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原文链接：10.1039/D4SC06213B
图文解析
图 1. 制备聚合物基 RTP 材料的化学策略.
图2. (a) 280 nm 光激发下DIA@PMMA、CDIA@PMMA 和ODIA@PMMA 的瞬时和延迟 PL 光谱。由于365 nm 的激发峰与荧光峰重叠，测试在320 nm 激发条件下进行。(b) 移除365 nm 紫外光（3 mW/cm2）后PMMA 中的DIA、CDIA 和ODIA 的室温 PL 照片。(c) 365 nm 光激发下的时间分辨 RTP 衰减曲线和拟合的长组分 RTP 寿命。
图 3. (a) DIA、CDIA 和 ODIA 的 Huang-Rhys 因子与频率的关系。(b) 总重组能 (Λ) 的理论估计。(c) CDIA 和 ODIA 单晶的分子几何形状。(d) 计算出的 DIA、CDIA 和 ODIA 的 ESP 分布。(e) 计算出的能量图和自旋轨道耦合 (SOC) 矩阵元素 (ξ)。
图4. (a) PR@PMMA的紫外-可见吸收光谱(Abs.)和CDIA@PMMA、ODIA@PMMA的延迟PL光谱。(b) 去除365 nm UV光(3 mW/cm2)后，PR/CDIA和PR/ODIA在PMMA中的室温PL照片。(c) 280 nm光激发下PR/CDIA@PMMA和PR/ODIA@PMMA的瞬时和延迟PL光谱。(d) RTP聚合物的光激发和余辉发射示意图。(e) 365 nm光激发下的时间分辨RTP衰减曲线和拟合的长组分RTP寿命。(f) CDIA@PMMA、ODIA@PMMA和PR/ODIA@PMMA的余辉发射的国际照明委员会(CIE)坐标。(g) 展示了余辉材料在光学加密中的初步应用。
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