在新能源、5G、光伏等下游领域驱动下，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体产业正高速发展。半导体大厂积极布局，与此同时，各国也正加大补贴力度推动第三代半导体产业持续向前迈进，美国是其中之一。
近期，美国商务部宣布，已与德国汽车零部件供应商博世达成初步协议，美国计划向博世位于加州的晶圆厂改造项目提供2.25亿美元直接资金和 3.5 亿美元贷款，以助力博世在加州生产碳化硅功率半导体。
资料显示，2023年博世收购了TSI Semiconductors，取得了后者位于加州罗斯维尔的8英寸晶圆厂所有权，计划耗资19亿美元将该晶圆厂改造为碳化硅生产设施，目标2026年投产。美国商务部表示，博世在加州的半导体厂预计将在产能全开时占据全美碳化硅芯片制造产能超过40%的比重。
博世表示，碳化硅有助于在电动汽车和插电式混合动力汽车中实现更大的续航里程和更高效的充电，从而为消费者提供负担得起的电动汽车选择。
据悉，除了直接资金和贷款之外，博世还计划向美国财政部申请相当于合格资本支出额25%的先进制造投资抵免。
12月初，格芯官网消息，该公司又获得了美国950万美元资助，用于推进其位于美国佛蒙特州埃塞克斯交界的工厂的硅基氮化镓半导体的生产。
获得上述资金之后，格芯将继续为其氮化镓IP产品组合和可靠性测试增加新的工具、设备和原型开发能力，其将更接近在佛蒙特州全面制造8英寸氮化镓芯片。
据媒体报道，自2020年以来，格芯已从美国获得了高额资金，用于支持研究、开发和全面制造氮化镓芯片。其中，2023年10月，格芯宣布获得美国政府提供的3500万美元联邦资金。
业务进展上，今年7月，格芯收购了Tagore Technology的氮化镓功率产品组合，并在印度加尔各答创建了功率中心。该中心与格芯位于佛蒙特州的工厂密切配合并为其提供支持，有助于推动格芯在氮化镓芯片制造领域的研发和量产。
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