光电兼容高压隔离开关Pai8558EQ
产品描述
Pai8558E(Q)是一款基于2Pai Semi独特隔离技术和成熟标准半导体CMOS工艺开发的光电兼容高压隔离开关。该器件包含两个SiC MOSFET，双向耐压能力高达1500V。输入与输出之间通过高达5kVRMS隔离能力的隔离带隔离。它内部集成了一个门驱动器，用于控制输出上两个MOSFET的导通和关断。当输入电流超过7mA时，输出开关导通；当输入电压低于0.4V时，输出开关断开。该器件采用标准宽体WB SOIC-12封装，提供5kVRMS的输入输出耐压、10kV峰值浪涌电压能力和极高的可靠性。
技术指标：
•紧凑的固态双向SiC MOSFET
•低输出漏电流, Io ≤ 1μA@VDS = 1000V
•低导通电阻, RON(Typ) = 100Ω@Io = 2mA
•低开启时间: TON(Typ)≤ 50μs
•低关闭时间: TOFF(Typ) ≤ 200μs
•原边反向击穿电压能力达7V以上
•> 8mm的爬电距离和电气间隙，WB SOIC-12封装
•温度范围: -40°C to +125°C
•AEC-Q100 认证
应用情况
本款产品已经应用于Tier1厂商，以及五菱，小鹏等车型。
产品对标
国外：
Broadcom：QCPL-A58JV
Toshiba：TLX9160T
Avago：ASSR-601J
国内：
群芯：QXS258
华联：HSSR601J
纳芯微：NSI7258
