SmartMat |Highlight：少层二维材料的化学气相沉积
学术
科技
2024-08-28 09:30
天津
Zhang Q, Geng D, Hu W. Chemical vapor deposition for few‐layer two‐dimensionalmaterials. SmartMat. 2023; 4: e1177.
https://doi.org/10.1002/smm2.1177
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化学气相沉积(CVD)方法为制备大面积和高质量的少层(主要是双层或三层)扭曲或非扭曲二维(2D)材料提供了一种可控的策略，并有望促进二维材料从实验室研究到工业应用的发展。
图 1. (A)制备扭曲双层石墨烯(tBLG)的异位成核策略示意图。在气流扰动的作用下，第二层石墨烯在与第一层不同的位置成核。注意，第二层石墨烯生长在第一层的下面。两层之间的扭转角度可能会形成波纹图案。Reproduced underthe terms of the CC BY 4.0 license. Copyright 2021, Luzhao Sun.(B)无论制备单层、双层或三层hBN，在0°和60°处的结合能都是局部最小(最稳定)，因此不会发生扭转。Copyright 2022,Springer Nature.(C)分别用Δ¯z的平均值作为VAC的函数来计算2H-like heterobilayer和3R-like heterobilayer的压电常数，其中Δ¯z表示压电高度的变化。Copyright 2022,The American Association for the Advancement of Science.
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作者简介
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耿德超，天津大学理学院教授，2019年入选天津大学北洋学者英才计划长聘教授，进入天津大学理学院、天津市分子光电科学重点实验室开展工作，研究兴趣主要为二维纳米材料（如石墨烯）的可控生长与结构调控；开发了液态铜催化剂体系用于石墨烯等二维材料的生长。
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