每日一芯 | 紫光国芯第四代低功耗动态随机存储器

文摘   2024-11-18 16:09   上海  

第四代低功耗动态随机存储器(LPDDR4)8Gb


产品描述


SCB11N8G322BF是紫光国芯具有自主知识产权的LPDDR4 DRAM(第四代低功耗同步动态随机存取存储器)。产品为满足智能网联化对车载电子系统的性能和可靠性要求而设计。它具有高带宽和低功耗的优势,能为高级驾驶辅助系统、车载信息娱乐系统等提供强有力的支持。它还具有高可靠的特点以适应各种极端气候条件,可以很好的满足汽车应用中的高可靠和稳定性要求。



新一代产品性能全面提升:

1) 高速率:通过高速率接口设计,优化芯片速率,从上一代的3200Mbps提升至4266Mbps,速率提升33%;

2) 低功耗:支持LPDDR4和LPDDR4X标准,采用先进的低功耗设计,通过降低供电电压和改进电路结构,实现了更高的能效,比上一代产品静态功耗下降超10%;

3) 高可靠:通过完善的可靠性验证和测试方案,确保产品满足车规A2需求,工作温度-40~105C。


目前,该产品已通过研发验证及AEC-Q100可靠性认证,处于量产阶段。


应用情况


此款LPDDR4 DRAM主要为满足智能网联化对车载电子系统的性能和可靠性要求而设计,可应用于激光雷达、T-box、中央网关、组合仪表、HUD、车身域控制器等部位。



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