二维反铁磁斯格明子不受杂散磁场和斯格明子霍尔效应的影响,并且可以通过小电流密度实现高速驱动,这对于低功耗自旋电子应用是理想的。然而,大多数二维反铁磁斯格明子需要在复杂的异质结构材料中实现,这阻碍了自旋电子设备的高度集成。
近日,四川大学向钢教授和成都信息工程大学兰木博士等人在Science China Materials发表研究论文,使用杂化泛函理论计算和原子自旋动力学模拟,在四氟化钌(RuF4)单层中实现二维反铁磁斯格明子。
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https://doi.org/10.1007/s40843-024-3020-y
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