SK海力士11月21日宣布，已开始量产全球最高321层1Tb（Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存，预计明年上半年供货。
SK海力士表示，“2023年6月，我们公司已经量产并向市场供应了上一代最高水平的238层NAND产品，而这一次，我们是第一个推出超过300层的NAND，突破技术极限。我们将通过向客户提供产品来响应市场需求。”
在开发该产品的过程中，SK海力士通过引入高生产效率的“3-Plug”工艺技术克服了堆叠的局限性。
该技术涉及分三个阶段执行插塞过程，然后通过优化的后续过程将三个插塞电连接。在此过程中，开发了低应变材料，并引入了插头之间的自动对准校正技术。
此外，该公司工程师将上一代238层NAND的开发平台应用到321层NAND上，最大限度地减少工艺变化，与上一代相比，生产率提高了59%。
这款321层产品与上一代产品相比，数据传输速度提高了12%，读取性能提高了13%。此外，数据读取功率效率提高了10%以上。SK海力士计划通过321层NAND积极应对人工智能的低功耗、高性能新市场，逐步扩大使用范围。
SK 海力士（NAND 开发）副总裁 Jeongdal Choi 表示：“通过率先量产300层或以上NAND，我们在瞄准 AI存储市场（例如面向AI数据中心和端侧AI的SSD，我们将跨越成为‘全栈AI内存提供商’，不仅在以HBM为代表的DRAM领域，而且拥有完整的超高性能内存产品组合。”
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