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沉积介电层：在半导体晶圆上沉积一层介电材料，如二氧化硅（SiO₂）。
光刻定义图形：使用光刻技术在介电层上定义出通孔和沟槽的图形。
刻蚀：通过干法或湿法刻蚀工艺，将通孔和沟槽的图形转移到介电层中。
沉积金属：在通孔和沟槽中沉积金属，如铜（Cu）或铝（Al），以形成金属互连线。
化学机械抛光：对金属表面进行化学机械抛光，以去除多余的金属并平坦化表面。
简化工艺步骤：通过在同一工艺步骤中同时形成通孔和沟槽，减少了工艺步骤和制造时间。
提高制造效率：由于减少了工艺步骤，双大马士革工艺可以提高制造效率，降低生产成本。
改善金属互连线的性能：双大马士革工艺可以实现更窄的金属互连线，从而提高电路的集成度和性能。
降低寄生电容和电阻：通过使用低介电常数的介电材料和优化金属互连线的结构，可以降低寄生电容和电阻，提高电路的速度和功耗性能。
来源：晶格半导体知识
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