在半导体行业中,硅片的制造工艺是至关重要的,它直接影响到最终产品的性能和质量。硅片工艺的复杂性通常通过几个关键参数来描述,其中包括“几P几M”和“光罩层数(mask layer)”。
几P几M 指的是硅片制造过程中的多晶硅(Poly)层和金属(Metal)层的数量。例如,1P6M 意味着该硅片有 1 层多晶硅层和 6 层金属层。多晶硅层通常用于形成晶体管的栅极,通过在SiO2上淀积硅原子,形成多晶。而金属层则用于构建芯片内部的连接导线。层数的增加通常意味着更复杂的电路设计和更高的集成度。光罩层数(mask layer)代表硅片的制造必需经过几次的光刻。下面展示的图中,左侧展示了电路布局和绕线工艺完成后得到的电路设计图。正如我们之前所了解的,设计图中的每种颜色都对应着特定的光罩层。而图像的右侧则呈现了将这些光罩层逐一展开的视图。
每一次光刻都会在硅片上转移一个特定的图案层,从而形成芯片上不同的功能区域。光罩层数越多,表明制造过程越复杂,可能涉及到更多的功能和更精细的工艺步骤。
总之,硅片的制造是一个涉及多个步骤和精密工艺的复杂过程,其中“几P几M”和“光罩层数”是描述硅片工艺复杂度的重要参数。通过不断的技术创新和改进,制造商能够提供性能更优、成本更低的硅片,以满足不断增长的市场需求。邀请您加入我们的社群,获取海量专业文档和最新研报,当前价格最优惠!