半导体封测的重要地位
对器件性能而言，封测过程中的先进封装技术，如晶圆级封装、系统级封装等，可以提高芯片的集成度和性能表现。
例如，通过晶圆级封装，产品可以以圆片形式批量生产，利用现有的晶圆制备设备，缩短设计和生产周期，降低成本，同时提高产品性能。
在可靠性方面，封测能够保护芯片免受外界环境的影响，如温度、湿度、机械压力等。
同时，测试环节可以筛选出有结构缺陷或者功能、性能不符合要求的半导体产品，确保交付产品的正常应用。
例如，采用良好的塑封材料和工艺，具备优良的绝缘性、耐热性和耐湿性，能为芯片提供稳定的工作环境，提高其可靠性。
从成本角度来看，不同的封测技术有着不同的成本特点。如 DIP 封装成本低、可靠性高，但体积大、引脚数量有限；BGA 封装体积小、性能优越，引脚间距小，但工艺复杂、成本高。
半导体封测企业可以根据不同的产品需求选择合适的封测技术，在满足性能要求的同时，控制成本。
半导体封测在半导体产业链中起着关键作用，对器件性能、可靠性和成本都有着至关重要的影响。
从晶圆到引线键合的流程
（一）晶圆加工
晶圆是半导体制造的基础材料，其加工过程复杂且精细。铸锭是晶圆加工的第一步，将高纯度的电子级硅通过提拉法等方法形成单晶柱体，这个过程要求精度极高，达到纳米级。
接着进行切割，通常采用金刚石锯将锭切割成薄片，然后在薄片上加入 “平坦区” 或 “凹痕” 标记以便后续加工。
晶圆表面抛光是关键步骤，通过研磨和化学刻蚀去除表面瑕疵，再进行抛光和清洗，获得表面整洁的成品晶圆。这些步骤为后续的封测过程奠定了坚实的基础。
（三）光刻步骤
光刻包括涂覆光刻胶、曝光和显影三个关键步骤。涂覆光刻胶时，晶圆表面的光刻胶层越薄且越均匀，可印刷的图形就越精细，可采用 “旋涂” 方法。
光刻胶根据光反应性分为正胶和负胶，正胶在受光后分解消失留下未受光区域图形，负胶在受光后聚合使受光部分图形显现。
曝光是通过控制光线照射，当光线穿过包含电路图案的掩膜时，将电路印制到下方涂有光刻胶薄膜的晶圆上。显影则是在晶圆上喷涂显影剂，去除图形未覆盖区域的光刻胶，使印刷好的电路图案显现出来。
光刻步骤对电路图案的精细度起着决定性作用，精细度越高，成品芯片的集成度就越高。
（四）刻蚀工艺
刻蚀工艺分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀使用化学溶液去除氧化膜，具有成本低、刻蚀速度快和生产率高的优势，但各向同性的特点使其不适合处理精细电路图。
干法刻蚀可分为化学刻蚀、离子束蚀刻和反应离子蚀刻三种类型。化学刻蚀使用刻蚀气体，各向同性；
离子束蚀刻是物理干法蚀刻，选择性低；反应离子蚀刻是化学物理干法蚀刻，可精确控制蚀刻特性，是半导体制造中构造各种薄膜的重要工艺。
（五）晶圆切割
晶圆切割有多种技术，常见的有刀片切割、激光切割和等离子切割等。刀片切割如砂轮切割，成本相对较低，但对于一些特殊材质的晶圆可能会造成损伤。
激光切割分为激光半划、激光全划、激光隐形划切和异形芯片切割等。
激光半划适用于解理性较好的材料，可提高加工效率；激光全切割工艺流程简单，适合薄硅晶圆等材料；激光隐形划切表面无划痕、无粉尘污染，适合材料昂贵、抗污染能力差的器件生产。
异形芯片切割则面临多边形结构带来的挑战，需通过图像识别定位和位置计算进行加工。
（六）芯片贴装
芯片贴装是将单个芯片附着到基底上的过程。
基底通常由塑料或陶瓷制成，其作用是为芯片提供支撑和保护，并将芯片上蚀刻出的一些引接线端与基底底部伸出的插脚连接，以便与外界电路板连接。
在贴装过程中，需要使用胶水等材料将芯片固定在基底上，同时要确保芯片与基底之间的连接牢固可靠。
（七）引线键合
引线键合是半导体封测中的关键环节之一。它通过金属线将芯片电极与引脚连接起来，通常使用金线、铝线等材料。
引线键合过程包括以下步骤：首先，将金属线的一端焊接到芯片电极上，然后通过热压、超声等方式将金属线的另一端焊接到引脚上。
在引线键合过程中，需要控制焊接的温度、压力、时间等参数，以确保焊接质量。
同时，还需要对引线键合后的芯片进行检测，以确保连接的可靠性和稳定性。
