在半导体行业的璀璨星河中，英诺赛科犹如一颗冉冉升起的新星。
12月30日，全球氮化镓龙头——英诺赛科（苏州）科技股份有限公司正式在香港联合交易所主板挂牌上市，股票简称“英诺赛科”，股票代码02577.HK。
英诺赛科
官网显示，英诺赛科成立于2017年7月，是一家专注于第三代半导体氮化镓芯片研发与制造的高新技术企业，也是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的IDM企业，公司深耕8英寸芯片制造技术多年，是全球第一家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，也是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司，研发范围覆盖低压到高压（15V-1200V）氮化镓功率器件，产品涵盖氮化镓分立器件、集成电路、晶圆及模组等，已广泛应用于消费电子、手机、激光雷达、数据中心、光伏发电、储能与自动驾驶等多领域。
传奇女博士带队一个超级IPO诞生
英诺赛科的故事始于一位女科学家。
骆薇薇，新西兰梅西大学应用数学博士，1999年加入美国宇航局（NASA）旗下研究院，花了15年从高级项目经理做到首席科学家。骆薇薇曾表示，正是这一段科研经历给了她日后创业的勇气。
2015年，骆薇薇看到第三代半导体的崛起，以及对于打造中国芯的热忱，她决定回国创业。即便当时困难重重：只有一名员工愿意追随她回国创业、研发费用迟迟没有着落……依然没有动摇她的决心。
2017年，英诺赛科在珠海建厂并投产，彼时，国内第三代半导体刚萌芽，大多数企业仍然在用6英寸或者是4英寸工艺，而英诺赛科却选择以8英寸工艺去制作芯片。相较于6英寸硅基氮化镓晶圆，8英寸晶圆晶粒产出数增加80%，单一器件成本降低30%，但制作难度指数级增加，国内少有人敢尝试。
但骆薇薇却毅然决然带领团队选择了极具挑战性的8英寸硅基氮化镓晶圆工艺，并于2021年在苏州成功投产，并成为全球首家实现量产的公司。
尽管近年来处于亏损状态，但其重资产、长周期的发展策略构筑了竞争优势，实现了成本控制和价格策略调整。从2015年创业到2024年上市，英诺赛科在不到十年内实现了从初创到行业龙头的跨越，这得益于骆薇薇博士及其团队的坚持不懈和勇于创新。
氮化镓市场蓬勃发展，凭技术优势奠定行业领先地位
当前，全球半导体产业正经历快速变革，氮化镓作为第三代半导体的代表，因高电子迁移率、高击穿电场及高热导率等特性备受瞩目，广泛应用于消费电子、汽车电子、数据中心、可再生能源和工业等领域，市场潜力巨大。
据Frost&Sullivan数据，全球氮化镓功率半导体市场规模从2019年的1.39亿元增至2023年的18亿元，年均复合增长率高达88.5%。预计至2028年，该市场规模将突破500亿元，2024至2028年的复合年增长率将达98.5%。届时，氮化镓功率半导体在全球功率半导体市场的份额将提升至10.1%，展现出强劲的增长势头和广阔的发展前景。
图源：英诺赛科招股书
英诺赛科作为全球领先的氮化镓IDM企业，技术实力显著。公司拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，率先实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产，并独家提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品。
其产品氮化镓功率芯片出货量迅速增长，累计出货量从2020年的百万颗到2023年底超过5亿颗，截至2024年6月30日，英诺赛科在全球范围内已拥有319项专利和430项专利申请，覆盖芯片设计、器件结构、晶圆制造等多个关键领域。在8英寸硅基氮化镓技术方面，公司取得了重大突破，晶圆晶粒产出数提升80%，单一器件成本降低30%，产品良率高于95%，远超行业平均水平。
市场拓展方面，英诺赛科在市场拓展方面表现出色，凭借氮化镓产品的低功耗、耐高温高压特性，成功打入消费电子快充市场，并研发出针对智能手机快充发热问题的氮化镓芯片。2023年，英诺赛科就以33.7%的市场份额在全球氮化镓功率半导体公司中排名首位。截至2024年6月30日，公司总产能已达每月12500片晶圆，累计出货量超过8.5亿颗。
英诺赛科还具有全球化业务布局，除了在国内的苏州、珠海设有工厂外，还在硅谷、首尔、比利时等地设立子公司，能够快速拓展海外业务，提升全球知名度与影响力。
凭借领先的量产技术和全球化布局，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体市场中占据先发优势。同时，公司还积极拓展新能源汽车、数据中心等高耗能市场，还吸引了宁德时代创始人曾毓群的投资，除去宁德时代，英诺赛科也成为了众多客户的优选供应商。
综上，英诺赛科的上市标志着企业发展新里程，也是观察全球半导体特别是氮化镓领域发展的重要窗口。其后续在技术、市场、产业合作上的每一步，都将对全球半导体产业产生深远影响，推动氮化镓功率半导体领域及上下游产业链发展。凭借行业优势和成长价值，英诺赛科有望在全球市场保持领先，同时促进氮化镓行业快速发展，为全球半导体产业升级贡献力量。
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