贺利氏新一代无银AMB，引领功率模块陶瓷基板材料变革

科技 2024-11-06 15:01 广东

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近期，贺利氏电子在PCIM Asia 2024展会推出新一代无银AMB，针对行业挑战和市场需求进行了创新突破。该产品在生产工艺、质量控制和成本管控方面取得显著成效，为市场拓展打下坚实基础。

本文将围绕贺利氏电子的新一代无银AMB从创新技术、市场表现到未来展望等多个角度探讨其在功率模块材料变革中的重要作用。

贺利氏电子无银AMB的创新与突破

在IGBT/SiC功率模块中，陶瓷基板的作用举足轻重。它不仅为功率模块提供了良好的电气绝缘和散热性能，还直接影响着整个模块的可靠性和稳定性。其中，AMB陶瓷基板凭借其出色的性能优势，正在众多领域逐步替代DBC陶瓷基板。

在PCIM Asia 2024这一行业盛会上，贺利氏电子重磅推出无银AMB。通过变更钎料体系、改良生产工艺，并应用新的工艺流程，在确保产品高质量的前提下，成功降低了成本，大幅提高了良率及生产效率。新一代无银AMB展现出高质量、极具竞争力的价格、本土化生产服务以及快速响应的能力。

据贺利氏电子透露，为了更好地服务本土客户，该公司在常熟精心布局了新的AMB工厂。目前，无银AMB正在积极进行前期认证，一旦常熟工厂实现量产，将有望与更多企业展开深入合作，共同推动功率模块行业的发展。

国内AMB-Si3N4陶瓷基板的挑战与机遇

目前国内AMB产能过剩，导致订单不足和投资回收周期长，短期内成本难以明显下降。尽管市场增长和劣质产能淘汰有望平衡，但由于AMB仍为投资热点，平衡时间可能延长。

AMB对质量要求极高，生产商在原料管控、工艺和质量控制上需投入大量成本，主要来自原材料采购、复杂制备工艺和高精度设备。降低成本已成为推动AMB基板大规模应用的首要任务。随着技术进步和产业规模扩大，通过优化生产流程和提高原材料利用率，降低成本并非遥不可及。

贺利氏电子指出，陶瓷材料的高硬度和脆性使得AMB基板加工面临挑战，需要技术和精密设备以确保加工准确性。从切割到表面处理，每个环节都需严格工艺控制，否则易导致瑕疵。AMB基板在热膨胀系数匹配、焊接工艺控制、界面空洞、原料表面质量、焊料印刷质量等方面面临技术挑战。陶瓷与金属的热膨胀系数差异可能导致基板翘曲，影响其可靠性。活性金属钎焊对焊接温度和时间的精确控制至关重要。原料表面的微小缺陷以及焊料印刷的不均匀，均增加了空洞风险。此外，AMB的定制化产品特性使得表面线路蚀刻要求苛刻。

目前，为应对这些技术难题，科研人员和企业正积极探索解决方案，研究材料特性、优化工艺参数、提高设备精度，并加强质量控制，逐步推动AMB-Si₃N₄陶瓷基板技术向前发展。

贺利氏电子AMB的市场表现与未来展望

在当今的电子世界中，功率模块的性能和可靠性至关重要。而散热能力，无疑是其中的核心要素。贺利氏电子的AMB在这一领域展现出了卓越的表现，在国内外市场得到广泛应用，并与众多知名品牌主机厂紧密合作，在SiC模块领域占据了较高的市场份额。

AMB基板在主驱级功率模块中具有显著的散热优势。通常，AMB基板采用氮化硅（Si₃N₄）或氮化铝（AlN）作为陶瓷材料，其热导率远高于传统的氧化铝（Al₂O₃）。例如，Si₃N₄ AMB热导率可超过80 W/m·K，AlN AMB更是超过170 W/m·K，而Al₂O₃ DBC仅约24 W/m·K。这使得AMB基板能更高效地散发热量，尤其在高温大功率环境中优势突出。

除了热导率，AMB基板的键合技术和耐高温性能同样卓越。使用活性金属焊料，可在较低温度下实现铜箔与陶瓷基片的高强度键合，提升结构完整性和耐久性。活性金属焊料在900-1000°C下实现键合，使基板具备良好的耐高温性能，能够在高温环境中稳定工作。

同时，AMB基板的低热膨胀系数与硅芯片相近，有效减少因温度变化引起的热应力，从而提高封装可靠性。此外，厚铜层的应用使AMB基板具备高载流能力，完美适配高功率、大电流应用场景。

作为AMB领域的创新者，贺利氏电子不仅注重无银AMB的应用，还积极探索众多AMB相关的孵化项目。通过加大研发投入，力求在中国实现研发、生产、服务一体化。同时，在保证产品质量的基础上，考虑部分国产化的供应链策略，以更好地适应中国市场的需求。

目前，新能源汽车领域已成为AMB的最大市场，贺利氏电子对此充满信心。凭借持续的研发能力、本土化的运营体系，以及稳定的产品质量，贺利氏电子将继续与客户携手共进，在国内市场保持竞争优势，为电子行业的发展贡献更多力量。

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