今天给大家分享一个电流保护电路，当电流过载、短路时，输出会关闭，以保护后级电路。
电路原理图如下图所示：
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R97和R99分压，R99上端近似12V电压。忽略R98上的压降，PMos管的栅极电压为12V，源极电压接近24V，此时Vgs≈-12V，Pmos打开，电路正常工作。C42：此处电容有两个作用，一是滤除高频噪声信号；二是增加MOS管栅源GS之间的寄生电容（未画出）；两个电容并联，容值相加，此时栅源之间的电容Cgs会增大，充电时间变长，Mos管会平稳打开。Q63：正常工作时，Q63处于放大状态，由于R97和R99很小，此时Q63的Ic电流也很小。R95和R96：为检流电阻，两个电阻并联，阻值为0.7欧姆。当负载电流超过1A或者输出短路时，此时R95和R96两端压降超过0.7V。正常工作时，压降小于0.7V。R98：由于Mos管的栅源之间有寄生电容，电路中也有寄生电感，充电和放电过程中，LC容易引起震荡，加入R98后可以有效抑制震荡。不过此电阻不可过大，不然会引起充电时间过长，MOS管打开缓慢。此值通常在100欧姆以下。D28：12V稳压管，保护MOS管的栅源电压在12V以内。正常工作时，该稳压管关闭；当由于某种原因，比如电源电压过大，或者R99电阻短路，导致Vgs超过-12V时，此时稳压管可以将Vsg的电压钳位在12V。一般这种mos管的Vsg电压最大承受值在20V左右。当负载电流过大或者输出短路时，假设电流为1A，此时检流电阻两端压降为0.7V。三家管Q63处于饱和状态，此时三极管Vec两端饱和压降约为0.3V。三极管的射级和集电极是和Mos的源极和栅极并联的，换句话说，此时MOS管的栅源电压被钳位在0.3V。PMOS关闭，切断后级输出，可以有效保护负载和后级电路。
