- 本篇节选,完整内容在知识星球发布,欢迎学习、交流
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截止目前,我们对混碳功率半导体知识体系在器件级的构建已完成1/3,以下为这部分内容的引导文,供参考。|SysPro备注:以下目录来自于「SysPro电力电子技术」知识星球 · 专栏二:混合功率半导体技术方案解析。
2.1 SiC-Si混合功率器件的主流拓扑结构
SiC-Si混合功率器件有哪些主流拓扑结构? 每种拓扑结构的特点和优势是什么? ZVS技术如何降低开关损耗并带来其他好处?
2.2 SiC MOSFET与Si IGBT的导通特性
SiC MOSFET和Si IGBT的导通特性有何不同? 温度如何影响SiC MOSFET和Si IGBT的导通特性? 混合开关如何结合SiC MOSFET和Si IGBT的优势?
2.3 SiC MOSFET与Si IGBT的开关特性
SiC MOSFET和Si IGBT的开关特性有何不同? 混合开关的开通特性是怎样的? 寄生元件如何影响混合开关的开关波形和损失?
2.4 混合开关的电流分配特性
混合开关相比单一器件有何优势? 混合开关的理论分流特性是怎样的? 如何计算混合开关的额定电流?(考虑两者压降不匹配带来的电流偏差) 不同MOSFET/IGBT配比下混合开关的电流分配特性如何?
2.5 异步开关策略下的损耗优化
如何通过异步开关策略优化混合开关的损耗?(混合开关时序怎么定,开关损耗最小?) 不同开关时序的选择与开关模式有哪些? 不同开通延时和关断延时对混合开关的开通损耗和关断损耗有何影响?
2.6 同步开关中的驱动强度控制策略(上篇:开关过程详解)
同步开关策略下混合开关的开通过程和关断过程是怎样的? 如何通过电路图和方程量化开通过程和关断过程中各物理量之间的关系?(同时开、同时关的特性是怎样的?)
2.6 (续) 同步开关中的驱动强度控制策略(中篇:过流优化思路)
如何通过栅极电阻的选型与控制优化混合开关在高负载工况下的过流问题?(高负载器件容易发生过流) 不同栅极电阻对混合开关开通过程和关断过程有何影响? 实测数据如何支持栅极电阻优化策略的有效性?(实测数据中找规律,提供一些设计选型参考)
2.6 (续) 同步开关中的驱动强度控制策略下篇
2.9 损耗模型
3. 逆变器系统级混合SiC-Si应用的关键 (逆变器应用层级)
4. 控制策略与驱动方案的详解 (功能逻辑/特性的实现方法)
注: 本篇为节选,完整内容会在知识星球发布(点击文末"阅读原文")
以上内容为SysPro原创《混合SiC-Si功率半导体技术方案构建与实现》系列解读的专栏二的引导文,后续的完整解读内容、技术报告、公开方案资料、解析视频会在在知识星球「SysPro电力电子技术EE」中发布,欢迎进一步查阅、学习,希望有所帮助!注意!「SysPro电力电子技术」≠「SysPro系统工程智库」,文末有两者区别介绍。
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2025年1月16日
「SysPro 电力电子技术EE」知识星球全新上线
「SysPro 电力电子技术EE」是SysPro旗下一个专注于电动汽车电力电子技术领域的高阶成长社群,于2025年1月1日正式上线。第一期会聚焦先进功率半导体技术方案,以此为主线把功率这一侧内容理顺。此后,会专注其他例如主控芯片、电源架构、通讯架构、物理采样等。总之,一些前瞻有价值的技术方案都会有所涉及,重点从功能视角对电力电子技术知识体系进行构建。 图片来源:英飞凌
SysPro的两个星球内容说明 特别需要说明是:SysPro目前有两个知识体系构建社群,一个是「SysPro系统工程智库」, 一个是「SysPro 电力电子技术EE」,内容框架如下图。
「SysPro 电力电子技术EE」专注于电力电子方向,会侧重在实现方面进行深入解读,完整的技术报告、前瞻技术方案资料、datasheet解读、应用指南解读会等内容会在这里发布。我们投入了很多的资源在其中,因此定价相对较高,对专业技能要求也更高,建议在这个专业方向的朋友考虑。 「SysPro系统工程智库」的会员朋友也别担心,除了动力系统领域15个专栏内容在,同样也会涉及电力电子的内容,在<电力电子>专栏中发布。会对这个领域最新技术方向做解释,但不会深入到实现层面,部分的技术报告、前瞻技术方案资料也会在这里发布。相比「SysPro电力电子技术」范围会小,两星球在电力电子内容构建的具体差异在下图做了说明。 大家根据自己的实际情况选择即可。
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一个面向新能源汽车领域的知识库, 用系统工程,构建从底层技术到终端产品的知识体系, 用系统思维,探讨人生哲学;以终为始,坚持成长。 点击「阅读原文」,加入SysPro系统工程智库 如果觉得不错,欢迎推荐给身边的人
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