光刻胶的均匀涂覆是确保后续曝光、蚀刻等工艺顺利进行的基础。然而，在实际生产过程中，晶圆边缘区上常常会出现一种称为“wafer edge bead”（晶圆边胶）的现象，即光刻胶在晶圆边缘形成较厚的突起。你在完成工艺时是否会被这一现象困扰呢？边胶过厚不仅影响光刻质量，还可能对后续工艺造成一系列负面影响。本文将深入探讨边胶过厚的形成原因、危害以及改善方法。
一、什么是边胶过厚？
边胶过厚即晶圆边胶，是指在晶圆边缘区上光刻胶出现的一种较厚的突起现象。这种突起通常呈现为环形或不规则形状，厚度明显高于晶圆中心区域的光刻胶层。晶圆边胶的形成是多种因素共同作用的结果，其存在不仅影响光刻图案的精度和均匀性，还可能对后续工艺步骤造成不利影响。
四、如何改善边胶过厚
匀胶时边胶过厚可以通过以下几种方法进行改善：
增加洗边步骤：使用EBR溶液清洗晶圆边缘，去除过厚的光刻胶。
使用较高转速：在旋涂过程中利用较高的加速度，在短时间内达到较高的旋转速度，从而减少边胶的形成。
在旋涂工艺结束时突然增加旋转速度：当光刻胶层已经足够干燥，但边胶仍然有足够的液体时，在旋涂工艺末端突然增加旋转速度，使边胶脱离。
稀释光刻胶粘度：通过稀释光刻胶的粘度，可以减少边胶的形成。
使用圆形基底：尽可能使用圆形基底，并使用配套EBR溶剂，利用带有细喷嘴的洗瓶在500 rpm左右动态去除边胶。
调整旋涂腔室：确保衬底与衬底托盘之间紧密接触，以减少边胶的形成。
多次旋涂时的处理：在前次涂胶完成后进行烘烤，防止在下次涂胶过程中光刻胶再次溶解，从而减小边胶效应。
这些方法可以有效减少匀胶过程中边胶过厚的问题，提高光刻胶的均匀性和质量。
