工业和信息化部于 9 月 9 日印发《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024 年版）》通知，在文件列表包含国产氟化氪光刻机（110nm），和氟化氩光刻机（65nm）的内容。
这两款光刻机的技术参数是：
氟化氪光刻机，光源248纳米，分辨率≤110nm，套刻≤25nm。
氟化氩光刻机，光源193纳米，分辨率≤65nm，套刻≤8nm。
此消息一出，目前网上有两种声音，一种是欢呼，当然另一种是落后18年。
欢呼的人主要是看到“小于等于8纳米”，就以为我国的光刻机可以生产分辨率8纳米的芯片。实际上，这是完全忽视“套刻”二字造成的误解。
套准精度（overlay），指前一个图案层与后一个图案层之间的对齐精度。芯片我们可认为是由很多微小器件组成的电路，这些微小器件可能需要经过多次光刻步骤来完成不同的层，因此每一层的图案都需要与先前的层精确地对齐。稍微的偏移可能会导致电路性能降低，良率下降，甚至芯片完全失效。两层之间图案的实际相对位置与期望相对位置之间的偏差，叫做套准容差。套准容差越大，实际生产中的套准误差越大，那么同一个器件，需要的面积也就越大，会产生许多问题。
套准精度（overlay）
所以，我们简单说“套刻≤8nm”就是“套准精度”小于等于8纳米。对于28纳米的芯片工艺来说，4nm的套准误差被视为可以接受的，但是如果小于10纳米的芯片工艺，这个误差就是可能会导致致命的问题。
因而，目前我国氟化氩光刻机的套准精度≤8nm，是无法生产28纳米制程芯片的，比较靠谱的是可以生产65纳米工艺的芯片。
从这个角度来看，第二种声音以对标ASML的水平，确实是具有10几年的差距。
但是，从代差来看，我国的氟化氩光刻机与ASML仅有一代的差距。
因为我们光刻机已经达到了第四代的水平，只需要在此基础上进行完善与改进，从干式向浸式演变，最低芯片制程是可以达到7纳米的。
而第二种声音对标的是ASML在18年前就推出了65纳米工艺制程的光刻机，这可以说是一种非常粗暴的估算方式。因为，相对首发来说，摸着别人屁股过河是会走得快一点的。
因而，我国氟化氩光刻机要从65纳米进化到28纳米，可能只要一两年就可以完成。
而与此同时，我在《美国制裁没用，中国芯片没崩：制造核心技术和极紫外光源双突破！》这篇文章中也说到，我国已经在对EUV光刻机进行全面的攻关，并且在一些关键节点已经取得了突破。
相信EUV光刻机也不会让我们等太久，这方面大家一定要有十几年前军迷等“黑丝”歼20的耐心，说不定哪天就会给大家爆个惊喜。
