问题一：
6吋SiC衬底需求是否饱和？
Soitec邓海颖：受市场大环境影响，今年SiC需求出现了调整波动，大家认为6吋SiC衬底的市场需求是否已经饱和？
Soitec Sabonnadiere：我认为目前的需求波动主要来源于2个方面，一是混合动力汽车的比例有所提升，但其碳化硅的使用量不如纯电汽车高；二是中国大部分新能源汽车还没有导入碳化硅，如果不能尽快导入，那么碳化硅在未来5-10年仍处于过渡期。但是，燃油车向新能源汽车的转变将在2027年左右到来，届时碳化硅将因8英寸工艺和其它创新而更具竞争力。
烁科晶体李斌：我觉得最近几年国内6英寸SiC衬底产能确实增加了很多，但关键要看其实际去向。2024年虽然国内6吋SiC衬底的销量涨幅没有前几年高，但也实现了一定程度的增长，而且新能源汽车等下游市场的需求一直在增加，所以我认为6吋SiC并没有达到饱和状态。
但是，国内SiC衬底也面临两大难题：一是由于某些国际原因，出口难度大；二是国内6吋SiC器件厂虽多，但真正上车的厂商较少，这导致国内SiC衬底厂出口受阻，同时在国内上车不太顺利。
但我认为，这只是短期状态，随着国内SiC器件上车验证不断增加，装车率不断提高，国内的SiC衬底需求将继续扩大。
烁科晶体总经理—李斌
中电化合物潘尧波：目前整个SiC市场是增长的，包括我们公司今年的出货量也比去年增长了很多，所以我认为6吋碳化硅正处于阶段性饱和阶段，如果8吋SiC衬底在器件端的量产时间提前，6吋SiC衬底的市场竞争会更加激烈。
同光股份王巍：原本我们认为SiC行业转向8英寸要到2026年之后，但2023年6吋SiC刚放量，8吋SiC就开始起步，其发展速度超出了我们的预期。
国际SiC器件大厂海外新建产线以8吋为主，国内SiC器件厂商以6吋为主，所以国内SiC衬底厂商的8吋产量和节奏要根据客户情况进行区分，如果以国际大客户为主，可尽量往8吋SiC靠拢，因为6吋SiC目前虽然有量，但国际大厂已经与SiC衬底企业在签长约，没签长约的SiC衬底可能很难拿到6吋订单，需要想办法达成8吋SiC衬底合作。
国内方面，我原本觉得6吋SiC很快会被8吋替代，但是经过这一两年的成本优化，6吋SiC衬底价格大幅下降，导致其性价比更高，进一步打开了下游市场空间，所以我认为6吋SiC在国内还有一个长期的市场需求，不会太快切换到8吋。
同光股份副总经理—王巍
青禾晶元刘福超：目前来看，国外尤其是欧洲几家SiC器件厂基本不需要6吋SiC衬底了，像我们现在提供给国外厂商的单晶-单晶复合衬底、单晶-多晶复合衬底都是以8吋为主。
国内SiC器件厂从6吋产线转向8吋的资金投入非常大，而且也需要时间去迭代，而且6吋SiC衬底的价格已经到极限点，可以更好地降低器件成本，从这些方面来看，6吋SiC衬底在国内还是具有一定的生存空间。
粤海金熊耀兴：我们认为6英寸SiC衬底还远远没有达到饱和状态，因为随着材料价格的下行，配合更低成本的工艺及终端新的应用出现，6吋SiC衬底的需求也在不断增长的，未来有望在白色家电、电焊机、服务器等市场中替代硅基器件。
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问题二：
8吋SiC衬底技术是否已经成熟？
Soitec邓海颖：大家认为8吋SiC衬底和外延技术市场已经成熟，具备规模化量产能力？
烁科晶体李斌：从技术指标来看，6吋SiC衬底和8吋衬底基本上没有区别，另外8吋350mm衬底的技术也非常成熟了，就烁科晶体公司而言，今年8吋350mm衬底的出货量已经超过1万片，已经具备规模化量产能力。
尺寸已经不是制约8吋SiC衬底发展的关键因素，更重要的是如何进一步降低衬底成本，令器件环节更具经济效益，这样才能推动大规模应用。
目前来看，6吋SiC衬底的价格已经是亏本的，8吋SiC衬底大规模生产会不会这样亏本？要亏多长时间?行业下一步要怎么走？这需要行业继续思考、不断优化。
同光股份王巍：从产能来看，国内头部SiC衬底厂商的长晶炉已经超过1000台，这意味着每家的6吋产能将达到40万片以上。就同光而言，我们已经具备8吋SiC规模化量产能力。我们的长晶炉是6&8吋兼容的，所以现有6吋产能有多大，未来8吋产能就有多大，目前我们的8吋SiC衬底也已经实现大批量稳定生产。
从整个产业来看，2023年下半年开始，国内头部SiC衬底厂商开始批量提供8吋衬底给海外客户验证，现在基本上每家企业每个月的出货量在1000片以上，有的能达到几千片，这实际也反映了国内8吋SiC衬底客户端验证和质量体系建设成果。
而从价格来看，8吋SiC衬底成本确实存在下降的空间，可以支持客户进一步降本增效。
粤海金熊耀兴：现在8吋SiC衬底的缺陷质量及面型参数已经与6吋衬底处于同一水平线，现在制约8吋SiC大规模量产的关键在于成本，因为8吋SiC衬底的加工良率还不是特别高，所以导致其成本偏高，但我预计随着客户需求增加、新工艺技术优化等因素，明年8吋SiC进展会加快，有望实现大规模量产。
粤海金董事长助理—熊耀兴
青禾晶元刘福超：从6吋转向8吋既需要“量变”，又需要“质变”。从复合衬底来看，我们已经在键合设备及工艺等方面做好了准备，正等待更高质量的8吋SiC衬底以进行量变。而常规长晶工艺转向8吋需要更好的SiC籽晶，这是质变的过程，我们跟海外企业正在做SiC籽晶的复刻，通过键合剥离，以获得更多更好的籽晶，希望借此工艺推动8吋SiC的发展。
Soitec Sabonnadiere：我们原来推测，8英寸SiC取代6英寸的速度会更快，但事实并非如此，一是因为8吋SiC的成套工艺比预期估计更加困难，二是6吋SiC衬底的价格下降太快，吸引了一部分市场需求。但要注意的是，由于6吋价格过低，且竞争激烈，很难获得利润，而随着8吋SiC加速，企业之间可能会迎来新的整合或重组。
另一方面，部分中国企业正在积极布局8吋SiC器件线，这实际上有利于在国际竞争中获得优势地位，我认为，接下来5年碳化硅将进入8英寸时代。
Soitec汽车与工业部门执行副总裁—Emmanuel Sabonnadiere
中电化合物潘尧波：从SiC外延来看，6吋转8吋要比长晶和衬底加工容易得多，所以现在从良率、质量、性能、成本等方面来看，8吋SiC外延比6吋增加不多，所以我觉得从6吋到8吋转变速度会比较快。当前，我们生产的8吋SiC外延片主要出口给国外厂商，国内出货较少。
问题三：
8吋SiC衬底&外延有哪些降本途径？
Soitec邓海颖：8吋SiC衬底和外延目前成本较高，大家认为还有哪些降本的方式？
Soitec Sabonnadiere：一方面，8吋碳化硅需要进一步优化良率及降本，以继续跟硅基IGBT竞争，另一方面，我们也接收到许多如大众汽车等制造商的反馈，其中提到25mm2、20mm2的芯片面积过大，我们可以进一步提高芯片的功率密度，缩小芯片尺寸。未来，8吋SiC衬底的价格可能会降到1000美元以下，我们需要在这一价格空间内保证利润及质量。
青禾晶元刘福超：从复合衬底来看，我们有三个途径去实现降本：一是与客户合作，提供高质量SiC籽晶；二是我们正在与一家机构合作，针对大面积SiC衬底实行重掺，目前可以获得10 mΩ的SiC衬底，并通过P型衬底的隔离，在保证质量的同时也能控制成本；三是多晶3C碳化硅衬底通过CVD的方式，其扩径难度不高，挑战主要在加工环节，但通过我们的工艺，目前可以生产出小批量的1mΩ以下的SiC衬底。
此外，我们也注意到，在碳化硅衬底进行扩直径的转换阶段，键合衬底会迎来较大的市场空间，并配合客户实现降本。
青禾晶元副总经理—刘福超
粤海金熊耀兴：我们主要采取以下措施降本：一是在SiC长晶环节采用更大的籽晶以生长更大的晶锭，保证单锭的良率、出片率更高；二是聚焦薄片化工艺，因为SiC衬底越薄，则出片率越高，而且器件厂可以节约背面减薄工艺成本，目前8吋SiC出货还是以500μm为主，但未来可能需要实现350μm、甚至200μm的SiC衬底稳定出货。
中电化合物潘尧波：从SiC外延成本看，相比6吋，8吋主要是气体用量有所增加，成本上升的比例不超过30%，备件成本影响更大。
中电化合物总经理—潘尧波
同光股份王巍：传统降本主要有以下途径：一是提升SiC产能，实现大规模降本；二是搬迁厂房，以获得电费优惠；三是实现设备、耗材等国产替代。但我认为，最可靠性还是要通过技术创新，提升SiC良率以降低成本，这是因为碳化硅产业在国内实际上才刚起步，每个环节都存在不少问题，有很大的提升空间，如果每个环节都提高一点点良率，反馈到终端的产品价格可能就会下降很多。
烁科晶体李斌：去年，行业难以想象如今6吋衬底的价格会降到这样的价格，但我觉得，从目前的技术水平、成本控制能力来说，这不是一个合理的价格，因为大家实际上是为了抢占市场或提高业绩，从而在亏损处理产品。
8吋碳化硅作为一个更长生命周期的产品，我觉得不可能低于成本价去长期推广，但从行业的现有及发展水平来看，明年预计还会有一定程度的降幅。
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