Perspective
Xiangyu Hou, Tengyu Jin, Yue Zheng, Wei Chen. Atomic-scale interface engineering for two-dimensional materials based field-effect transistors. SmartMat. 2024; 5: e1236.
https://doi.org/10.1002/smm2.1236
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文章简介
无悬垂键的二维（2D）材料由于具有原子厚度和优异的电子性能，有可能成为下一代场效应晶体管（FETs）的理想沟道材料。然而，基于二维材料的FET的性能仍然取决于电极/介电体和二维材料之间的界面，仍需要克服几个技术挑战，如提高设备稳定性，减少接触电阻和提高移动性。本文主要研究了原子尺度界面工程对二维场效应管接触电阻和介电层的影响。提供了实现欧姆接触和开发高质量、无缺陷介电层的通用策略。此外，还简要分析了二维材料基场效应晶体管的性能提升和与硅衬底的结合。
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图文导读
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作者简介
侯翔宇，新加坡国立大学化学系博士后研究员。他于2017年获得东南大学物理学学士学位，于2022年获得东南大学物理学博士学位。他的研究方向为二维材料的装置和光谱特性。
陈伟，新加坡国立大学化学系教授。他于2001年获得南京大学化学学士学位，2004年获得新加坡国立大学化学博士学位。他目前的研究兴趣包括分子、有机电子和基于2D材料的器件的原子级界面工程，以及界面控制的纳米催化。曾获新加坡国立大学青年研究员奖(2010年)、新加坡青年科学家奖(2012年)、新加坡国立大学院长讲座教授(2016年)、新加坡国立大学理学院杰出科学家奖(2019年)等。
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