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百位数量级位错密度缺陷碳化硅单晶衬底即将来临

文摘 2024-01-30 10:25 山东

碳化硅单晶中一维位错缺陷包括：螺位错（TSD）、刃位错(TED)、基平面位错(BPD)以及混合位错(MD)。随着优化迭代的进展，碳化硅单晶衬底中总位错密度将很快迈入到百位数量级ea/cm2水平。

http://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzIyOTY1MTE4Ng==&mid=2247484712&idx=2&sn=d20ad1227530cd98db30dc8cf236d7b0

碳化硅SiC半导体材料

传播碳化硅（sic）半导体材料产业链的新闻资讯最新动态。聚焦碳化硅半导体材料的热点问题。推广碳化硅（sic）半导体材料及相关材料的制备与应用。

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