1 1亿美元！苏州又一高功率半导体，陶瓷基板项目投产！
10月11日上午，罗杰斯举行盛大开业典礼，苏州市市长吴庆文、苏州市政府秘书长俞愉、以及苏州工业园区党工委副书记兼管委会主任吴宏等政府代表受邀出席了典礼。此外，来自罗杰斯客户及供应商企业的代表也齐聚一堂，共同见证了这一里程碑式的时刻。罗杰斯公司总裁ColinGouveia，亚洲总裁兼罗杰斯电力电子解决方案事业部总经理Jeff Tsao，亚太区高级总监Grace Gu等公司高层领导亦出席了该庆典。
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罗杰斯公司总裁Colin Gouveia和罗杰斯亚洲总裁兼电力电子解决方案事业部总经理Jeff Tsao分别在庆典上发言。Colin提到：非常荣幸和大家一起见证罗杰斯的新征程。此次开业不仅标志着罗杰斯致力于销售增长、创新、以及在这个充满活力的市场继续发展，也展示了罗杰斯公司在建造这个世界级陶瓷基板厂方面不懈追求卓越的决心。罗杰斯在苏州的发展和罗杰斯集团的发展愿景高度契合，如今的成果得益于很多关键因素，包括政府的大力支持，充满活力的商业环境，以及出色的罗杰斯亚洲团队。通过在苏州工厂生产curamik陶瓷基板，我们将更好地致力于本地高速发展的领域，比如电动汽车、可再生能源，包括风能和太阳能应用，以及很多相关工业领域。
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罗杰斯公司总裁Colin Gouveia
罗杰斯电子材料（苏州）有限公司规划总投资 1 亿美元，其中一期项目投资3000万美元，厂区面积达15000平方米，预计在2025年中旬实现全面交付，未来达产后年营收可达2亿美元规模。投产后，将有助于缩短交付周期，深化罗杰斯与亚洲客户之间的技术合作，更大程度地满足EV/HEV和可再生能源等应用中日益增长的金属化陶瓷基板的需求。
2 多家日本企业进军8英寸键合碳化硅衬底市场
键合碳化硅衬底为通过在低电阻多晶SiC支撑衬底上键合一层高质量的单晶SiC薄层，这些产品能够在保持单晶SiC特性的同时，也能实现整个衬底的低电阻和减少电流衰减，从而实现高性能和有竞争力的价格。近期，住友金属，Resonac（原昭和电工）以及东海碳素等日本企业纷纷进军该领域。9月24日，Resonac（原昭和电工）官网宣布，他们与Soitec签订了联合开发协议，双方将共同开发8英寸SiC——Resonac将在8英寸衬底制造中采用Soitec的SmartSiC™技术，最终提高8英寸碳化硅外延的生产效率，并实现碳化硅外延片业务供应链的多样化。9月27日，住友金属矿山株式会社及其全资子公司Sicoxs Coparation宣布，将在Sicoxs的Ohkuchi工厂建设一条新的8英寸（200mm）SiCkrest大规模生产线，SiCkrest为直接键合的碳化硅（SiC）衬底。住友金属预计，随着8英寸衬底生产线的建成，到2025财年下半年，键合SiC衬底的月产能将超过10,000片（6英寸等效）。同时，Sicoxs还计划开始向其被许可方供应多晶SiC支撑基板。8月，碳和石墨产品综合制造商东海碳素（Tokai Carbon）拟投资54亿日元在日本神奈川县茅崎市建立一条多晶SiC晶圆专线，并预计将于2024年12月完成建设。东海炭素开发的用于功率半导体的SiC晶圆，被称为“层压SiC晶圆”。层压SiC晶圆是通过将带有预刻槽的单晶SiC晶圆与多晶SiC晶圆键合，然后加热剥离刻槽部分，在作为衬底的多晶SiC晶圆上形成单晶SiC薄膜而制成的。由于单晶SiC层是薄膜，单晶SiC晶圆可重复使用10次以上，一张单晶SiC晶圆可生产10张以上的键合晶圆。此前报道，今年5月，东海炭素与法国半导体材料制造商Soitec就多晶SiC晶圆达成合作，公司将在中长期内为Soitec供应6英寸和8英寸多晶SiC晶圆。除了在日本茅崎市基地设立多晶SiC专线外，东海炭素还计划在其位于韩国京畿道安城市的现有工厂生产多晶SiC。声明：本文由半导体材料与工艺转载，仅为了传达一种观点，并不代表对该观点的赞同或支持，若有侵权请联系小编，我们将及时处理，谢谢。
