浅析逐次逼近型、Σ-Δ型ADC的原理,及基本应用

文摘   科技   2024-01-14 12:09   广东  

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模数转换器

总结

MCU

SAR、Σ-Δ型ADC



SAR ADC的采集原理

一阶Σ-Δ型ADC的动图演示

基础的电路知识点

ADC校准方案:设备校准表格

分压法测量电阻



概述

概述

ADC有好几种类型,平时接触到的是逐次逼近型ADCSigma-Delta ADC,通用型MCU基本上集成的是SAR ADC,即逐次逼近型。关于ADC的术语:

www.analog.com/cn/technical-articles/types-of-adcs-and-dacs.html


特别要说的是:



ADC原理

数字链表             

              链表模拟

SAR ADC

这里截取ST的AN2834应用笔记

《如何在STM32微控制器中获得最佳ADC精度.pdf》

其结构如上图:

  • 有一堆的开关阵列,对应ADC bit数

  • 采样电容,采集VIN的电压

那么结合电容充放电曲线,可以想到:

  • 电容精度、VREF影响ADC精度

  • 开关时序未匹配电容充电曲线,即开关提前切换,也会影响ADC

  • 待测信号很弱时,电压会被拉低


SAR ADC电压采集过程

采样阶段:

  • Sa切入VIN,S1~S11拨向左边,Sb闭合

  • VIN经线路流入这一堆的采样电容

  • 充电过程持续3个ADC_CLK(ST手册描述)


保持状态:

  • Sa切向VREF,Sb断开

  • S1~S11拨向右边,即接地

  • 电容原本带正电荷的一端,电压变为0

  • 电容另一端的对地电压变为-VIN


SAR ADC转换过程

首先回顾电容的公式:

  • 电容并联:C = C1 + C2

  • 分压:Vc2 = (C1 // C2) / C2 * V


逐次逼近第一步:

  • S1切入VREF,此时构成一个电容分压电路

  • 分压 = (C / 2) / C * VREF = VREF / 2

  • 当 -VIN + VREF / 2 > 0,比较器输出1;反之输出0


逐次逼近第2步(MSB=0):

  • S1切入GND

  • S2切入VREF,引入参考电压

  • C1 = C / 2,C2 = 3C / 2

  • 分压 = (3C / 8) / (3C / 2) * VREF = VREF / 4


逐次逼近第2步(MSB=1):

  • S1切入VREF

  • S2切入VREF

  • C1 = 3C / 2,C2 = C / 2

  • 分压 = (3C / 8) / (C / 2) * VREF = 3 / 4 * VREF


其余bit,重复第2步操作即可,如此比较器以MSB方式,依此输出一串高低电平序列,即为ADC数据。


Σ-Δ型ADC

ADI亚诺德的关于一阶Σ-Δ型ADC的小工具演示网址:

www.analog.com/cn/design-center/interactive-design-tools/sigma-delta-adc-tutorial.html

如上:

  • 待测电压与反馈DAC的输出相减,差值给到积分器

  • 积分器的结果送到比较器,比较器输出决定反馈DAC输出的符号

  • 3次比较的bit流为101

  • 平均输出 = (2.5-2.5+2.5)V / 3 = 0.8333V



ADC的应用

ADC精度特性

来自ST的数据手册:

12bit ADC采集标准源,假设bit0、bit1一直跳动:

  • 实质上ADC的精度只有10个bit

  • 若VREF=3.300V,待测0~30V缩小为0~3.3V,则1LSB = 30V / 0x3FF = 29.3mV


合理的待测电压放大倍率

实际的待测物理量可能是电压、电流、电阻、温度等等,需要通通转换为电压参数,往往第一手的电压信号总是超出ADC测量范围,比如几十V、uV级别。


这个时候把待测量放大(放大倍数 >1、<1):

  • 电阻分压法

  • 由运放构成的差分放大电路

  • 仪表放大器

合理调制放大倍率,目的是尽可能吃满ADC的量程。若VREF=3.000V,0~60V信号放大后为0~1.000V,那么12bit ADC的量程只使用了1/3,0xFFF * 1 / 3 = 1365LSB,2^10 < 1365 < 2^11,即实际分辨率不到11bit,对应0~60V:1LSB = 43.956mV,如果ADC量程用满,1LSB = 60V / 0xFFF = 14.648mV


基准电压VREF的设计

如果待测信号只能放大至0~2.500V,那么VREF应该选择2.500V,单片机的VREF可以由外部提供:


如果VREF直接连到VDDA,VDDA与3.3VDC连接,那么ADC精度就限制在这里了:


VREF可由外部低温漂的精密基准电压源IC供应,如ADR03高精密的基准电压源:

www.analog.com/cn/products/adr03.html


常规的电压跟随器、RC滤波

ADC内部的采样电容,电容充电曲线如下:

如果待测信号微弱,这个充电电流将拉低电压。示波器抓ADC的采样引脚,可以发现待测电压周期性拉低,影响严重时就需要加电压跟随器

如果前级未能有效处理噪声,或者信号走线过长等,在靠近ADC引脚处,加低通滤波器,滤掉高频噪声:


通过校准消除测量偏差

偏差来源:

  • VREF不可能刚好为1V、2V、2.5V、3.3V

  • 电阻、运放、仪表放大器有误差,放大倍率也就存在误差

  • ADC本身也有误差

  • 温漂问题

1. 若待测物理量转换成电压的关系是线性的


引入 y = kx + b消除测量偏差,可参考设备校准表格

  • 每个 x (ADC读值)对应一个 y(实际的电压)

  • 实际测量两个标准电压,得到A、B两个坐标点,求出函数的表达式

标准电压可以由高精度的电源、源表提供。


2 .待测物理量是非线性,如测量电阻,可参考分压法量电阻






-END-


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