晶圆减薄决定了晶圆的厚度。经过前端工艺后通过晶圆测试的晶圆将进入后端工艺，后端工艺从晶圆背面研磨开始。晶圆背面研磨是将晶圆背面磨薄的步骤。晶圆背面研磨或晶圆减薄工艺是半导体制造中的关键步骤，因为它可以减小晶圆的厚度，从而改善最终器件的性能和外形尺寸。
一般晶圆制造之后的厚度如表1所示，为了缩小封装体积，必须对这种较厚的晶圆进行减薄处理。
表1 晶圆尺寸
晶圆减薄对于芯片来说还有以下好处：
1）散热效率将显著提升。随着芯片结构越来越复杂，集成度越来越高，晶体管数量急剧增加，散热逐渐成为影响芯片性能和寿命的关键因素。芯片越薄，对散热越有利。
2）缩小芯片封装尺寸，微电子产品日益向轻、薄、小方向发展，因此厚度的减小也使芯片封装尺寸相应减小。
3）降低芯片内应力。芯片厚度越厚，由于芯片工作过程中产生的热量，在芯片背面会产生内应力。芯片发热量增大，材料各层之间的热差增大，使芯片内应力增大，内应力过大导致芯片开裂。
4）提高电气性能。晶圆厚度越薄，接地平面与背面镀金越接近，器件的高频性能越好。当然硅衬底越薄，硅衬底部分的电阻就越小，从而器件导通状态下总的导通电阻就越低，这样一来器件自身的电压降与功率损耗就越小。
5）利于划片。
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