晶硅太阳能电池边缘钝化提效最新进展

文摘   2024-12-21 11:53   江西  

2024年N型电池的发展现状与趋势

2024年N型电池的发展主要关注提升光电转换效率与优化技术方案。当前N型电池量产效率已超过25%,隆基HBC电池与晶科TOPCon电池效率分别达到27.3%和26.89%。为了进一步推动技术进步,多条技术路线并存,包括ALD设备与氧化工艺在PERC电池基础上的优化升级,以及TOPCon与HJT电池技术的应用,以最终实现更高效的TCO设备与ALD扩散工艺,推动光伏技术革新。

半片组件的技术特性与工艺流程

半片组件是目前光伏领域中的一项重要技术,通过对电池片的创新加工实现更优性能。其定义和优势如下:

  • 定义:半片组件采用激光光切割法,将标准电池片沿垂直于主栅线的方向切割成两个相同的半片电池片,并通过焊接串联组成组件。

  • 优势

    • 更低的封装损失:通过减少材料浪费,提高组件的使用效率。
    • 抗阴影能力更强:半片设计降低了电流对阴影的敏感度,减少发电损失。
    • 热斑温度更低:减小电流输出,有效降低组件工作时的热斑温升,提升组件的稳定性和可靠性。

半片钝化工艺流程

半片组件的制造包含以下关键步骤:

  1. Solar Cell(电池片):选用高质量的电池片作为基础原料。
  2. Cutting(切割):采用激光光切割技术,将电池片精准分割成两片,确保切割边缘整齐。
  3. Stacking(堆叠):对切割后的电池片进行堆叠处理,为后续加工做好准备。
  4. Passivation(钝化处理):对切割后的边缘进行钝化,减少悬挂键及表面复合中心的形成,提升电池效率。
  5. IV Test & Sort(电学测试与分类):对完成加工的组件进行电学测试和分类,确保输出组件性能一致性。

电池切割引发的问题与解决方案

电池切割过程中会引发一些技术性问题,需要通过进一步的工艺优化予以解决。具体问题包括:

  

  1. 切割产生的新边缘问题:半片或多片电池切割后,会产生新的边缘,而切割过程可能破坏电池边缘表面的界面特性。

  2. 晶格结构破坏与复合中心的形成

  • 晶格结构在表面中断,会导致新边缘表面出现大量悬挂键,这些悬挂键易形成表面复合中心(边缘复合),从而降低少子寿命和电池效率。
  • 切割损伤还可能造成晶格畸变,增加复合中心的数量,使得电池性能下降。
  • 新暴露边缘的钝化不足:如果新暴露的边缘没有得到有效的钝化保护,会导致转换效率和组件可靠性下降,从而严重影响电池的性能。

  • 解决方案:对切割后的新边缘进行钝化处理是解决上述问题的有效方式。这一技术可以:

    • 修复切割边缘的损伤,减少悬挂键和复合中心的产生。
    • 显著提升电池效率,改善组件的可靠性和稳定性。
    • 在实际应用中,有助于提升半片组件的输出功率。

    切面钝膜钝化原理

    切面钝膜钝化的核心目标是解决电池切割后边缘表面的损伤问题。电池在切割后,边缘表面积增加,但同时会出现以下问题:

    • 边缘复合损失:切割过程破坏晶体硅的界面特性,导致边缘复合损失和开路电压降低。
    • 效率损失超0.2%以上:由于切割后载流子耗尽及附密度下降,电池整体性能受损。

    钝化解决方案: 采用ALD(原子层沉积)技术在切割边缘沉积AlOx薄膜,确保边缘的保护性,防止复合中心生成。这就像给电池穿了一层“防护衣”,有效改善了电池效率和性能。

    空间型ALD钝膜技术的创新

    空间型ALD钝膜技术通过在切割后的边缘沉积均匀的钝化薄膜,进一步优化组件性能,主要优势包括:

    高保形性:即使在复杂的边缘,AlOx薄膜仍能很好地包覆,像贴膜大师一样精致。

    提升表面钝化性能:AlOx薄膜通过抑制悬挂键的形成,提高组件寿命和效率。

    沉积速度快:50nm薄膜的沉积时间不足15分钟,堪称效率之王。

    低损伤:薄膜沉积过程温和,避免了晶体硅的二次损伤。

    焊膜缝隙与半片组件焊接的优化

    电池组件的焊接直接影响光伏电池的整体输出性能。

    • 潜在问题

    1. 如果切割边缘钝膜覆盖不良,会影响电池栅线焊接点,导致焊接不良。
    2. 缝隙严重时可能引发虚焊现象,表现为组件的EL黑边,影响电池稳定性。
  • 优化效果: 经过理想晶延的钝化技术处理,组件焊接得到了显著改善:

    • 焊接拉力几乎不受影响。
    • 缝隙缩短至<1.5mm,提升了焊接的完整性和可靠性。

      

    工艺参数对沉积速率的影响

    在钝化过程中,TMA(氮化三甲基铝)流速和工艺压力对薄膜沉积速率有显著影响:

    • 当工艺压力从2 Torr升至3 Torr时,沉积速率提升了32%;从3 Torr升至4 Torr时,沉积速率进一步提升7%
    • 在3 Torr和4 Torr工艺压力下,薄膜的均匀性表现最佳。这是因为适当的压力调控能够有效缩小混气区域,减少不均匀沉积,提高薄膜质量。

    关键点:在TMA流速适中的情况下,通过优化工艺压力(如3 Torr或4 Torr),可以兼顾沉积速率和薄膜的均匀性,达到最佳效果。

    空间型ALD氧化铝薄膜表征

    空间型ALD工艺沉积的氧化铝薄膜表现出以下特性:

    • 表面形貌:
      • 沉积初始的氧化铝薄膜为非晶态,表面粗糙度较低(Ra = 0.514nm,RMS = 0.649nm)。
      • 经过退火处理后,薄膜转化为γ-Al₂O₃多晶结构,粗糙度略有增加(Ra = 0.993nm,RMS = 1.243nm),但晶体质量显著提升。
    • 晶体结构变化:
      • 未退火时,薄膜表面平滑,衍射图谱显示为非晶态。
      • 退火后,形成γ-Al₂O₃多晶,显著增强薄膜的稳定性和耐久性。

    EPD工艺效果验证

    钝膜厚度的优化

    • 测试了不同厚度的AlOx薄膜对组件功率的影响,发现功率提升与钝膜厚度呈正相关,在50nm左右达到最佳。
    • 增益体现在电池组件的开路电压(Voc)和填充因子(FF)两项关键参数上,与文献中的研究趋势一致。

    量产验证

    • 理想晶延的EPD工艺已实现量产验证,组件的功率提升在0.15%~0.2%之间,182/144半片组件的平均功率增益超过5W,验证了技术的可靠性和高效性。

    量产工艺成果

    自2024年上半年以来,理想晶延的EPD工艺已广泛应用于多个光伏企业,实现以下成果:

    • 半片电池切割面钝化后的批量验证表明,平均功率增益最高可达5.9W
    • 不同组件型号的功率增益表现为:66板型(182×105):4.13W,72板型(182×92):5.3W,66板型(210×105):5.78W,72板型(210×105):5.9W。

    文中素材来源:理想晶延公开报告,本文仅用于学习交流,如有侵权,请联系小编删除。

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