12月11日，一年一度的行家说三代半年会“2024碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼”正式拉开序幕。
会议第一天，中车半导体、三安半导体、瞻芯电子、烁科晶体、同光股份、南砂晶圆、合盛新材料、中电化合物、Soitec、致领半导体、创锐光谱及思锐智能等企业大咖带来了干货满满的演讲！
温馨提示：明天（12月12日）还有同样精彩的“SiC&GaN技术应用创新峰会”，英飞凌、罗姆、意法半导体、三安半导体、芯联集成、士兰微、华润微、安世半导体、纳微半导体、晶能微、平湖实验室、悉智科技及快克芯等企业将出席带来重磅演讲，了解会议详情请扫下方二维码！
直击现场
行家说CEO
蔡建东
蔡总首先对影响SiC产业发展的关键因素进行了总结，披露了SiC产业规模数据、IPO等情况。蔡总还指出，经历危机本身并非财富，真正的财富在于我们如何战胜危机，将挑战转化为机遇。最后呼吁行业投入应更加理性，以确保产业的健康发展。
Soitec
Emmanuel Sabonnadiere
SmartSiC:a Greener,Faster,Better technology for SiC in 2024
会议初始，Soitec汽车与工业部门执行副总裁Emmanuel Sabonnadiere在会上作了《SmartSiC:a Greener,Faster,Better technology for SiC in 2024》的主题演讲。
Emmanuel Sabonnadiere介绍道，SmartSiC™技术是一种环保、高效、出色的碳化硅技术，通过SmartCut™技术制造的SmartSiC™衬底具有非常高的质量，能够优化器件良率。SmartCut™工艺可提高碳化硅单晶衬底的重复利用率，实现高水平的导电性和导热性。SmartSiC™通过创新工艺减少了碳排放，并提高了生产效率，并有望成为行业新标准，推动电动汽车等领域的发展。
烁科晶体
总经理助理 马康夫
碳化硅单晶衬底材料市场前景与技术发展简析
烁科晶体总经理助理马康夫在会上带来了《碳化硅单晶衬底材料市场前景与技术发展简析》的主题报告。
马总从SiC产业的市场概况与技术发展出发，阐述了SiC的应用场景及未来应用机会等，并总结道，当前行业痛点是SiC器件成本高，限制了SiC器件在功率器件领域的大规模应用；接着报告分别讲述了SiC单晶生长的技术发展，包括复合衬底、8英寸等关键技术发展进程。最后，报告概述了山西烁科晶体有限公司的发展规划及研发进展。以及对SiC单晶材料的产业化发展进行了思考与展望。
南砂晶圆
研发总监 胡国杰
致领半导体
产品经理 江亚强
江总从致领半导体的抛光工艺路线、抛光段问题分析、抛光段成本控制以及致领方案四个维度展开演讲，介绍了致领半导体开发的低成本6吋和8吋碳化硅抛光解决方案：他们成功研制的常规抛光机、重型抛光机以及6/8吋碳化硅晶圆（小）批量抛光方案均能帮助企业实现高效率和高精度的抛光，满足半导体材料抛光的严苛要求，展示了致领在半导体抛光领域的专业能力和创新实力。
湖南三安半导体
研发经理 张政
报告分析了8英寸SiC单晶材料的技术趋势及挑战，得益于三安IDM架构，三安在8英寸SiC单晶方面实现了突破性进展，不仅提升了生产效率，而且通过规模化生产显著降低了成本，为SiC器件在新能源汽车的大规模应用铺平了道路。此外，张总还指出，350微米厚度的8英寸衬底、外延和器件量产是突破8英寸成本壁垒，从6英寸跨越到8英寸的关键。三安的积极参与不仅彰显了公司在SiC单晶材料领域的技术实力，也体现了其在推动新能源汽车产业发展中的重要作用。
同光股份
副总经理 王巍
8英寸碳化硅衬底产业化进展与挑战
王总首先分享了SiC的市场应用现状与前景，并对SiC衬底市场需求作了分析，最后从市场痛点、技术难点等方面指出了目前国产8英寸碳化硅衬底产业化所面临的挑战——他表明，8英寸产线应用是大趋势，但面临工艺提升和质量稳定挑战。同光股份已在在8英寸SiC衬底领域取得了显著的技术突破，掌握了从高纯SiC多晶原料合成到晶体电学性能控制、单晶生长炉及热场设计、低缺陷单晶生长技术，以及精准加工技术的全流程核心技术。
值得一提的是，《2024碳化硅（SiC）产业调研白皮书》正式发布后，还进行了参编单位授证仪式，在此特别感谢46家参编企业对本年度白皮书编写的支持：
A级参编单位
合盛新材料、芯聚能半导体、安海半导体、三安半导体、烁科晶体、天岳先进、青禾晶元、同光股份、恒普技术、华卓精科、快克芯、泰坦未来、晶亦精微
B级参编单位
东尼半导体、科友半导体、长联半导体、瑶芯微、平湖实验室、浙江晶瑞、致领半导体、奥亿达、瑞霏光电、亿值旺、纯水一号、中科光智、成都炭材、思锐智能、三义激光、亿达碳业
行家说三代半
研究总监 张文灵
2024年SiC产业发展状况报告
技术层面，SiC材料和器件技术不断取得突破，特别是在衬底和MOSFET技术方面。此外，他还详细介绍了中国SiC项目的分布和进展情况，为与会者提供了一个全面的SiC产业发展趋势和市场机遇的概览。
合盛新材料
副总经理兼外延技术部部长 周勋
会上，合盛新材料副总经理兼外延技术部部长周勋作了《8英寸碳化硅衬底及外延核心质量指标的控制》的主题演讲。
创锐光谱
CEO 陈俞忠
创锐光谱CEO陈俞忠带来了《SiC位错无损检测技术助力缺陷演化及追踪研究》的主题报告。
中电化合物
副总经理 唐军
唐军博士从碳化硅(SiC)外延材料的特性优势出发，讲解了碳化硅外延片行业现状及未来发展趋势，重点阐述了大尺寸外延片的技术难点和解决方案，并展示了中电化合物在8英寸碳化硅外延产品进展和技术优势。
中车半导体
市场部部长 王世平
中车半导体市场部部长王世平带来了《SiC MOSFET技术与发展》的主题报告。
王总深入剖析了SiC MOSFET在芯片设计、工艺制造、封装技术及可靠性评估等方面的最新进展，指出了该技术未来发展面临的技术难题及潜在解决方案，并介绍了中车SiC产品的解决方案及规划，引发了现场热烈的讨论和广泛反响。
思锐智能
副总经理 陈祥龙
思锐智能副总经理陈祥龙带来了《打造第三代半导体制造关键设备—原子层沉积和离子注入》的主题报告。
陈总分享了思锐智能在原子层沉积（ALD）设备和离子注入（IMP）设备方面的研发成果，这些设备对于第三代半导体制造工艺至关重要。陈祥龙强调了实现半导体设备自主可控的重要性，并展示了公司如何通过ALD和IMP技术的双轨布局，加速第三代半导体的量产和应用拓展。报告中还提到了思锐智能在提升GaN与SiC器件性能方面的ALD解决方案，以及在SiC沟槽结构性能提升和离子注入应用方面的新突破。通过这些技术，思锐智能正助力第三代半导体产业的发展。
瞻芯电子
副总经理 曹峻
瞻芯电子副总经理曹峻带来了《碳化硅车载功率转换解决方案》的主题报告。
曹总强调了碳化硅材料在高压、高温应用中的优势，并分享了公司在车载功率转换解决方案的进展，包括车载充电机和空压机的应用。他提到瞻芯电子的碳化硅MOSFET产品已通过JEDEC认证，并且公司积累了超越JEDEC标准的测试经验。瞻芯电子致力于提供高性能的碳化硅功率半导体解决方案，以支持新能源汽车等行业的发展。
圆桌论坛1：
本场圆桌论坛的研讨嘉宾为烁科晶体总经理李斌、中电化合物总经理潘尧波、同光股份副总经理王巍、Soitec汽车与工业部门执行副总裁Emmanuel Sabonnadiere、青禾晶元副总经理刘福超、粤海金董事长助理熊耀兴，由Soitec China GM邓海颖担任主持。
圆桌论坛2：
本场圆桌论坛的研讨嘉宾为方正微电子副总裁彭建华、瞻芯电子副总经理曹峻、平湖实验室SiC首席科学家陈刚、centrotherm中国区总经理赵亮、思锐智能副总经理陈祥龙，由行家说三代半研究总监张文灵担任主持。
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