演变变得不规则,该工作将其划分为两个褶皱阶段:1)弹性应变阶段;2)类费米分布的断裂阈值阶段。褶皱的平均能量也呈现出类费米分布,其中平均能量随着断裂阈值的褶皱高度增加而降低。这是因为阈值达到了褶皱状断裂的高度。随着TMDCs的褶皱高度不断增加,表面积也不断增加直至断裂,由于明显的结构变形,断裂会中断能量的进一步增加。这进一步导致平均能量的降低。当褶皱周期在相同的褶皱高度上变化时,平均能量显示出与周期相反的趋势。当褶皱周期固定时,具有相同褶皱高度的TMDCs的平均能量与褶皱大小无关。基于以上讨论,该工作推导出了第一弹性应变阶段和第二类费米分布阶段的相应关联表达式,定量描述了Armchair和Zigzag形褶皱的能量演化趋势。

图2褶皱引起应变的自由电荷载流子传输分析。

由于材料中的电子分布会随着应变而发生调制,该工作进一步建立了一个6×5 (180) 原子WSe2褶皱结构,结合平坦区域和褶皱区域来揭示TMDCs不同区域不均匀应变分布引起的电子调控。特别地,该工作选择了平坦区域和褶皱区域的中心区域来展示详细的电子结构以区分应变效应。当褶皱高度在0 ~ 1.5 Å之间时,总体态密度保持相似,进一步证实了TMDC结构能够有效释放轻微褶皱(<1.5 Å)引起的不稳定性,不会影响整体性能。当褶皱高度达到 2.0 Å 时,导带底和价带顶都开始红移。当褶皱高度增加到 4.5 Å 时,导带底和价带顶趋于稳定,相应的能带结构也证明当褶皱高度达到 5.5 Å 时,TMDC 变为类金属。费米能级附近的 W-5d 轨道对附近区域褶皱引起的应变更敏感。通过态密度的估算,平坦区的自由载流子浓度逐渐降低,而褶皱区的自由载流子浓度在褶皱高度3.5 Å处有明显的提高。通过电子分布的三维图,该工作发现随着褶皱高度的增加,费米能级附近的电子逐渐从平坦区域向褶皱区域转移。这些结果证实了局部褶皱引起的不均匀应变分布驱动了褶皱和平坦区域之间的电子转移,支持了褶皱能够在二维材料中实现不同类型的载流子转移。

图3 WS2/WSe2横向异质结电子特性的研究。

自由载流子随应变梯度迁移,这对于横向异质结至关重要。由于两种材料晶格常数不匹配,界面处经常形成褶皱,并出现不均匀的应变分布。为了进一步揭示褶皱对横向结构的影响,该工作设计了一系列 WS2/WSe2异质结。据此,该工作构建了三种类型的异质结结构,包括单侧褶皱(U-Ripple)、衰减褶皱(D-Ripple)和双边褶皱(B-Ripple)。这三种褶皱异质结的能量均呈现出相似的“类费米分布”能量趋势。相同褶皱高度下,褶皱越强,异质结的能量增加越显著。能量对比表明,衰减褶皱具有最低的能量和最高的稳定性。电子结构分析发现衰减褶皱、单侧褶皱和双边褶皱分别在褶皱高度 4.0 Å、5.0 Å 和 5.5 Å 处表现出金属化。衰减褶皱中应变最小,电子结构受影响最小,这与不同褶皱的能量和能带结构演变趋势一致。

图4 WS2/WSe2横向异质结结构的光学性质研究。

为了使TMDCs能够应用于光电器件,光学特性同样需要深入研究。三种异质结结构在400~470nm蓝紫色区域的吸收光谱呈现火山趋势。该工作可以通过精确设计光电器件中的褶皱应变结构来灵活地调节特定范围的光吸收。值得注意的是,当褶皱高度小于4 Å时,三种不同异质结的静态介电常数相似。当褶皱高度超过4 Å时,静态介电常数急剧增加,尤其是双边褶皱。随着褶皱高度的增加,异质结的功函数不断减小,表明大的褶皱的形成有利于电子从异质结表面转移。利用关联能该工作进一步研究了极化效应,发现关联能随着褶皱高度的增加逐渐由负变为正。轨道分析表明,在单边褶皱和衰减褶皱中,靠近费米能级的电子在应变驱动下聚集在WSe2褶皱附近,形成更强的d-p-d轨道耦合。对于双边褶皱,电子分布在异质结的两侧相对均匀。这些结果证实了电荷分离与锁定的面内电场的形成,从而导致面内极化逐渐增大。具体而言,通过褶皱结构引入压应变可以重新排列异质结界面的能带结构,从而提高光生电子-空穴对的分离效率和传输能力,从而显著提高光电二极管的光电流和光响应度。该研究结果表明应变工程是一种优化二维材料光电性能的有效方法,为开发新型柔性光电器件提供了重要的指导。

图5 WS2/WSe2横向异质结结构的声子谱研究。

除了电子结构和光学性质外,该工作还通过声子态密度进一步计算了褶皱异质结的声子性质。与平坦异质结相比,褶皱结构中的虚频略有增加,这表明增大的应变进一步破坏了单层结构的动力学稳定性。在该研究中,该工作观察到随着褶皱高度的增加,应变会使声子态密度变宽,为电子提供更多的散射机会,从而增强电-声子耦合。此外,增加的晶格无序性为电子提供了更多的散射中心,进一步加强了电子和声子之间的相互作用。当应变进一步增加,破坏了晶格的周期性和完整性时,自陷激子的稳定性降低,表现为激子结合能的降低。因此,通过应变工程可以有效控制电子-声子耦合,从而调控半导体材料的电子和光学性质,以满足特定的应用要求。这种控制为新型光电器件的设计提供了新的途径和方法。


作者简介


黄勃龙教授2007年本科毕业于北京大学物理系,同年前往剑桥大学从事材料理论研究,并于2012年获得博士学位。2012-2015年,黄勃龙教授先后于北京大学、香港城市大学和香港理工大学开展博士后的相关研究,并于2015年入职香港理工大学,目前担任应用生物及化学科技学系副教授与碳战略催化研究中心主任。黄勃龙教授的研究方向主要为纳米材料、能源材料、固体功能材料和稀土材料的电子态性质,以及这些材料在纳米表界面、多尺度下的能源转换应用。目前黄勃龙教授共发表SCI论文331篇,包括Nature, Science, Nat. Syn., Sci. Adv., Energy Environ. Sci., J. Am. Chem. Soc., Chem. Soc. Rev., Nat. Commun., Adv. Mater., Adv. Energy Mater., Angew. Chem. Int. Ed.等国内外顶级杂志,其中第一/共同第一/通讯作者文章279篇,H-index为89,文章引用次数超过26000次, 并多次被选为封面推荐文章。黄勃龙教授入选2022-2023年科睿唯安全球高被引学者,2022-2023年斯坦福大学评选的全球Top2%高被引科学家等,担任《Battery Energy》、《Frontiers in Chemistry》副主编,《JACS Au》、《Inorganic Chemistry Frontiers》、《Nano Research》、《电化学》、《中国稀土学报》、《稀有金属》、《稀土》的青年编辑或编委,承担国家自然科学基金委青年基金、面上计划、基金委与香港研究资助局联合科研资助基金、香港研究资助局优配基金等项目, 并作为项目骨干参与“十四五”国家重点研发计划等项目。此外,黄勃龙教授40余次受邀在国内国际重要学术会议上做邀请或主旨报告,并为多个高影响力期刊如Nat. Phys., Nat. Commun., Chem. Soc. Rev., Joule, Matter, J. Am. Chem. Soc., Angew. Chem. Int. Ed., Adv. Mater., Adv. Energy Mater., Adv. Funct. Mater., ACS Catal., Nano Energy, Energy Environ. Sci.等担任特邀审稿人。


王中林教授,中国科学院北京纳米能源与系统研究所所长,中国科学院大学纳米科学与技术学院院长、讲席教授,佐治亚理工学院终身校董事讲席教授。中科院外籍院士、欧洲科学院院士、加拿大工程院外籍院士。王中林院士是国际公认的纳米能源研究领域奠基人,首次将纳米能源定义为“新时代的能源”,将分布式能源定义为“高熵能源”,开创了压电电子学和压电光电子学研究的领域,对物联网、传感网络、医学健康、穿戴式/柔性电子学、安全防护、LED、光伏电池等技术的发展具有里程碑意义。凭借在微纳能源和自驱动系统领域的开创性成就,荣获2015年汤森路透引文桂冠奖、2014年美国物理学会James C. McGroddy新材料奖、2011年美国材料学会奖章(MRS Medal),2013年中华人民共和国科技合作奖,2018年世界能源领域的最高奖项——“埃尼奖”,并斩获2019年“阿尔伯特-爱因斯坦世界科学奖”,成为首位获此殊荣的华人科学家。王中林院士在国际一流刊物发表期刊论文2100余篇(其中13篇发表于Science,7篇发表于Nature,65篇发表在相应子刊上),200余项专利,7部专著和20余本编辑书籍和会议文集。受邀做过1000余次学术讲演和大会特邀报告,是国际纳米能源领域著名期刊Nano Energy的创刊者与现任主编。截止到2022年11月1日,google学术论文引用35万次以上,h因子(h-index)287。全球材料科学总引用数和h指数排名世界第一; 世界横跨所有领域前10万科学家终身科学影响力综合排名第3位,其中2019年和2020年年度排名第1位。


文章信息


Yu H, Sun M, Wu X, et al. Decoding ripple formation in single-layer transition metal chalcogenide lateral heterojunctions towards novel optoelectronic properties. Nano Research, 2024, https://doi.org/10.26599/NR.2025.94907091. 

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