华南理工於黄忠团队: 解决 ZnO 缺陷构建高性能有机太阳能电池新策略

学术   2024-12-26 10:40   英国  

研究背景

有机太阳能电池 (OSCs) 以其重量轻、透明、柔韧性等显著优势在新能源领域备受关注,具有相当大的商业应用潜力。近年来,随着新材料和新工艺的不断研究,如 NDI-DABC 和 MT²PDIMz,OSCs 的功率转换效率 (PCE) 可达到 19.60% 。此外,Wei Li 等、 Hongzheng Chen 等人甚至突破了 OSCs 的 20% PCE 阈值。
OSC 分为两种类型:倒置 OSC 和正式 OSC 。在倒置 OSCs 中,氧化锌 (ZnO) 由于其高电子迁移率、可见光范围内透明、化学结构稳定等优点,被广泛用作电子传输层 (ETL) 材料。
然而, ZnO 中的缺陷和杂质(氧空位和吸附剂氧)等陷阱中心通过捕获激子增强了界面处的电子-空穴复合,从而降低了 ZnO 的导电性,最终导致 OSCs 的 PCE 降低。此外, ZnO 与活性层的界面能级不匹配,抑制了电荷的转移。此外,ZnO 在紫外线照射下存在严重的光催化问题,会降解活性层,从而降低倒置 OSCs 的寿命。因此,解决 ZnO 存在的问题是一个非常值得关注的研究方向。
表面改性是克服上述问题的常用方法,它可以调节 ZnO 的界面和电学性能,填补 ZnO 表面缺陷。虽然至今的研究提出了许多解决方案,但仍然需要开发更有效和方便的修饰 ZnO 的技术。

文章简介

近日,华南理工大学於黄忠教授团队使用生物有机材料 NADH 修饰 ZnO ,构建了 ZnO:NADH 复合材料 ETL。以 ZnO:NADH 复合材料作为新型 ETL,基于 PM6:L8-BO 的 ZnO:NADH ETL 器件的 PCE 为 18.21%,显著高于纯 ZnO ETL 器件 (PCE = 17.43%)。由于 NADH 作为一种生物分子,对环境和人体几乎没有影响,在提高效率的同时减少了生产过程中对环境的污染和对人体的危害。

该研究为解决 ZnO 的缺陷和提高器件效率与稳定性提供了一种有效的方法。相关成果以 “Application of a NADH-modified ZnO electron transport layer in high performance organic solar cells”(《NADH 修饰 ZnO 电子传输层在高性能有机太阳能电池中的应用》)为题,发表在国际著名期刊 Journal of Materials Chemistry C 上








  • Figure 1. (a) NADH 的分子结构,(b) 静电势分布和 (c) FT-IR
  • Figure 2. (a) ZnO 和 ZnO:NADH 的 ZnO 2p 和 (b) ZnO:NADH 的 O 1s XPS 光谱,(c) ZnO 和 ZnO:NADH 的 FT-IR 光谱,(d) ZnO 和 NADH 的结合方式

与纯 ZnO 薄膜相比, ZnO:NADH 薄膜中 Zn 2p 核能级的 2p₃⸝₂ 和 2p₁⸝₂ 峰分别向低能级方向移动了 0.1 eV (从 1021.7 eV 到 1021.6 eV)和 0.1 eV(从 1044.8 eV 到 1044.7 eV)(图 2a)。结果表明,Zn 获得电子,导致 Zn 的电子云密度增大。此外,NADH 修改后,晶格氧和缺陷氧也向低能级的方向移动 0.1 eV(从 530.2 到 530.1 eV )和 0.1 eV(从 531.3 到 531.2 eV)(图 2b)。这说明 O 获得了电子,导致 O 的电子云密度增加,ZnO 从 NADH 获得了电子。
同时,ZnO:NADH 薄膜的 O 1s 核能级中还多了一个 C-OH 峰( 532.7 eV ),表明 ZnO 与 NADH 成功结合。此外,晶格氧 / 缺陷氧 (ZnO) 为 0.71 ,晶格氧 / 缺陷氧 (ZnO:NADH) 为 1.17 ,表明 ZnO:NADH 薄膜中缺陷氧的比例降低。NADH 的修饰有利于降低 ZnO 中缺陷氧的密度,从而减少 ZnO 表面的非辐射复合。
  • Figure 3. (a) ZnO 和 ZnO:NADH UPS 的 Ecut 和 (b) EB, (c) ZnO 和 ZnO:NADH (0.02 mg/mL) 的能级谱,(d) ZnO 和 NADH 之间的界面偶极子,(e) ZnO 和 ZnO:NADH 的电导率(ITO/ZnO 或 ZnO:NADH [0.02 mg/mL]/Ag )


通过 UPS 和 UV 可以计算出 Ec 、 Ev 和 WF ,如图 3c 所示。结果表明, NADH 修饰 ZnO 的 WF 由 4.34 eV 降至 4.17 eV 。ZnO 从 NADH 获得电子,增加了 ZnO 的电子密度,导致费米能级向上移动,同时也导致 NADH 表面带正电荷, ZnO 表面带负电荷(图 3d)。

因此,在 ZnO 和 NADH 的界面上形成了一个由 ZnO (负)到 NADH (正)的界面偶极子,导致 ZnO 表面的真空能级下移,最终使得 ZnO 的 WF 降低。而 WF 的降低减少了活性层和 ETL 之间的界面势垒,从而促进了电子的传输。

  • Figure 4. (a) ITO/ZnO 和 (b) ITO/ZnO:NADH ( 0.02 mg/mL )的水接触角,(c)-(g) ITO/ZnO 和 ITO/ZnO:NADH 的 AFM

为了比较各传输层的表面能和表面性质,测定了 ITO/ZnO 和 ITO/ZnO:NADH  (0.02 mg/mL) 膜的水接触角 (WCA)。如图 4a 和 b 所示, ITO/ZnO 的 WCA 为 56.5°,而 ITO/ZnO:NADH (0.02 mg/mL) 的 WCA 增加到 62.8°。WCA 的增加不仅有利于活性层的成膜,而且提高了活性层的结晶度。

图 4c 和 d 为 AFM 图, ITO/ZnO 和 ITO/ZnO/NADH 薄膜的均方根粗糙度 (RMS) 分别为 3.46 、3.25 、3.22 、3.29 和 3.34 nm。这是因为 NADH 填充了 ZnO 晶体中的空隙,使 ZnO 表面更光滑。但过量的 NADH 会在 ZnO 表面聚集,增加 ZnO 表面的粗糙度。粗糙度的降低有利于活性层的成膜,从而提高了 OSCs 的填充系数 (FF)。

  • Figure 5. (a) 太阳电池器件结构,(b) 太阳电池能带结构分布,(c) 以 PM6:Y6 为活性层的 OSCs J-V 曲线,(d) OSCs 对应的外量子效率( EQE )谱,(e) 不同 ETLs 下 OSCs 在黑暗中的 J-V 曲线

如表 1 和图 5c 所示,使用 ETL 时 ZnO、ZnO:NADH(0.01、0.02、0.1 和 0.2 mg/mL)的 J-V 曲线。ZnO ETL 器件的 PCE 为 15.55% (Jsc = 25.09 mA/cm², Voc = 0.83 V, FF = 74.52%)。经 NADH 修饰后,器件的最佳 PCE (ZnO:NADH) 达到 16.77% (Jsc = 26.37 mA/cm², Voc = 0.84 V, FF = 75.72%),高于纯 ZnO 基 ETL 器件

  • 图 6. (a) 光强对 Jsc 的变化曲线,(b) 光强对 Voc 的变化曲线,(c) ZnO 和 ZnO:NADH ETL 的 OSCs 的 Jph-Veff,(d) ITO/ZnO 或 ZnO:NADH/Y6 的 PL,(e) ZnO 和 ZnO:NADH ETL 的 OSCs 的 TPC 和 (f) TPV。

图 6e 显示了 PM6:Y6 作为活性层的器件的 TPC。ZnO ETL 器件的激子寿命为 1.55 µs。ZnO:NADH (0.01、0.02、0.1 和 0.2 mg/mL) ETL 器件的激子寿命分别降至 1.2、1.06、1.17 和 1.26 µs。这说明 NADH 修饰缩短了激子提取的时间,提高了激子提取的效率。图 6f 是 PM6:Y6 为活性层的器件的 TPV。ZnO ETL 器件的激子寿命为 2.68 ms。ZnO:NADH (0.01、0.02、0.1 和 0.2 mg/mL) ETL 的激子寿命分别提高到 3.05、3.47、3.15 和 2.78 ms。这表明 NADH 修饰抑制了器件的电荷重组,从而增加了器件激子的寿命。较长的激子寿命有利于提高 Jsc
  • 图 7. 以 ZnO 和 ZnO:NADH 作为 ETL 在光环境中存储的器件的 PCE 演化(平均寿命为 30 个器件)。
在光环境中老化 1000 小时后,ZnO ETL 器件的 PCE 保持在原始器件的 60% 左右。但使用 NADH 掺杂 ZnO ETL 后,器件的 PCE 仍能保持在原来的 80% 左右。这表明 NADH 可以提高器件在光环境中的稳定性。这是因为 NADH 通过与 ZnO 的相互作用减少了 ZnO 对活性层的腐蚀,从而提高了器件的稳定性。
  • 表 1. 以 ZnO 和 ZnO:NADH 为 ETL 的 OSCs 在 AM 1.5 G (100 mW cm-2)辐射下的性能。
  • 表 2. 总结了本工作中基于不同 ETL 的器件参数。
  • 表 3. 在 AM 1.5 G (100 mW cm⁻²) 辐照下,ZnO 和 ZnO:NADH ETLs 的 OSCs 基 PM6:L8-BO 活性层的性能。

论文信息

  • Application of a NADH-modified ZnO electron transport layer in high performance organic solar cells

    Hongye Li, Song Yang and Huangzhong Yu*

    J. Mater. Chem. C, 2024, 12, 17429-17438
    https://doi.org/10.1039/D4TC03144J

作者简介

李虹烨
华南理工大学

本文第一作者,华南理工大学物理与光电学院硕士毕业生。2021 年毕业于华南理工大学物理与光电学院并获得理学学士学位,在校期间获得优秀班干部和多次学校奖学金。2024 年毕业于华南理工大学物理与光电学院并获得理学硕士学位,并获得优秀毕业生荣誉。主要研究有机太阳能电池的界面改性等研究工作,目前以第一作者已经发表了 3 篇 SCI 论文。






於黄忠 教授
华南理工大学

本文通讯作者,教授,博士生导师。2002 年 6 月获华南师范大学硕士学位,2008年 6 月获华南理工大学博士学位,2002 年 7 月加入华南理工大学物理与光电学院。现主要从事新型界面层、光伏器件物理、柔性电极等方面的研究。以第一作者或通信作者在国内、外重要刊物 Advanced Energy Materials、Angewandte Chemie International Edition、ACS Energy Letters, Advanced Functional Materials 等发表科研论文 130 余篇,其中 ESI 高被引论文 7 篇。授权(或正在申请)的国家发明专利 30 余项。

期刊介绍

Materials with applications in optical, magnetic & electronic devices

rsc.li/materials-c

J. Mater. Chem. C

2-年影响因子*5.7
5-年影响因子*6.0
JCR 分区*Q1 物理-应用
Q2 材料科学-跨学科
CiteScore 分10.8
中位一审周期29 


Journal of Materials Chemistry ABC 报道材料化学各领域的高质量理论或实验研究工作。这三本期刊发表的论文侧重于报道对材料及其性质的新理解、材料的新应用以及材料合成的新方法。Journal of Materials Chemistry ABC 的区别在于所报道材料的不同预期用途。粗略的划分是,Journal of Materials Chemistry A 报道材料在能源和可持续性方面的应用,Journal of Materials Chemistry B 报道材料在生物学和医学方面的应用,Journal of Materials Chemistry C 报道材料在光学、磁学和电子设备方面的应用。

Editor-in-Chief

  • Natalie Stingelin
    🇺🇸 佐治亚理工学院

Associate editors
  • A. S. Achalkumar
    🇮🇳 印度理工学院古瓦哈提分校

  • Rachel Crespo-Otero
    🇬🇧 伦敦大学学院

  • Renaud Demadrille
    🇫🇷 格勒诺布尔跨学科研究所

  • Antonio Facchetti
    🇺🇸 佐治亚理工学院/西北大学

  • Unyong Jeong
    🇰🇷 浦项科技大学

  • Oana Jurchescu
    🇺🇸 威克森林大学

  • Mingzhu Li (李明珠)
    🇨🇳 中科院理化技术研究所

  • Martyn McLachlan
    🇬🇧 伦敦帝国理工学院

  • Kasper Moth-Poulsen
    🇪🇸 巴塞罗那材料科学研究所

  • Ana Flávia Nogueira
    🇧🇷 坎皮纳斯州立大学

  • Erin Ratcliff
    🇺🇸 亚利桑那大学

  • Yana Vaynzof
    🇩🇪 德累斯顿工业大学

  • Maia G. Vergniory
    🇩🇪 马普固体物理化学研究所

  • Zhiguo Xia (夏志国)
    🇨🇳 华南理工大学

  • Hao-Li Zhang (张浩力)
    🇨🇳 兰州大学

  • Ni Zhao (赵铌)
    🇨🇳🇭🇰 香港中文大学

* 2023 Journal Citation Reports (Clarivate, 2024)

 CiteScore 2023 by Elsevier
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