感受一下，X-FAB的代工能力
文摘
2024-12-11 19:10
上海
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12月5日，享有全球声誉的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（简称“X-FAB”）宣布了一项在非易失性存储领域的重大创新。创新利用了X-FAB最先进的SONOS技术，基于其高压BCD-on-SOI XT011 110nm工艺节点平台，X-FAB能够为客户提供符合AECQ100 Grade-0标准的32kByte容量的嵌入式闪存IP，并且还具备额外的4Kbit EEPROM。自2025年起，X-FAB计划推出更大容量的64KByte、128KByte闪存以及更大存储空间的EEPROM。![]()
通过采用独特方法，将闪存和EEPROM元件置于单个宏单元内，并共享所需的控制电路。这一举措简化了布局，减少了组件的总体占用面积，为支持Grade-0、175°C的32KBytes存储解决方案设定了新的行业标准。这种嵌入式闪存为客户提供了市场上最先进的数据访问能力，能够在-40°C至175°C的整个温度范围内读取数据，而EEPROM则可以在高达175°C的温度下写入数据。![]()
EEPROM适用于需要频繁写入数据的应用，可提高闪存的耐用性和灵活性；它还可有效充当缓存，在无法在闪存中写入数据的工作条件下，将数据编程到EEPROM，然后在温度降至125°C以下时再写入闪存。由于其出色的稳健性、持续的数据存储完整性以及显著的空间节省，该IP旨在满足汽车、医疗和工业应用的需求。这款新型NVM组合IP采用64位总线，闪存元件采用8位ECC，而EEPROM元件采用14位ECC，从而使得集成该IP的器件实现了零PPM误差性能。专用电路用于便捷访问存储器和DFT，可显著缩短测试时间并将相关成本降至最低。如果需要，X-FAB还可提供BIST模块和测试服务。免责声明：本文为作者独立观点，不代表道芯IC立场。如因作品内容、版权等存在问题或者其他任何异议，欢迎联系。
