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据韩联社报道，当地时间12月3日，一名前三星电子工程师A某涉嫌挖走大批三星电子半导体核心技术人才，并向中国成都高真科技有限公司泄露三星自研20纳米DRAM工艺技术被警方逮捕。
图源：韩联社
据韩国首尔警察厅产业技术安全侦查队透露信息，A某曾以顾问身份参与成都高真的成立工作，期间在韩国境内开设猎头公司，以2-3倍的高额薪资，挖走大量三星电子的核心技术人才。
这些技术人员基于三星的半导体专业技术，在中国打造DRAM工厂，于2022年4月成功生产半导体晶圆，从竣工到投产整个过程仅耗时1年零三个月（正常试点晶圆生产通常需要4到5年）。
韩国警方表示，被泄技术的经济价值达4.3万亿韩元（约合人民币223.6亿元），考虑到该技术带来的经济效益，实际损失规模更大。
除A某外，还有2名利用相同手法挖走韩国本土半导体专业人才的猎头公司代表以及1家法人也被送检。包括A某在内，共有21人被送检。据悉，这些猎头公司为成都高真挖来的技术人员已超过30人。
此前，成都高真法定代表人、三星电子前常务兼SK海力士前副社长崔珍奭（CHOI JINSEOG）等人涉嫌《产业技术保护法》《防止不正当竞争及商业秘密保护法》，已于9月被捕送检。
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