20 万片/年!烁科晶体SiC二期项目,完成验收

科技   2024-10-24 21:43   江苏  

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来源:半导体信息

山西转型综合改革示范区再传喜讯,烁科晶体SiC二期项目已顺利通过竣工验收,标志着该项目正式投产。这一里程碑事件不仅为当地经济发展注入新动力,也为中国电科(山西)碳化硅材料产业基地的产能扩张和技术创新奠定了坚实基础。

烁科晶体SiC二期项目位于山西转型综合改革示范区潇河产业园太原起步区(北区),是该地区重点推进的高科技项目之一。该项目在2023年8月完成备案,同年10月提交建设申请,并迅速在2023年9月开始建设,11月主体封顶。经过紧张而有序的施工,项目于2024年3月进入机电与设备安装阶段,并计划于同年4月开始试运行。如今,项目已圆满完成验收,正式宣告投产。

二期项目的建成,预计将为烁科晶体带来每年新增20万片6-8英寸碳化硅衬底的产能,其中包括N型碳化硅单晶衬底20万片/年、高纯衬底2.5万片/年、莫桑晶体1.3吨/年。这一产能的扩张,不仅满足了市场对高性能半导体材料的迫切需求,也进一步巩固了烁科晶体在碳化硅材料领域的领先地位

在技术创新方面,二期项目采用了先进的自组装单层技术,优化了碳化硅晶体生长过程,提高了晶体质量。此外,项目还引入了新的生产设备和工艺,进一步提升了生产效率和产品性能。


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