苏州锦业源自动化设备有限公司将参加第二届陶瓷封装产业论坛并做展台展示

科技   2024-11-16 15:01   广东  




The 2nd Ceramic Packages Industry Forum

11月22-23日,苏州锦业源自动化设备有限公司将出席石家庄第二届陶瓷封装产业论坛,并将展示多款产品,欢迎各位行业朋友莅临参观交流!


1

锦业源Company Profile






苏州锦业源自动化设备有限公司(隶属于锦源科技控股有限公司)是一家高新技术公司,融合了多家国内外工业窑炉方面的先进技术及经验,为现代新型电子元器件、电子材料、新光源、新能源以及金属材料热处理领域的发展作出贡献。为适应时代的要求,从创业开始直到今天,我们始终坚持以客户要求为基础,利用自己丰富的经验,专业知识与科学的想象力,和客户一起创新窑炉技术,不断开拓未来的窑炉事业。


2

产品介绍Product Introduction








LTCC 铜基

连续烧结炉

设备特点:

1.独特的一体化加热板把高效率发热体和高性能纤维绝热材料有机地融合一体,使加热速率成倍提高,实现了温度准确、升温迅速、 高效节能省时。

2.采用全纤维耐火材料,炉膛亦可导入耐热不锈钢马弗以满足不同的要求。

3.可以进行多气氛段的切换和控制。

4.可以设定各种高要求的温度曲线。


设备用途:

主要用于LTCC 多层陶瓷

与铜金属的批量化烧结;

电子浆料的烘干;

电子浆料的烧结;

LTCC-Cu电极的烧成;

电子陶瓷基片铜电极的烧成;

氧化铝基座的钎焊。


设备规格:

最高温度:1000℃   (可定制)

炉膛有效尺寸:L6560xW635xH40mm

炉膛气氛:空气/氮气/氮气+氢气(加湿气体)

加热元件:OCr27A17M02





氧化铝推板炉

(HTCC)

设备特点:

1.适用于大批量生产,从原料预烧到陶瓷产品的烧成,工艺稳定,一致性好。

2.温度控制方式为晶闸管自动电压调整,具有软起动、软关断、恒流/恒压、限流及过流保护等功能。

3.实现全自动回转运行、采用PLC控制、产品运行可靠。

4.可根据产品在不同气氛条件下、各温度段,分别进行控制和调节。


设备用途:

氧化铝基座的排胶、烧成;PTC的烧成;压电陶瓷的排胶、烧成;环形压敏电阻的排胶、烧成;MLCC-Ni基片的烧成;电子粉体的烧成;氧化铝陶瓷基板的烧成;Mn-Zn铁氧体陶瓷的排胶、烧成;Ni-Zn铁氧体陶瓷的烧成;Mn-Zn基片的排胶、烧成;荧光粉的烧成;锂电池粉体材料的烧成;电池负极材料的烧成;磷酸铁锂的烧成。


设备规格:

炉膛尺寸:500WX250HX15180Lmm

炉膛有效尺寸:260WX200HX15180Lmm

最高温度:1650℃

常用温度:1600℃

加热功率:约270KW

加热元件:Fe-Cr Mo(W type)





高温金属钟罩炉

设备参数:

有效温区尺寸:φ500xH800/φ450xH600

加热器:钨带/钨网

隔热屏材料:金属钨钼/钽

最大装炉量:600Kg/400kg

最高设计温度:2000℃/2700℃

极限真空:8x10-1Pa~5x10-5Pa

温度均匀性:士5℃

加热功率:270KVA/210KVA/370KVA

升温速率:0~30℃/min(可调)

工艺气氛:真空/氮气//氩气/氢气

炉内压力:≤压力0.05Mpa


设备用途:

1.特种陶瓷的脱脂烧结

2.纯化金属

3.金属及非金属粉末烧结 





高温石墨烧结炉

设备用途:

电子陶瓷金属共烧(氮化铝、氧化铝、氧化铍等)

钨金属纯化、石墨纯化、陶瓷金属化、蓝宝石长晶等;

退火、烧结;氮化铝长晶。


设备规格:

有效区:卧室-石墨热场(Graphite box):410x410x600/410x410x1800

加热器:石墨管/钨网/钨板式

隔热屏材料:超高纯石墨化硬毡/钨钼复会屏

最大装炉量:300kg~1000kg

最高设计温度:2050℃~3000℃

极限真空:5pa

温度均匀性:±5℃

工艺气氛:氨气/氢气/氩气/氟

充气压力:≤0.05mpa





综合实验炉

设备用途:

用于各种新材料的开发和验证。


设备参数:

有效区:直径200xH200

加热器:银/钽/钨/石墨整体结构

隔热屏材料:钼/钨/钽石墨化碳毡

最高设计温度:1000℃~3000℃

极限真空:5pa~8x10+³pa

温度均匀性:±2℃~±5℃

工艺气氛:真空/氮气/氩气/氟

充气压力:≤0.05mpa





箱式炉

设备用途:

电子陶瓷基片的烧成


设备规格:

最高温度:1500℃

炉膛有效尺寸:W320×L320×H400mm×4piles

炉膛气氛:空气

加热元件:MoSi2





氮化硅压力炉

设备用途:

氮化硅基板,氮化硅球以及结构件的烧结。


设备特点:

1.温度:max2400摄氏度

2.温度分布精度:R10

3.发热体:石墨

4.压力:1Mpa

5.气氛:N2环境,氧含量小于100ppm





氮化硅/氮化铝

粉体量产炉

设备用途:

氮化硅,氮化铝,氮化硼等粉体量产烧结。


设备特点:

1.温度:2300摄氏度

2.电力:55KW

3.温度分布精度:R10

4.发热体:石墨

5.压力:微正压

6.气氛:N2环境,氧含量小于100ppm


点击阅读原文,即可在线报名!

艾邦陶瓷展
深圳精密陶瓷展览会官方媒体;官方网站:www.cmpe360.com;
 最新文章