一、活动简介
2024年11月28日，2024年复旦大学相辉学术文化节学科交叉论坛第二季第六期于复旦大学江湾校区交叉学科一号楼B1006圆满举行。中国科学技术大学龙世兵教授、北京大学蔡一茂教授、北京科技大学张铮教授和清华大学吴华强教授分别为我们带来了“氧化镓半导体器件”、“面向新型计算范式的新型高密度高可靠阻变存储技术”、“面向集成电路先进制程的二维半导体材料与器件”和“忆阻器存算一体芯片和系统”精彩演讲，140余名师生线下参与了本次活动。
二、主旨报告
首先，龙世兵教授在主题为“氧化镓半导体器件”的报告中，从材料特性、器件性能以及电路设计等层面为我们介绍了氧化镓半导器件的优异性能。龙教授以商业化的碳化硅半导体器件为出发点，介绍了当前宽带隙氧化镓半导体器件所处的发展阶段以及亟需解决的挑战。随后，龙教授深入介绍了其研究团队在氧化镓二极管和场效应晶体管等方面的最新研究成果，充分展示了课题组在宽禁带半导体材料与器件领域的突破性进展和丰富的经验技术积累。最后，龙教授介绍了氧化镓半导体器件在感存算领域作为探测器的相关工作，全面展现了氧化镓半导体器件作为超宽禁带半导体技术的巨大潜景。龙教授对于氧化镓材料的独到见解，激发了与会者对氧化镓材料的热烈讨论，为氧化镓材料的未来研究和应用提供了新的思路和视角。
在第二场报告中，北京大学集成电路学院院长蔡一茂教授做了关于阻变存储器的生动报告——“面向新型计算范式的高密度高可靠阻变存储技术”。蔡教授带领我们回顾了不同存储器的应用场景与存在的不足，由此引入了阻变存储器的研究背景。随后，蔡教授从当前存-算分离的冯诺伊曼计算机架构存在的存储墙瓶颈，深入讲解了阻变存储器实现存算一体新型计算范式的优势。蔡教授进一步介绍了其团队在高密度高可靠阻变存储技术、存算一体工具链与高能效架构、以及高能效存算芯片与系统三方面的主要研究成果。蔡教授不仅对目前存在的技术难点进行了细致的分析，还提出了自己的解决方案，引导听众进行深入思考。他的报告不仅展示了其团队在阻变存储技术领域的深厚造诣，也为在场的专家学者提供了新的研究视角和解决思路。在报告的尾声，蔡教授对阻变存储技术的未来发展进行了前瞻性的展望，为我们描绘了一个充满潜力的技术蓝图。
来自北京科技大学的张铮教授为我们带来了主题为“面向先进制程集成电路的二维半导体材料与器件”的报告。张教授从摩尔定律发展到了物理极限引入报告主题，深入探讨了二维材料相较于传统硅基材料的显著优势与潜在挑战，并对未来二维材料的发展趋势进行了前瞻性的展望。张教授的报告内容详实而深入，首先从材料生长的角度出发，介绍了一种创新的二维材料单晶生长技术。随后，他详细阐述了自己团队在气隙晶体管领域的最新研究成果。在报告的尾声，张教授对二维材料的未来发展进行了展望，在高质量二位材料生长、二维材料精准转移技术、短沟道二维器件等方面提出了自己独到见解，并用有趣的实例向大家讲了研究工作中如何获得灵感。
最后，吴华强教授带来了主题为“忆阻器存算一体芯片和系统的研究进展”的研究报告。吴教授以人工智能时代的计算发展为引子，巧妙地引入了报告的核心议题，即软硬件协同设计的存算一体技术。他不仅详细介绍了这一技术的原理和应用，还深入剖析了忆阻器技术发展过程中所面临的挑战吴教授从团队的研究工作出发，提出了研究工作不能仅局限于单个器件，而更应该从系统层面考虑设计与性能指标的合理性。同时，他非常认同NVIDIA（英伟达）创始人黄仁勋的一个观点，认为AI的发展会对人们的生活产生根本性的改变，比如以后每个人出生时，就会有一个定制的AI机器人，一直陪伴他的成长，由此，他建议大家一定要充分重视AI技术。此外，吴教授也结合自己回国后的发展，和在场的师生分享了做科研的一些心得。
三、热列讨论
本次论坛吸引了全校范围内微电子学院、材料科学系、信息学院、芯片院、物理学系等众多院系师生的关注，成为一个多学科交叉交流的平台。同时，本次论坛的成功举办也为跨地域、跨高校与跨学科交流提供了一个宝贵的契机。每一场报告之后，都有很多的师生提问，整场论坛讨论氛围热烈，四位报告专为大家带来了一场难得的学术盛宴。
四、展望未来
本次相辉学术文化节学科交叉论坛的成功举办，不仅是集成电路与AI领域的交叉融合，也是国内高校间的学术交流，促进了跨地域与跨高校间的学术交流与合作。未来，我们将继续秉承复旦精神，不断探索和创新。同时，我们也期待更多的学者和研究生们能够加入到这个大家庭中来，共同推动学术事业的繁荣发展！
来源：芯片与系统前沿技术研究院
编辑：融媒体部 王静晗
