信越化学开发出了与硅基板面积相同的，用于制造氮化镓（GaN）半导体的基板
日本信越化学开发出了用于制造氮化镓（GaN）半导体的大型基板，面积与硅基板同等，客户的生产效率可提高到2倍以上。据悉这种基板可用于6G通信半导体以及数据中心使用的功率半导体等……
日本信越化学工业开发出了用于制造氮化镓（GaN）半导体的大型基板。面积与硅基板同等，客户的生产效率可提高到2倍以上。“6G”和数据中心使用的新一代半导体将能够以低成本生产，并加快普及速度。
此次成功实现大型化的是用于制造氮化镓化合物半导体的基板。据悉这种基板可用于6G通信半导体以及数据中心使用的功率半导体等。如果使用氮化镓，就可以在高频段实现稳定通信，以及进行大功率控制，但一直很难生产出高品质的大型基板，这成为普及的障碍。
信越化学拥有以“QST基板”（使用氮化铝等材料的自主基板）为基础，来制备氮化镓结晶的技术。与硅基板相比，可以制作出更薄、品质更高的氮化镓结晶。成功开发出了口径为300毫米的QST基板，面积是此前产品的约2.3倍。与传统半导体常用的硅基板面积相同。
尽管QST基板比硅基板稍贵，但信越化学认为1块基板可以制造出很多元器件，因此半导体的制造成本会降低。而且可使用现有加工设备也是优点。
目前已开始提供样品，将投入超过10亿日元资金，最早在几年内实现量产。首先，被认为可能会面向通信用途和数据中心用途。将来还会提升品质，使其应用于纯电动汽车（EV）等用途。
据法国调查公司Yole Intelligence预测，化合物半导体基板的市场规模到2029年将达到约33亿美元，扩大至2023年的2.6倍。尤其是用于EV功率半导体的基板，市场将会大幅增长。
在EV用途方面，使用制造相对简单的碳化硅（SiC）的基板处于领先地位，但为了使物理性质高于碳化硅的氮化镓实现普及，各材料企业正在加紧开发相关技术。从日本企业的情况来看，三菱化学集团和住友化学正在针对使用氮化镓的基板推进高品质化和大型化。
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