据韩媒BusinessKorea报道，半导体存储大厂三星电子已完成400层NAND技术研发，并开始导入产线。
报道称，三星电子已在其半导体研究所成功完成了400层NAND技术的开发，并已于上月开始将这项先进技术转移到平泽园区一号工厂的大规模生产线上。
业界认为，这一突破将使三星处于NAND闪存技术的前沿，并准备与其他存储厂商展开竞争。
三星电子计划于明年2月在2025年国际固态电路会议 (ISSCC) 上详细介绍其1Tb容量400层堆叠TLC NAND Flash快闪存储器。至于量产时间，报道称，三星400层NAND产品将于明年下半年开始。不过，有业内人士指出，如果加快生产速度，可能在第二季度末就开始量产。
三星为400层NAND引入了“三层堆叠”技术。报道称，三星400层NAND Flash快闪存储器的成功研发，代表着NAND闪存技术的重大飞跃，该技术涉及将存储单元堆叠在三层，也标志着三星电子在该领域的重大进步。
除了技术研发取得重大进展外，三星电子还计划在2025年增加其先进存储器产品线的产量。包括在平泽园区安装新第9代（286层堆叠）的NAND Flash快闪存储器生产设施，月产能为3万-4万片晶圆。
此外，三星还计划在中国西安工厂，继续将128层堆叠（V6）NAND Flash快闪存储器生产线，转换为236层堆叠（V8）NAND Flash快闪存储器产品制程。
众所周知，三星是全球最大的NAND Flash品牌厂商。全球市场研究机构TrendForce集邦咨询最新数据显示，今年第三季度，全球NAND Flash产业整体营收达176亿美元，其中，排名第一的三星营收为62亿美元。
集邦咨询分析三星第三季营收指出，由于企业级SSD表现受北美需求的持续支持，手机用产品出货量则出现下滑，三星第三季出货位元季减5%。但其ASP较前一季增加，因此其营收保持与第二季持平。
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