氮化镓行业最近很是热闹，英飞凌宣布实现了12吋晶圆突破（.点这里.）；近日，国内外多家GaN也传来了项目、研发等新动态：
● 冠鼎半导体：投资1.055亿人民币，推进第三代氮化镓功率半导体生产新建项目。
● 华通芯电：旗下封装产线正式通线，专注于氮化镓射频功率器件模组的封装与测试。
● 新镓能半导体：氮化镓功率芯片项目签约落户无锡惠山。
● 荣盛晶科技：举行金刚石及氮化镓材料产业基地投产仪式，总投资高达35.5亿元人民币。
● 韩国Waybroad ：计划量产GaN功率外延片，主要用于制造高频高功率无线通信系统的功率放大器。
● 韩国Yutaka：计划在下半年与日本DOWA电子合作，为韩国工业界提供本土化GaN晶圆。
现如今，GaN正逐步进入爆发期，上下游厂商均在积极布局、导入GaN产品与技术；为了加速推进GaN技术的规模化应用，行家说三代半将联合能华半导体等众多GaN领军企业共同制作《2024氮化镓（GaN）产业调研白皮书》，我们也期待更多GaN领域的行家企业参与编写，共同推进氮化镓半导体产业发展，了解更多详情请扫描海报二维码。
冠鼎半导体：
新建GaN项目
9月9日，江门市生态环境局发布了“冠鼎半导体第三代氮化镓功率半导体生产新建项目”的环评文件受理公告。
公告披露，冠鼎半导体正在推进第三代氮化镓（GaN）功率半导体生产新建项目，该项目位于广东省江门市新会区崖门镇，项目总投资额为1.055亿元，其中环保投资占50万元，施工工期预计为2个月，目前尚未开始建设。
项目计划年加工第三代氮化镓功率半导体1500万件，主要生产设施包括万级洁净室和十万级洁净室，将配备固晶机、焊线机、离子清洗机等关键设备。
据“行家说三代半”此前报道，2023年8月，冠鼎半导体举行了第三代半导体封测工厂动工仪式；同年12月，该公司举行了“氮化镓功率半导体生产建设项目竣工投产仪式”。故此次项目应为扩产项目。
资料显示，冠鼎半导体成立于2023年8月，为江门市鼎翔电子科技有限公司全资子公司。鼎翔电子成立于2012年6月，是一家集半导体封装材料开发设计制造及方案解决为一体的，专业从事发光二极管(LED)引线框架、塑封三极管引线框架和精密电子元器件生产的工厂。
华通芯电：
GaN封装产线正式通线
据华通芯电官微8月23日消息，日前，华通芯电(南昌)电子科技有限公司宣布其封装产线正式通线，该产线专注于氮化镓射频功率器件模组和硅基射频功率器件模组的封装与测试，将为无线通信、汽车电子等高端工业领域的关键部件国产自主可控贡献重要力量。
据悉，自正式通线以来，华通芯电已成功开发出300W和700W的微波射频器件模组，并计划年内完成3000支的出货量。目前，产线内的全自动共晶机、全自动粘片机、全自动键合机正稳定、高效运转。
资料显示，华通芯电成立于2022年3月，专注于「第二代」与「第三代」半导体新世代整合制造服务公司,并结合集团半导体产业生态，包含硅基厂、集成电路设计公司、封装测试公司、设计平台和通路策略伙伴，整合关键技术并形成一个生态产业链。
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新镓能半导体：
氮化镓项目落户无锡惠山
9月6日，据“无锡惠山发布”官微，无锡市惠山区启动了名为“宏光”行动的计划，旨在通过5到8年的时间，形成一个以光子制造为核心的产业集群，目前该基地已引入了包括“氮化镓功率芯片项目”在内的多个产业项目：
据报道，该项目由厦门新镓能半导体科技有限公司投资建设，该公司成立于2024年4月，实际控制人为新加坡半导体公司GAENER SEMICONDUCTOR PTE. LTD.，持股比例约为62.33%。但目前，该项目还未披露更多信息，“行家说三代半”将持续关注。
关于宏光光电子产业基地，该项目预计总投资30亿元，注册资本5亿元，规划用地约120亩，计划建设12.8万平方米的工业厂房及相关配套设施。基地将专注于光子制造的核心功能部件和光子极端制造设备，预计到2027年产业规模将达到20亿元，到2030年将有不少于25家企业入驻，形成百亿级的产业集群。
荣盛晶科技：
氮化镓材料产业基地投产
据大河网9月10日消息，荣盛晶创新材料科技有限公司在郑州举行了金刚石产业基地的投产仪式，这标志着该公司在金刚石及氮化镓（GaN）等泛半导体功能材料的生产上迈出了重要一步。
据介绍，该产业基地的总投资高达35.5亿元人民币，分为两期建设。其中，一期工程已经启动，投资额为14.2亿元，旨在建设年产两百克拉高品质CVD金刚石功能材料的制备基地；二期工程计划投资21.3亿元，将主要聚焦于金刚石和氮化镓等泛半导体材料的产业园区建设。
资料显示，荣盛集团总部位于美国，专注于MPCVD大尺寸金刚石的工业化生产和多领域应用，其产品覆盖了从原料生产到多领域应用产品的设计制造，再到线上线下零售品牌的全产业链。
韩国Waveroad：
计划量产GaN功率外延片
9月9日，据韩媒消息，韩国GaN初创公司Waveroad宣布，他们计划在韩国本土首次量产用于民间和国防领域的高频高功率无线通信系统的功率放大器所需的GaN外延片。
据介绍，Waveroad最近开发的新产品的厚度比海外竞争对手的产品薄四倍以上，因此性能和散热特性更优越，生产效率也提高了20%以上。
具体来看，Waveroad计划在明年上半年完成4英寸和6英寸高频高功率无线通信系统的功率放大器用外延片的开发并开始量产。此外，基于最近获得的6英寸开关用高功率GaN功率半导体外延片技术，公司计划在明年年底前完成8英寸外延片的技术发展。
未来，为了提高GaN功率半导体的性能和质量，Waveroad还计划开发自己的工程化衬底作为独家解决方案。
资料显示，Waveroad的代表宋俊昊（Song Joon-oh）在获得GaN材料和器件领域的硕士和博士学位后，曾在一家大型企业领导相关业务部门，并于2019年创立了这家公司。
韩国Yutaka：
即将批量供货GaN晶圆
9月9日，据韩媒报道，韩国半导体企业Yutaka将与日本DOWA电子展开合作，下半年在韩国市场供应自主开发的氮化镓晶圆，旨在成为韩国最可靠的GaN晶圆供应商。
据悉，Yutaka的合作对象DOWA电子是DOWA集团的子公司，专注于电子材料的生产，包括GaN外延片、半导体材料、电子材料和功能材料；双方将合作推出GaN外延片。
目前，Yutaka还在根据客户需求开发高频射频器件的晶圆，以及进行6英寸GaN on SiC外延片项目。
Yutaka业务本部长韩相民表示，公司将利用DOWA电子的丰富的外延生产经验和业务稳定性，与功率半导体器件、IC代工厂和代工企业合作，推动GaN产品开发和生产稳定化。
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