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近日，工信部发布的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》中，两款新型国产光刻机的亮相，一时间，社交媒体上＂中国芯片崛起＂、＂光刻机技术赶超西方＂的言论铺天盖地。然而，在这片欢欣鼓舞的氛围中，却有一个不和谐的声音悄然响起。
然而，在这一片乐观情绪之中，一位业内专家的冷静分析却如同一声警钟，提醒我们正视现实：这两款被誉为“突破性”的光刻机，其技术水准实则相当于西方18年前的成果。
说白了，就是有些人看到一点风吹草动就忍不住往天上吹。比如看到＂套刻精度≤8nm＂，就以为咱们造出8纳米芯片了，殊不知套刻精度和芯片制程是两码事。
光刻机，这一芯片制造领域的核心设备，被誉为在硅晶圆上绘制电路图案的“纳米级艺术家”。其光源波长、分辨率及套刻精度等关键指标，直接决定了芯片上电路的精细程度与集成度。本次公布的国产光刻机，分别采用了248纳米和193纳米的光源，相较于国际顶尖水平——荷兰阿斯麦公司采用的13.5纳米光源，显然还有不小的差距。光源波长的差异，直接导致了画线粗细与电路密集度的不同，进而影响了芯片的性能与成本。
至于分辨率与套刻精度的对比，更是直观地展示了技术上的代差。国产ArFi光刻机达到的65纳米分辨率与8纳米套刻精度，虽已具备一定水平，但与阿斯麦公司在2006年就能实现的57纳米分辨率及7纳米套刻精度相比，确实存在明显的滞后。需要澄清的是，套刻精度并不等同于芯片制程，前者是衡量光刻机在硅晶圆上定位与重复图案绘制能力的指标，而后者则直接关系到芯片内部电路的最小线宽。
关于“正能量”谣言的滋生，往往源于信息解读的偏差与过度乐观的情绪。在信息不对称的环境下，一些非专业人士容易将技术参数的某些方面误解为整体技术水平的全面突破，从而引发不必要的误解与误导。
面对这一现实，我们既不应盲目乐观，也不应过分沮丧。正视技术差距，是迈向自主创新、实现技术赶超的第一步。中国半导体产业正处于快速发展的关键时期，虽然面临诸多挑战，但也拥有巨大的市场潜力、政策支持以及不断增强的自主研发能力。我们应当保持理性与耐心，鼓励并支持本土企业在技术研发、人才培养、国际合作等方面持续努力，逐步缩小与国际先进水平的差距，最终实现中国芯片的自主崛起。
