CMOS可用于逻辑和存储芯片上，它们已成为IC市场的主流。
CMSO电路：
下图显示了一个CMOS反相器电路。
从图中可以看出它由两个晶体管组成，一个为NMOS，另一个为 PMOS。
当输入为高电压或逻辑1时，NMOS 就会被开启而 PMOS 会被关闭。因为输出电压为接地电压Vss，所以输出电压Vout为低电压或逻辑0。
反之，若输入为低电压或逻辑0时，NMOS 就会被关闭而 PMOS 被开启。输出电压为高电压Vdd，所以输出电压Vout为高电压或逻辑1。
由于CMOS会反转输入信号，所以被称为反相器。这个设计是逻辑电路中使用的基本逻辑单元之一。
理想状态下，Vdd和Vss之间并没有电流流动，所以CMOS的耗电量很低。CMOS反相器的主要电能损耗由高频开关转换时的漏电流形成。CMOS优于NMOS之处还包括有较高的抗干扰能力、芯片温度低、使用温度范围广和较少的定时复杂性。
将CMOS和双载流子技术结合形成的BiCMOS IC在20世纪90年代迅速发展，CMOS电路用于逻辑部分，双载流子晶体管可增加元器件的输入/输出速度。由于BiCMOS已经不再是主流产品，并且当IC的应用电压降到1V以下时就会失去应用性，所以书中并未对这种工艺做详细探讨。
CMOS工艺（20世纪80年代）：
上图显示了20世纪80年代的CMOS工艺过程，晶体管之间的隔离用硅局部氧化（LOCOS）取代整面全区覆盖式氧化。
硼磷硅玻璃（BPSG）用于作为金属沉积前的电介质层（PMD)或中间隔离层（ILD0），以降低所需的再流动温度。
尺寸的缩减使大多数图形化刻蚀采用等离子体刻蚀（干法刻蚀）取代湿法刻蚀，单层金属线已不足以将IC芯片上所有的元器件按照所需的电导率连接，所以必须使用第二金属层。
20世纪80年代~90年代，金属线之间的介质沉积和平坦化是一大技术挑战，即金属层间电介质层（IMD，Inter Metal Dielectric）。20世纪80年代，最小的图形尺寸从3μm缩小到0.8μm。
CMOS的基本工艺步骤包括晶圆预处理、阱区形成、隔离区形成、晶体管制造、导线连接和钝化作用。
晶圆预处理包含外延硅沉积、晶圆清洗、对准记号刻蚀。阱区形成为NMOS和PMOS晶体管定义出器件区。阱区形成按技术发展程度的不同分为单一阱区、自对准双阱区(也称单一光刻双阱区)和双光刻双阱区。隔离技术以建立电气隔离区的方式隔绝邻近的晶体管。20世纪80年代，硅局部氧化取代了整面全区覆盖式氧化成为隔离技术的主流。晶体管制造则涉及了栅极氧化层的生长、多晶硅沉积、光刻技术、多晶硅刻蚀、离子注入以及加热处理，这些都是IC工艺中最重要的工艺步骤。导线连接技术结合了沉积、光刻和刻蚀技术定义金属线，以便连接建造在硅表面上的数百万个晶体管。最后通过钝化电介质的沉积、光刻和刻蚀技术将IC芯片密封起来与外界隔离，只保留键合垫区的开口以供测试和焊接用。
CMOS工艺（20世纪90年代）：
从20世纪90年代开始，IC芯片的图形尺寸持续地从0.8μm缩减到0.18um以下，同时IC制造业也采用了一些新的技术。
当图形尺寸小于0.35um时，隔离区形成就采用浅沟槽隔离（STI）取代硅的局部氧化技术。金属硅化物广泛用于形成栅极和局部连线，钨被广泛用做不同金属层间的金属连线，即所谓的栓塞（“Plug”）。越来越多的生产线使用化学机械研磨（CMP)技术形成STI、钨栓塞和平坦化的层间电介质（ILD）。高密度等离子体刻蚀和化学气相沉积（CVD）更受欢迎，铜金属化已开始在生产线上崭露头角。下图为一个具有四层铜金属互连和一个Al/Cu合金焊盘层的CMOSIC横截面。
2000年后半导体工艺发展趋势
光学光刻波长：193nm 浸入式光刻技术、双重图形技术 自对准材料：镍硅化取代钴硅化物 低K层间介质 高K-金属栅 应变硅技术 FinFET ……
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