根据萨里大学（University of Surrey）的新研究，在解码六方氮化硼（hBN）（一种二维材料）的生长过程及其在金属基板上的纳米结构方面取得的突破，可能为更高效的电子产品、更清洁的能源解决方案和更环保的化学制造铺平道路。
hBN 只有一个原子厚，通常被昵称为“白色石墨烯”，是一种超薄、超弹性的材料，可阻挡电流、承受极端温度并抵抗化学损伤。其独特的多功能性使其成为先进电子产品中的宝贵元件，可以保护精密的微芯片，并促进更快、更高效的晶体管的开发。
更进一步，研究人员还证明了纳米多孔 hBN 的形成，这是一种具有结构化空隙的新型材料，可实现选择性吸收、高级催化和增强功能，极大地扩展了其潜在的环境应用。这包括传感和过滤污染物，以及增强先进的能源系统，包括储氢和燃料电池的电化学催化剂。
Marco Sacchi 博士，英国皇家学会大学物理与计算化学副教授兼研究员，可持续能源和材料研究主题负责人表示，“我们的研究揭示了控制这种非凡材料及其纳米结构形成的原子尺度过程。通过了解这些机制，我们可以以前所未有的精度设计材料，为一系列革命性技术优化其特性。”。
该团队与奥地利格拉茨理工大学（TU Graz）合作，由Marco Sacchi博士领导，Anthony Payne博士和Neubi Xavier博士进行理论工作，将密度泛函理论和微动力学建模相结合，绘制硼拉嗪前体 hBN 的生长过程，检查关键分子过程，如扩散、分解、 吸附和解吸、聚合和脱氢。这种方法使他们能够开发一个原子尺度模型，允许材料在任何温度下生长。
信息来源：DT半导体
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