- 「SysPro电力电子技术」高阶成长知识星球的内容
2.2.1 SiC-MOSFET 和Si-IGBT 的导通特性 2.2.2 SiC/SI混合功率开关的导通特性 2.2.3 温度对导通特性的影响
2.3.1 SiC-MOSFET 和Si-IGBT 的开通特性 2.3.2 SiC/SI混合功率开关的关断特性 2.3.3 SiC MOSFET 电流分配比例和芯片面积
2.4.1. 混合开关优势 2.4.2. 混合开关理论分流特性 2.4.3. 混合开关额定电流计算 2.4.4. 不同MOSFET/IGBT配比下的混合开关电流分配特性 2.4.5. 结论
注: 本篇为第2章节内容摘要,详细完整内容会在知识星球发布(点击文末"阅读原文"了解)
以下内容为「SysPro电力电子技术」高阶成长知识星球
第一阶段 · 第2章 · 各子章节 · 引导文
完整解析在星球中发布02
SiC-Si混合功率器件特征详解
2.1 SiC-Si混合功率器件的4种拓扑
Si IGBT混合SiC SBD Si IGBT混合反向传导二极管与Si MOSFET Si IGBT混合Si MOSFET Si IGBT混合SiC MOSFET
2.2 导通特性
Si IGBT和SiC MOSFET因其不同的物理结构,具有不同的导通特性。SiC MOSFET导通特性更像一个电阻,而Si IGBT则表现出明显的拐点电压特性。
Si-IGBT:在高电流下具有较低的导通电阻,适用于高负载条件,但开关过程中可能产生较高损耗。 SiC-MOSFET:在低电流下具有优越的导通特性,导通电阻低,开关损耗小,适用于高频应用,且SiC材料的高热导率有助于提高散热性能。
2.3 开关特性
开关特性是混合开关损失的另一个主要来源,主要由栅极电阻和寄生电容决定。IGBT属于双极性器件,关断时存在拖尾电流,开关损耗较大;而SiC MOSFET具有更快的开关速度,无拖尾电流,开关损耗较小。
图片来源:SysPro电力电子技术
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2.4 混合开关优势与应用
混合开关结合了SiC MOSFET和Si IGBT的优点,在低电流时由MOSFET导通,高电流时由IGBT导通,从而在整个负载范围内实现较低的导通损耗。此外,通过优化门极驱动策略,可以实现Si IGBT的零电压关断,进一步降低开关损耗。
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2.2.1 SiC-MOSFET 和Si-IGBT 的导通特性 2.2.2 SiC/SI混合功率开关的导通特性 2.2.3 温度对导通特性的影响
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2.4.1. 混合开关优势 2.4.2. 混合开关理论分流特性 2.4.3. 混合开关额定电流计算 2.4.4. 不同MOSFET/IGBT配比下的混合开关电流分配特性 2.4.5. 结论
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2025年1月6日
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