正胶和负胶的对比!

文摘   2024-10-30 11:10   湖北  

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再聊聊半导体制造里面的光刻胶。这玩意儿挺关键,光刻工艺的原理就是利用光刻胶在曝光前后溶解性的变化 ,把电路图样精准地弄到芯片上去。
按照光刻胶感光前后溶解性变化的不同,可以分为正性光刻胶和负性光刻胶。
正胶的好处在于能刻出特别细的线条,这对于做那些线路密密麻麻的芯片特别有用。正胶还能在刻蚀的时候保护好下面的材料,减少浪费。但正胶有个问题是,它跟硅片粘得不够紧,而且成本也高,这在大量生产的时候,成本就上去了。

负胶这边呢,它粘硅片粘得牢,成本也低,适合大规模生产。负胶曝光后干得快,这样生产效率就上去了,而且它还能在刻蚀的时候保护好没曝光的地方。但是负胶有个缺点,就是显影的时候容易膨胀,可能会让图案变形或者尺寸不对,而且它的分辨率没有正胶高,不适合做特别精细的活儿。

所以,选哪种光刻胶,得看具体要做什么,还得考虑成本。这不光是技术问题,还得考虑经济效益和生产效率,这样才能保证做出来的产品能满足市场的需求。

下面用一张图表做对比总结:
光刻胶特性正性胶负性胶
成本较贵较便宜
灵敏度较低
对比度
显影液水溶性有机溶剂
抗刻蚀比
与晶圆的附着力一般
受环境中氧气的影响
最小可分辨图形尺寸0.5微米以下2微米左右
遗留残胶现象仅可能发生在小于1微米的图形较普遍
覆盖晶圆表面台阶能力
显影后膨胀
热稳定性一般


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相关文档下载:
一张图看懂光刻胶
光刻胶技术

光刻胶系列报告

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