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https://onlinelibrary.wiley.com/doi/epdf/10.1002/anie.202419726
碘化铅 (PbI2) 和甲脒碘化物 (FAI) 之间的快速反应使高质量甲脒碘化铅 (FAPbI3) 薄膜的制造变得复杂。传统方法（例如使用非挥发性小分子添加剂来减缓反应）通常会导致埋藏的界面空隙和分子扩散，从而损害设备的操作稳定性。在本研究中，作者引入了一种分子“推进器”——一种具有三个羰基和一个 C––I⁺ 键的高价碘 (III) 化合物——它具有配位和解离能力，能够对钙钛矿薄膜生长动力学进行程序调节。最初，三个羰基与 PbI2 配位以减缓 FAI 和 PbI2 之间的反应，从而防止 δ 相形成。随着温度升高，C––I⁺ 键解离，促进钙钛矿生长，解离产物碘苯将促进溶剂挥发，从而避免埋藏界面空隙。另一种产物是具有八个孤对电子的卡宾化合物，它充分钝化了配位不足的 Pb2+ 缺陷并锚定在晶粒边界而不发生扩散。因此，所得的 FAPbI3 薄膜显示出高质量的相纯度增强、形貌致密、缺陷减少。显然，0.062 和 1.004 cm2 钙钛矿 SC 分别实现了高达 26.06%（经认证为 25.79%）和 24.65% 的功率转换效率 (PCE)。这种方法还可以控制塑料基板上钙钛矿薄膜的生长，从而产生 PCE 高达 25.12% 的柔性钙钛矿 SC。
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