近日，行业内又有多个SiC项目迎新进展：
● 林众电子：智能质造中心项目竣工验收，将新增2000万只IGBT及碳化硅模块产能。
● 天科合达：投资5.2亿元建设半导体设备产业化基地项目。
● Resonac：新建SiC衬底产线，已举行开工仪式。
● 长飞先进：武汉基地主楼全面封顶，预计明年6月实现量产通线。
● 安力科技：第三代半导体及大硅片衬底研磨液项目投产，总投资3000万元。
● 贝和科技：碳化硅上游核心材料与工艺产业化项目正式落户金阳智中心。
● 佛山三水：引入超高纯等静压石墨材料产业化核心工序项目，总投资20亿元。
林众电子：
IGBT/SiC项目竣工
7月16日，据中建八局总承包公司官微消息，位于上海市松江区车墩镇的上海林众电子智能质造中心项目顺利通过竣工验收，项目主要生产IGBT及碳化硅功率半导体模块。
据悉，该项目由中建八局总承包公司承建，总建筑面积达到5.63万平方米，包括生产厂房、办公与宿舍楼及配套设施；开工192天内完成了洁净厂房主体结构验收，项目预计将新增2000万只IGBT及碳化硅功率半导体模块的年生产能力。
资料显示，林众电子是一家在功率半导体领域具有专业研发、生产和销售能力的高科技企业，专注于为工业自动化、新能源汽车和可再生能源等行业提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。公司采用先进的碳化硅等半导体材料，并通过创新设计和智能制造技术，确保产品性能卓越和生产高效。
天科合达：
建设半导体设备产业化基地项目
9月13日，据“盛京云谷”官微消息，天科合达近日在辽宁省沈阳市北方芯谷新建区成功摘得第一块工业用地，计划投资5.2亿元用于建设半导体设备产业化基地。
据介绍，天科合达在新建区的地块上计划建设的包括第三代半导体碳化硅单晶生长炉、高温CVD真空炉等关键设备的研发制造基地，以及半导体设备高温零部件碳化物涂层等终端产品的生产基地，预计将在明年初开始建设，并有望在同年年底前投入使用。
天科合达近来在碳化硅领域动作不断，一个月前，其位于北京大兴新城东南片区的SiC衬底产业化基地二期项目已通过环评审批，计划新建6-8英寸碳化硅衬底生产线及研发中心，以及相关配套设施，投产后将实现年产约37.1万片导电型碳化硅衬底，其中6英寸导电型碳化硅衬底23.6万片，8英寸导电型碳化硅衬底13.5万片。
Resonac：
新建SiC衬底产线
今天（9月13日），Resonac（原昭和电工）官网宣布，公司在日本山形县东根市工厂内，新建了一条专门生产SiC衬底的产线，并于9月12日举行了开工仪式。
据悉，该项目是实现日本经济产业省基于经济安全保障推进法认定的特定重要物资（SiC晶圆）供应保障计划的一部分，新设施建筑面积约为5832平方米，预计竣工时间为2025年第三季度。
据“行家说三代半”此前报道，Resonac于去年6月通过了日本政府的补助认证，最高可获约103亿日元（约5.2亿元人民币）补助金，用于扩充SiC衬底和外延产能；而Resonac预计将投资309亿日元（约15.62亿人民币）升级旗下4个SiC工厂。
Resonac的SiC衬底预计2027年4月实现供应，年产能为11.7万片/年（折合6英寸计算）；SiC外延片预计2027年5月实现供应，年产能为28.8万片/年（折合6英寸计算）。
长飞先进：
武汉基地主楼全面封顶
9月10日，据长飞先进官微消息，长飞先进武汉基地主楼已全面封顶，包括晶圆厂、封测厂、外延厂、宿舍区、综合楼。10月开始，长飞先进武汉基地将迎来首批设备搬入的重要节点，并于明年6月实现量产通线。
据悉，长飞先进武汉基地聚焦第三代半导体功率器件研发与生产，致力于打造一个集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。
项目总投资预计超过200亿元，占地面积约22.94万平方米，建筑面积约30.15万平方米，主要建设内容包括晶圆制造厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等。
长飞先进表示，武汉基地是公司发展战略中至关重要的一环。项目投产后，可年产36万片碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块，广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩等领域。
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安力科技：
研磨液项目投产
据张家港保税区官微消息，8月28日，安力科技（苏州）有限公司落成仪式在保税区泛半导体产业园举行。
据悉，安力科技致力于成为中国领先的半导体衬底抛光材料供应商，项目总投资3000万元，项目建成后可实现年产7800吨第三代半导体及大硅片衬底研磨液，满产后预计年销售超1亿元。
“行家说三代半”了解到，该项目由安力科技和日星产业株式会社合资建设，日星产业株式会社社长毛利明弘表示，新工厂的落成投资标志着公司正式进入半导体功率器件领域，将珍视与中国半导体功率器件制造商的接触，准确获取市场信息，积极开拓中国及国际市场。
贝和科技：
CMP抛光液项目签约
据“金阳投资集团”消息，9月10日，金阳投资集团子公司汇远实业与长沙贝和科技有限公司举行签约仪式，新一代半导体碳化硅上游核心材料与工艺产业化项目正式落户金阳智中心。
据介绍，该项目的核心产品包括纳米级抛光磨粒和电子级CMP抛光液，目前已设立中试产线，完成产品验证，可快速转化落地。贝和科技的产品在性能上可与国际竞品相媲美，且生产成本较低，完全可替代进口产品。预计项目达产后产值将不低于1亿元人民币。
资料显示，湖南金阳投资集团是一家国有独资企业，专注于城市资源运营和产业发展服务；贝和科技则深耕半导体领域近20年，致力于破解CMP材料的技术难题。
佛山三水：
引入石墨耗材项目
据“三水发布”公众号消息，9月9日，超高纯等静压石墨材料产业化核心工序项目在佛山签约，项目落户佛山三水乐平。目前设备已经进场，实现签约即投产。
据悉，该项目计划总投资20亿元，固定资产投资10亿元，预计达产后终端产品年产值约15亿元。项目主要终端产品有超高纯等静压石墨材料及精密加工半导体级超高纯制品，主要应用于宽禁带半导体（SiC）、硅基半导体，属于半导体产业的重要环节。
但目前该项目暂无更多信息披露，“行家说三代半”将持续关注。
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