8月21日，江苏通用半导体有限公司宣布，由他们自主研发的8英寸碳化硅晶锭激光全自动剥离设备正式交付并投产。
据介绍，这一设备能够实现6英寸和8英寸碳化硅晶锭的全自动分片，年产能达到20000片碳化硅衬底，良率达到95%以上，与传统的线切割工艺相比，大幅降低了产品损耗，并且设备售价仅为国外同类产品的1/3。
“行家说三代半”了解到，7月12日，通用半导体利用该设备成功实现剥离出130um厚度超薄SiC晶圆片；而在去年12月，该公司SiC晶锭8英寸剥离产线正式交付客户。
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众所周知，目前碳化硅衬底的加工成薄圆片主要采用传统的多线切割技术，但这种技术加工效率低、环境负担重、材料损耗大，加工过程的材料损耗率高达50%以上，导致晶片成本高，衬底昂贵，难以大规模应用。
而激光剥离技术的核心是利用激光脉冲在晶锭内部预设深度形成碳化硅的非晶化破坏层，再借助外力作用，使晶片从非晶化层处分离，从而获得目标厚度的晶片。
通用半导体董事长陶为银曾介绍，采用基于激光工具和加工技术切割、剥离碳化硅晶锭，可实现高效、精确和高质量的制造，极大地降低碳化硅衬底的生产成本，减少浪费和环境影响。
根据《2024碳化硅（SiC）产业调研白皮书》阶段性调研成果，如果改用激光剥离技术，总材料损耗率可降至30%-50%左右（视晶锭类型而定）。
但目前，激光剥离技术尚未大规模导入量产线，我们也需要越来越多像通用半导体这样的国产企业，协同上下游将激光剥离技术应用于碳化硅衬底的量产，为碳化硅产业带来轻资产、高效益的新模式，进一步降低碳化硅器件成本，推动碳化硅器件在更广领域的应用。
“行家说三代半”在此诚挚邀请更多的SiC领域行家企业共同编写《白皮书》，现合盛新材料、芯聚能、安海半导体、三安半导体、烁科晶体、天岳先进、恒普技术、华卓精科、快克芯装备、青禾晶元、东尼电子、科友半导体、长联半导体、致领半导体、奥亿达新材料、瑞霏光电、才道精密、亿值旺、纯水一号、中科光智、中电化合物、森国科、清软微视、士兰微、清连科技等均已正式参编，了解更多详情请扫描海报二维码。
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