美国商务部12月2日半导体出口管制新规解析

本项临时最终规则主要内容如下：

1. 新增两项外国直接产品（FDP）规则：（1）半导体制造设备（SME）FDP规则：适用于某些在美国境外制造的半导体制造设备及其相关物项，当这些物项计划出口至澳门地区或EAR中的D:5组国家/地区（包括中国内地和香港地区，下同）时，需要申请许可证。（2）实体清单脚注5 FDP规则：针对实体清单中标注有“脚注5”的实体（与“先进节点集成电路”生产有关的实体）。

2. 新增两项微量比例规则：对含有美国原产集成电路且运往澳门或D5组国家或者发往脚注5实体的某些半导体制造设备，不设最低占比豁免（即只要含有美国成分，不论比例高低，都受EAR管辖）。

3. 设立3A090.c，将某些高带宽存储器（HBM）纳入管控，同时设立一项HBM许可例外。

4. 修订3B001、3B002等ECCN，新增3B993等2个设备ECCN、3D992等3个软件ECCN、3E992等3个技术ECCN。新增或加强管控的设备包括等离子掺杂设备、高纵横比蚀刻设备、原子层沉积设备、光刻设备、单晶圆清洗设备等。

5. 澄清对软件密钥的出口管制，即软件密钥受到与相应软件或硬件同等的管制。

6. 新增8项风险信号（red flags）。

本项临时最终规则自发布当日起生效，新增的FDP规则、微量比例规则、3A090.c等新增或修订的ECCN编码相关管制自2024年12月31日起实施，其他规则自发布当日起实施。有关本项临时最终规则的评论意见的提交截至日期为2025年1月31日。

以下是有关本项临时最终规则的具体介绍：

根据FDP规则，利用特定美国原产（部分规则下，受EAR管辖的）技术或软件生产而来的某些外国产品，或者由作为该等技术或软件直接产品的工厂或设备生产的外国产品受EAR管辖。本项临时最终规则新增以下两项FDP规则，从而扩大某些对华半导体行业出口场景下受EAR管辖的物项范围。

BIS在EAR第734.9(e)节既有的实体清单脚注1 FDP规则（主要适用于华为相关实体）和实体清单脚注4 FDP规则（主要适用于超级计算机领域中国实体）基础上，增加第734.9(e)(3)段——实体清单脚注5 FDP规则，适用于因生产具有军事最终用途的“先进节点集成电路”对中国军事现代化提供支持而被加入实体清单的主体。根据实体清单脚注5 FDP规则，同时满足以下产品范围和最终用户范围的物项受EAR管辖。

根据新增的EAR第744.11(a)(2)(v)(A)节，如符合以下情形，在美国境外出口、再出口或转让基于实体清单脚注5 FDP规则受EAR管辖的物项（以下称“脚注5 FDP物项”）需要申请许可证。许可审查政策规定于被添加脚注5标识的加单实体条目中。

• 由总部或者最终母公司的总部位于澳门地区或者D:5组国家/地区（含中国内地及香港地区，下同）的实体出口ECCN归类为3B993的脚注5 FDP物项；

• 从A:5组国家/地区（被列入ERA第742部分补编4的国家/地区除外）出口ECCN归类为3B993的脚注5 FDP物项，如果该国没有对相关物项实施同等管制；

• 从A:5组国家/地区以外的国家/地区，由总部或者最终母公司的总部位于第742部分补编4以外的国家/地区的实体出口脚注5 FDP物项；

• 从A:5组国家/地区以外的国家/地区，由总部或者最终母公司的总部位于第742部分补编4的国家/地区的实体出口ECCN归类为3B993的脚注5 FDP物项；

• 由总部或者最终母公司的总部位于第742部分补编4以外的国家/地区的实体境内转让脚注5 FDP物项；

• 由总部或者最终母公司的总部位于第742部分补编4的国家/地区的实体境内转让ECCN归类为3B993的脚注5 FDP物项。

BIS在EAR第734.9节下增加第734.9(k)节，满足以下产品范围和目的地范围的物项受EAR管辖。

BIS在EAR第734.4(a)节增加第(8)、(9)两段内容，规定下列物项不适用最低占比豁免。换言之，符合以下描述的两类物项无论其含有的美国原产成分的具体比例，均受EAR管辖：

• (8) 符合ECCNs 3B001.a.4、c、d、f.1、f.5、k至n、p.2、p.4、r或3B002.c的参数要求的商品，如果其含有属于CCL第3类、第4类或第5类美国原产集成电路，且该商品的目的地为澳门或D:5组国家/地区（除非被排除在EAR第742.4(a)(4)节NS许可要求或第742.6(a)(6)节RS许可要求之外），则受EAR管辖。

• (9)符合CCL第3B类相关ECCN编码（不包括3B001.a.4、c、d、f.1、f.5、k至n、p.2、p.4、r或3B002.c）的参数要求的商品，如果其含有属于CCL第3类、第4类或第5类美国原产集成电路，且该商品的目的地为添加脚注5标识的实体清单主体，则受EAR管辖。

本次临时最终规则通过在3A090新增c项，对“内存带宽密度”超过每平方毫米2GB每秒的高带宽存储器（HBM）实施CCL管制。BIS表示，先进内存芯片在军事、情报和监控领域有重要应用，先进的人工智能（AI）模型依赖于HBM这一先进内存，这种内存在几乎所有面向先进AI数据中心的高级计算集成电路中都能找到。随着先进逻辑芯片速度的提升，内存容量和带宽也需要同步增长，否则处理器的全部能力无法得到发挥。在先进的AI和超计算领域，先进逻辑芯片必须与先进内存配对，以避免内存瓶颈。因此，HBM对大规模AI训练和推理至关重要，是先进计算集成电路的核心组成部分。BIS强调，由于中国本土的先进计算集成电路依赖进口HBM，新的3A090.c对此实施了限制措施，以减缓中国试图实现先进AI芯片生产本土化的进程。

同时，BIS还在EAR第740.25节新增一项许可例外，授权向总部位于美国或A:5组国家的公司出口、再出口或转移（境内）受管制的HBM。BIS表示，该例外有助于确保在不影响总部位于美国及其盟国的公司继续开展不会引发国家安全或外交政策问题的运营的情况下，应对国家安全和外交政策方面的关切。

3A090下列集成电路（参见受控物项列表）

许可要求

管制原因：地区安全，反恐

许可例外

LVS：不适用

GBS：不适用

NAC/ACA：适用于3A090.a，前提是该物项未被用于数据中心而设计或销售，并且其“总处理性能”达到4800或更高；适用于3A090.b，前提是该物项是为用于数据中心而设计或销售的。不适用于3A090.c。

HBM：适用于3A090.c。

受控物项列表

a. [无修订，略]

b. [无修订，略]

c. “内存带宽密度”超过每平方毫米每秒2GB的高带宽内存（HBM）

3A090.c的技术说明：“内存带宽密度”是指内存带宽（以每秒千兆字节为单位）除以封装或堆叠的面积（以平方毫米为单位）。如果堆叠包含在封装中，则使用封装设备的内存带宽和封装的面积。高带宽内存（HBM）包括动态随机存取内存集成电路，无论其是否符合JEDEC高带宽内存标准，只要其“内存带宽密度”大于每平方毫米2千兆字节每秒。此控制不涵盖具有HBM和逻辑集成电路的共封装集成电路，其中共封装集成电路的主导功能是处理。它包括永久性附加到逻辑集成电路上的HBM，逻辑集成电路被设计为控制接口并集成物理层（PHY）功能。

EAR第740.25节“HBM许可例外”具体内容如下：

(a) 适用范围。本许可例外授权出口、再出口或转移（境内）CCL中ECCN 3A090.c项下列明的物项，前提是符合本节中的所有条款和条件。

(b) 出口商、再出口商、转移商。出口商、再出口商或转移商的总部必须位于美国或A:5组国家，并且其最终母公司不得位于澳门或D:5组国家。

(c) 条件。只有在符合以下条件的情况下，内存带宽密度小于3.3 GB/s/mm²的3A090.c物项，才能根据此许可例外进行出口、再出口或转移（境内）：

(1) 如果3A090.c下列明的物项被出口、再出口或转移至澳门或D:5组国家，则该物项必须由共封装商品的设计者直接购买，且该设计者未另行受管制；

(2) 3A090.c项下的物项必须直接出口、再出口或转移（境内）至封装地点。

(i) 对于出口、再出口或转移（境内）至美国、或A:5或A:6组国家的封装厂，且该封装厂的最终母公司不位于澳门或D:5组国家：

(A) 封装厂必须向芯片生产商书面确认，该3A090.c项下的物项已经在该封装厂进行封装，并已出口、再出口或转移（境内）至指定的共封装商品设计者。这一确认视为“出口管制文件”，并须遵守第762部分的记录保存要求。此文件的副本必须在被要求时提供给BIS；

(B) 已完成的共封装商品不得超过ECCN 3A090中的技术阈值，除非第736部分增补1中的通用指令4的临时通用许可证（TGL）允许封装该物项。

(ii) 对于出口、再出口或转移（境内）至其他任何封装地点的3A090.c项下的物项，已完成的共封装商品必须交还出口商、再出口商或转移商，并由其进行出口、再出口或转移（境内）给购买者：

(A) 收到已完成的共封装商品后，出口商、再出口商或转移商必须确认从封装地点收到的已完成的共封装芯片中的3A090.c单元数量，与出口、再出口或转移（境内）至封装地点的3A090.c单元数量一致。此确认视为“出口管制文件”，并须遵守第762部分的记录保存要求。此文件的副本必须在被要求时提供给BIS；

(B) 已完成的共封装商品不得超过ECCN 3A090.a或3A090.b中的技术阈值。

(d) 限制。许可例外不授权3A090.c物项的下列出口、再出口或转移（境内）：

(1) 向分销商出口；

(2) 向中间收货人出口，除非该收货人受封装厂聘用负责货运代理或海关清关；

(3) 向位于澳门或D:5组国家的“设施”进行共封装，该“设施”生产“先进节点集成电路（IC）”。

(1) 所需信息：

(i) 装运日期；

(ii) 出口数量和退回数量；

(iii) 收货人或共封装商品设计者的名称；

(iv) 封装厂的名称和地址；

(v) 最终用途；

(vi) 为解决“风险信号”已采取或计划采取的措施说明。

(2) 提交要求。报告必须以电子形式提交。建议的电子提交文件格式包括电子表格、表格文本或结构化文本。提交者可向BIS申请其他报告形式，以更好地反映其业务模式。报告应通过电子邮件发送至BIS，邮件地址为：HBMReports@bis.doc.gov，邮件标题为“Attn: LE HBM Discrepancy Reports”。

本规则对ECCN 3B001作出以下修订：

(1) 3B001.a.2段中增加“氧气（oxygen）”一词，与对《瓦森纳安排》的修订保持一致，以回应金属有机化学气相沉积（MOCVD）系统中氧化镓外延生长速率的最新进展。

(2) 3B001.e项下技术说明1中的“生产（production）”一词新增双引号，以表明该术语在EAR中具有特定定义。

(3) 3B001项下段落b，以及段落g-n保持不变。

(4) 3B001.a.4：外延材料清单现仅明确列出硅和硅锗，不再包含掺碳硅（但掺碳硅外延仍被涵盖在硅外延范畴内）。此外，用于指定反应室气氛的参数已被移除，指定温度的参数已更新以体现它所指的是反应室温度，并且温度数值已从摄氏度换算成了开尔文。这些变化的目的是确保所有能够实现类似外延性能的系统都被列入管控范围，无论其架构或配置如何。

(5) 3B001.c.3：在3B001.c. 3的技术说明中将其定义为能够弥补由晶圆研磨导致的晶圆来料厚度不一的工艺。

(6) 3B001.c.4：本规则进一步明确3B001.c.4管制的蚀刻设备还需满足低非均匀性（小于2%）和高刻蚀速率（大于7微米/分钟）。BIS进一步指出，如果第744.23节不适用，且EAR第744部分其他条款未提出许可要求的情况下，出口、再出口或境内转让3B001.c.4项下的物项适用逐案审查的许可审查政策。

(7) 3B001.d.3: 本规则明确规定3B001.d.3.b中描述的等离子体工艺属于一种表面处理工艺。

(8) 3B001.d.4和3B001.d.12: 移除了关于转移腔室或晶圆传送系统在各工艺步骤之间必须保持高真空（等于或小于0.01帕斯卡（Pa））或惰性环境的规定。

(9) 3B001.d.5：将碳硬掩模的规格更改为厚度大于2微米且密度大于每立方厘米1.7克（g/cm³）。

(10) 3B001.d.11：保留本段，但删除3B001.d.7、3B001.d.8和3B001.d.10段。

(11) 3B001.d.14：通过规定沉积薄膜的特性必须具备更低的介电常数，并且要沉积在横向开口更小以及特征间距更小的结构中，从而对范围更窄的设备进行管控。如下文所述，本规则新增3B993.d.1段，其内容与原3B001.d.14大体相似。

(12) 3B001.d.16：保留本段，但将本段中有关管制规则的描述（control text）移至新增段落3B993.d.2。

(13) 3B001.d.17：本规则新增3B001.d.17段，规定沉积薄膜的几何形状要与先进集成电路生产节点的先进金属层保持一致（厚度在6 纳米到20纳米之间，深宽比大于或等于1:1.8，且金属间距小于24纳米）。

(14) 3B001.d.18：本规则新增3B001.d.18段增强现有的关于就沉积低电阻金属（用于先进存储集成电路）的设备实施的管制措施。具体而言，该段在3B001.d.12.b和3B001.d.13的管制基础上，增强对对钼和钌的管制；涵盖利用还原剂而非保持腔体真空的沉积技术；未明确前体类型，而是规定前体温度要高于75℃；包含一条注释并明确指出金属前体可能位于工具上，或者位于工厂子制造区的其他位置。

(15) 3B001.d.19：本规则新增3B001.d.19段，用以管制沉积先进动态随机存取存储器（DRAM）中绝缘体的设备。此外，3B001.d.19段规定了在大批量制造活动中实现这种沉积所使用的材料和工艺。具体而言，该段明确指出3B001.d.19涵盖需要两种金属前体（且这两种金属前体是通过直接液体注入方式进行的输送）并能形成具有极高介电常数（大于40）薄膜的材料。

(16) 3B001.d.20：本规则新增3B001.d.20段，旨在管控某些具备电磁铁且经过“专门设计”，用于将钨沉积到特定几何形状结构中的物理沉积设备。这种设备能够制造出纯钨金属触点，以克服 “先进制程集成电路” 生产过程中的电阻难题。

(17)3B001.e.1：将3B001.a、3B001.b、3B001.c以及3B001.d整合，因为所有这些 “半导体加工工具” 都有着相同的配置。

(18) 3B001.f.1.b：移除3B001.f.1.b.2.b段，将原先由该段管控的物项移至新增段落3B993.f.1.b。

(19) 3B001.f.5：本规则新增3B001.f.5段，以管制能够生产“先进制程集成电路”的纳米压印光刻设备，且该设备套刻精度需小于1.5纳米。

(20) 3B001.o.1和3B001.o.2：保留这两段，但其中有关管制规则的描述被移至新段落3B993.o.1.a和3B993.o.1.b。

(21) 3B001.p.4：本规则新增3B001.p.4段，以管制单晶圆清洗设备。3B001.p.4在原3B001.p.3（现3B993.p.3）的基础上移除了“表面修改干燥参数”。

(22) 3B001.r：本规则新增3B001.r段，以管制为沉积或去除工艺而设计的设备，这些工艺有助于提升通过极紫外（EUV）光刻技术所实现的整体图案化效果。

就ECCN 3B001的管制原因而言，向中国澳门地区或D:5国家/地区出口、再出口或境内转让ECCN 3B001修订或新增段落中的物项，需受到NS和RS许可要求的限制。AT管制原因和AT:1许可要求适用于整个条目。

本规则从部分许可要求的适用范围和LVS许可例外中移除3B002.b。此外，ECCN 3B993被添加至与ECCN 3B002有关的管制规则中。

本规则修订了ECCN 3B991和3B992的标题，以将ECCN 3B993和3B994划分至不属于ECCN 3B991和3B992管控的设备。虽然ECCN 3B993、3B994可能有与ECCN 3B991、3B992类似的管制参数，但后者的管制原因为AT，前者的管制原因为级别更高的RS。因此，进行这些修订是为了维持正确的审查顺序。

本规则新增ECCN 3B993，以明确能够支持“先进制程集成电路生产”的物项。不过，BIS认为这些物项在非先进制程生产中也有合法应用，因此不需要设定全国性的许可要求或者采取推定拒绝的许可审查政策。BIS指出，ECCN 3B993下的物项与上述ECCN 3B001下的物项有所不同，后者所涵盖的物项不仅有助于“先进制程集成电路”生产，而且是专门或特定用于该目的。

BIS称，由于上述商品具有与制程节点无关的特性，且已在非先进制程制造应用中有所应用，故将其从原先的ECCN 3B001移至新的ECCN 3B993。此外，BIS还将其他若干商品添加至新的ECCN 3B993中。本规则新增的ECCN 3B993的具体规定如下：

(1) 3B993.b.1：该段落对2B005.b、3B001.b和3B991.b.1.g中有关离子注入设备的现有管制措施进行了扩充，并旨在管制用以“等离子体掺杂”的设备，以将掺杂原子沉积到3D结构（如FinFET和GAAFET）的侧壁。此外，3B993.b.1所管制的设备需满足以下特性：可以处理300毫米直径的晶圆，拥有至少一个射频源以及至少一个脉冲直流源，以及能够注入的原子种类包括n型或p型。

(2) 3B993.c.1（原为3B001.c.1.b）：该段落旨在管制为各向异性干法蚀刻而专门设计或改装的设备。此外，该段包括一则注释，告知公众3B993.c.1包括通过自由基、离子、顺序反应或非顺序反应进行的刻蚀，还包括一则技术注释以定义在注释中使用的“自由基”一词。

(3) 3B993.c.2：该段落旨在管制用于动态随机存取存储器（DRAM）芯片制造的刻蚀设备，且该设备能够将介电材料刻蚀至纵横比大于30:1，能够制造小于40纳米的横向开口。此外，该段还包括一则注释，明确指出3B993.c.2不适用于为小于300毫米直径晶圆而设计的设备。

(4) 3B993.c.3：通过将快速气体切换时间的要求从300毫秒扩展到500毫秒和将静电卡盘内可单独控制的可变温度元件的数量范围从20个减少至10个，在3B001.c.1.c的基础上扩大管制范围。

(5) 3B993.d.1（衍生自3B001.d.14）：该段落旨在管制用于在具有特定几何形状及规定介电常数的结构中沉积薄膜的设备，并对原3B001.d.14进行更新，以区别管制更先进介电沉积设备（3B001.d.14）和非先进介电沉积设备（3B993.d.1）的许可要求。

(6) 3B993.d.2（原3B001.d.16）：该段落旨在满足特定温度要求、具备容纳多个垂直堆叠晶圆的能力以及具备特定喷射器配置的情况下，对含硅和含碳薄膜的沉积过程进行管制。

(7) 3B993.d.3：该段落旨在管制专为碳硬掩模化学气相沉积（CVD）而设计的设备。原3B001.d.5管制的是碳硬掩模的等离子体增强化学气相沉积技术（PECVD），而 3B993.d.3则涵盖了其他化学气相沉积技术以及由此产生的薄膜。

(8) 3B993.d.4（与新的3B001.d.19相关）：该段落旨在管制用于沉积先进DRAM生产中所用绝缘体的设备，且该设备能够在极高纵横比结构（大于50:1，这是先进DRAM的特征）上沉积材料。此外，3B993.d.4还规定了在大规模生产中实际用于此等沉积活动的材料和工艺。具体而言，该段明确指出3B993.d.4涵盖需要两种金属前体（且这两种金属前体是通过直接液体注入方式进行的输送）并能形成具有高介电常数（大于35）薄膜的材料。

(9) 3B993.f.1（原为3B001.f.1的一部分）：该段落反映了原3B001.f.1.b.2.b的范围（主要涵盖部分非先进的DUV光刻设备）。符合3B993.f.1中参数要求的设备不适用“微量原则”，除非属于EAR第734.4(a)(3)节中的情形。

(10) 3B993.f.2：该段落旨在管制能够生产“先进节点集成电路”的纳米压印光刻设备，且此等设备的套刻精度在1.5纳米至4.0纳米之间。

(11) 3B993.f.3：该段落明确了为提高受控DUV光刻设备的生产效率而设计或改装的商品。BIS还在3D993和3E993中增设了类似管制措施，以涵盖用于“开发”或“生产”3B993所规定商品的“软件”和“技术”。

(12) 3B993.o.1（原3B001.o）：该段落旨在管制某些用于铜、钴和钨回流的退火设备，较原3B001.o而言，管制范围未发生变化。

(13) 3B993.o.2：该段落旨在管制基于灯光和激光的毫秒级尖峰退火系统。毫秒尖峰退火可以精确控制掺杂剂的激活和扩散，其中“尖峰”指的是在极短的时间内将晶圆加热到所需温度的过程。短暂而强烈的加热过程能够激活掺杂剂，同时最大限度地减少不希望出现的扩散。

(14) 3B993.p：该段落旨在管制去除和清洁设备。3B993.p.1（原3B001.p.1）将管制用于去除聚合物残留和氧化铜膜，并能在真空（等于或低于0.01帕）环境下实现铜金属沉积的设备；3B993.p.3（原3B001.p.3）将管制用于干燥表面氧化物去除预清洗或干燥表面去污的设备。

(15) 3B993.q.1：该段落旨在管制用于300毫米有图案半导体晶圆的计量和检测设备（包括采用光学或电子束技术的设备），且此等设备必须经过设计或改装，以检测尺寸等于或小于21纳米的缺陷。对于光学设备（包括宽谱等离子体设备），波长必须小于400纳米（能够调节到低于和高于400纳米波长的设备也涵盖在内）；对于电子束设备，分辨率必须小于或等于1.65纳米，或者其电子束源（即冷场发射源，或任意类型的两个源）需具备特定属性。

(16) 3B993.q.2：该段落旨在管制能够提高光刻设备套刻精度的计量设备。3B993.q.2.a管制用于测量晶圆形状的独立设备，不包括集成到光刻机内部的设备；3B993.q.2.b管制在光刻胶显影后测量焦点和套刻情况，且设计用于与光刻胶涂布设备（track）集成的设备。3B993.q.2.b还规定该设备必须具备快速波长切换功能，且套刻测量精度要优于0.5纳米。

与ECCN 3B993类似，BIS增设ECCN 3B994同样为了管制能够支持“先进节点集成电路”“生产”的物项，不过BIS认为这些物项在非先进节点生产中也有合法用途，因此不需要设定全国性的许可要求或采取推定拒绝的审查政策。BIS将对ECCN 3B994进行持续评估，以决定是否需要对其新增、修改和移除。此外，ECCN 3B994的管制原因为RS和AT。本规则新增的ECCN 3B994的具体规定如下：

(1) 3B994.b.2：该段落旨在管制部分离子注入设备。其中，3B994.b.2.a管制低电流和中电流离子注入设备，以在制造先进生产中最小的晶体管时保持低损伤和高均匀性；3B994.b.2.b管制高能量、低电流系统，以在晶圆表面下的浅层注入掺杂物；3B994.b.2.c管制能够在离子束与衬底之间保持高角度精度的系统，以植入用于“先进节点集成电路”中的非平面晶体管结构。

(2) 3B994.q. 3：该段落旨在管制运用光学测量技术和先进软件来确定半导体晶圆上图案三维结构的设备。

本规则移除了此前添加至ECCN 3D002许可要求中的半导体制造设备（SME），并将其修订为与瓦森纳两用物项清单条目中的管制措施相一致。具体而言，NS:1许可要求不再仅适用于部分SME，而是适用于整个条目；向中国澳门地区和D:5国家/地区出口、再出口或境内转让ECCN 3B001.a.4、3B001.c、3B001.d、3B001.f.1.b、3B001.j至3B001.p、3B002.b以及3B002.c的物项不再受到NS和RS许可要求的限制；取消RS管制原因。

BIS增设ECCN 3D992以管制用于特定SME的软件。具体而言，3D992.a管制用于“开发”或“生产”3B001.a.4、3B001.c、3B001.d、3B001.f.1、3B001.f.5、3B001.k至n、3B001.p.2、3B001.p.4、3B001.r或3B002.c中指定商品的软件；3D992.b涉及在单个器件中共同封装多个芯片或小芯片的先进半导体封装的电子计算机辅助设计（ECAD）软件，且此等软件必须支持复杂的三维平面设计和高级仿真模拟。

本规则新增3D993.a，以管制“开发”或“生产”ECCN 3B993中商品的软件；3D993. b管制为使用多重图形工艺进行集成电路的“开发”或“生产”而设计或改装的ECAD软件；3B993.c管制专门用于极紫外（EUV）的计算光刻软件；ECCN 3B993.d管制为提高受控深紫外（DUV）光刻设备生产率而设计或改装的软件。

首先，本规则新增ECCN 3E992以管制与3B001.a.4、3B001.c、3B001.d、3B001.f.1、3B001.f.5、3B001.k至n、3B001.p.2、3B001.p.4、3B001.r和3B002.c中指定商品的“生产”或“开发”有关的“技术”。

其次，针对受3B001.c.1.a或3B001.c.1.c管制的设备的“软件”，本规则将其NS和RS许可要求以及IEC许可例外规定从ECCN 3E001移至3E992。

第三，本规则新增3E993.a以管制与3B993中指定商品的“生产”或“开发”有关的“技术”；新增3E993.b以管制为提高受控DUV光刻设备生产率而设计或修改的“技术”。

本规则新增ECCN 3D994和ECCN 3E994，以管制与3B994中指定商品的“生产”或“开发”有关的“软件”和“技术”，且这两个ECCN的管制原因为RS和AT。

本次临时最终规则通过调整EAR第734.19节的表述，明确对特定软件密钥的出口、再出口和转移（境内）实施管制，这些软件密钥允许访问某些软件和硬件。此项修订将于2024年12月2日生效。BIS表示，用于电子计算机辅助设计（ECAD）工具的软件密钥对“先进节点集成电路”的开发和生产至关重要，因此可能对军事项目产生重大影响，这些项目可能对美国及其盟国的安全构成威胁。

具体而言，经修订的第734.19节内容如下：（修订体现为红色字体）

§ 734.19 访问信息的转移及软件密钥的出口、再出口和转移（境内）

(a) 如果需要授权转移“技术”或“软件”，则在“知情”的情况下，如果转移“访问信息”会导致在没有所需授权的情况下发布“技术”或“软件”，也需要类似的授权。

    (a)款备注：本款所述“软件”发布包括源代码和目标代码。

(b) 软件密钥，也称为软件许可证密钥，允许用户使用“软件”或硬件，或者用于延续现有“软件”或硬件使用许可证的软件密钥，按照其所提供访问的“软件”或硬件所对应的相同ECCN进行分类和管制。如果“软件”或硬件的出口、再出口或转移（境内）需要授权，则软件密钥也需要相同级别的授权。如果已获得“软件”或硬件的出口、再出口或转移（境内）授权，则该授权也适用于相应的软件许可证密钥。如果在初次出口“软件”或硬件以及相关软件密钥时不需要授权，但之后对“软件”或硬件施加了许可证要求（例如，因最终用户被列入《实体清单》而施加许可证要求），那么之后对“软件”和硬件及相关软件许可证密钥的出口、再出口或转移（境内）将受到新的许可证要求的约束。

    (b)款备注：本段不适用于解锁某项功能的密钥。然而，在某些情况下，对功能的更改或增加可能会影响该物项的分类。

为了帮助企业识别与半导体设备出口有关的风险，本项临时最终规则在EAR第732节补编3中新增以下8个风险信号：

• 客户的制造设施技术水平较低，但订购了用于生产“先进节点集成电路”（Advanced-Node IC）的高端设备，例如先进光刻机或离子注入设备。这意味着客户可能计划升级其设施，或将设备转移用于支持先进节点IC的生产。

• 客户系分销商，采购的产品涉及高度定制化或者需要由供应商安装的产品，同时未能明确说明产品的最终用途或最终用户。

• 供应商收到订单，客户拟采购物项可能需要BIS许可或其他司法辖区的许可，与此同时，供应商了解到最终用户曾经未获得所需许可或者很可能无法获得所需许可（例如，相关许可政策为推定拒绝）。

• 供应商收到有关产品服务、安装、升级或维护的请求，在提供相关服务时，供应商发现其产品被调整到用于更高技术规格的用途，而向该等用途出口通常需要许可证。

• 新客户的高级管理人员或技术团队成员与被列入实体清单的公司的相关人员有重叠。

• 供应商收到新客户采购物项或服务的请求，而其采购的物项或服务是供应商此前为加入实体清单的主体所设计或调试的。

• 在分析新增的两项FDP规则是否适用时，如果相关外国产品符合第734.9(e)(3)(i)或第734.9(k)(1)节中列举的3B类ECCN编码的规格，并且该产品包含至少一个集成电路，则应审慎评估两项FDP规则是否适用。

• 如果最终用户设施与生产“先进节点集成电路”的设施通过桥梁、隧道等方式直接相连，则可能存在敏感技术或设备被共享的风险。

本项临时最终规则的其他修订主要包括：

第一，在EAR中新增第740.26节，增加受限制造设施（RFF）许可例外，授权向实体清单中明确援引本项许可例外的实体出口ECCN 3B001、3B002、3B993、3B994、3D992、3D993、3D994、3E992、3E993、3E994以外的物项，前提是出口物项没有用于支持“先进节点集成电路”的生产的制造设施，且没有由于运营、安装、维护或维修符合ECCNs 3B001.a.4、c、d、f.1、f.5、k至n、p.2、p.4、r或3B002.c、3B993、3B994的物项。

第二，修订EAR第736部分补编1临时通用许可4，适用于本次新增的部分管制物项，前提是满足通用许可规定的物项范围和目的地范围。相关目的地范围均排除了位于澳门地区或D:5组国家/地区的实体。

第三，根据上述ECCN新增和修订，调整实体清单脚注1和脚注4 FDP规则（新增内容以红色显示）：

第四，鉴于ECCN 3B001.f.1.b.2.b段被删除，原本由该段管控的物项移至新增ECCN 3B993.f.1段，EAR第734.4节微量比例规则(a)(3)段此前援引的“ECCN 3B001.f.1.b.2.b”相应修改为“ECCN 3B993.f.1”。

第五，修订EAR第772.1节中有关“先进节点集成电路”的定义。对EAR第744.23节半导体相关最终用途管制作出几项澄清性修订。对EAR第736.2节（一般性禁止）、第744.6节（美国人士限制）等规则作出协调性修订等。