近日，全球半导体硅片大厂环球晶和汽车零部件供应商博世均宣布，获得美国芯片法案的巨额补贴。该项补贴将分别用于12英寸先进制程硅晶圆制造厂及8英寸碳化硅晶圆厂的扩产。
据全球半导体观察不完全统计，美国政府在近两个月内就接连宣布了11笔芯片补贴计划，补贴金额总计约达230亿美元，涉及企业除了上述环球晶和博世外，还包括美光、Coherent、Skywater Technology、X-Fab、Absolics、Entegris、英特尔、格芯、台积电。
环球晶获4.06亿美元补助，用于12英寸先进制程硅晶圆等扩产
12月18日，半导体硅晶圆厂环球晶（GlobalWafers）宣布，其美国子公司GlobalWafers America（GWA）及MEMC LLC（MEMC）已获美国芯片法案高达4.06亿美元的直接补助。
这笔资金将用于支持环球晶在美国德州谢尔曼市及密苏里州圣彼得斯市的先进半导体晶圆厂投资计划，预计总投资额将达到40亿美元。环球晶表示，此次补助将对其在美国的扩产计划起到至关重要的推动作用。GWA将于2025年上半年成为美国首座量产12英寸先进制程硅晶圆的制造厂，而MEMC则计划在同一时间段内开始生产12英寸绝缘层上覆硅（SOI）晶圆。
除了直接补助外，环球晶还将申请美国财政部的先进制造业投资税收抵免。根据该政策，GWA和MEMC厂区符合资格的支出可获得最高25%的税赋抵免。此外，芯片法案还提供了600万美元的直接补助金，专门用于强化GWA的劳动力发展计划，以提升员工技能和促进就业增长。
博世获2.25亿美元补贴，用于加州8英寸碳化硅厂房建设
近日，美国商务部表示，已与德国汽车零部件供应商博世（Bosch）达成初步协议，将为博世在加州的碳化硅功率半导体工厂兴建计划，提供多达2.25亿美元（约16.38亿人民币）的补贴。
据悉，美国商务部将以这笔补贴支持博世将在加州罗斯维尔市（Roseville）投资19亿美元（约138.33亿人民币），把制造设施转型为生产碳化硅功率半导体工厂的计划。博世预期，这座半导体工厂2026年起将以200毫米（8英寸）晶圆生产芯片。美国商务部称，博世这座工厂产能全开时，在全美碳化硅芯片制造产能中的占比将超过40%。
碳化硅产业竞争激烈，多家大厂纷纷表示有望在今年年底开始至明年正式迈入8英寸时代。
Wolfspeed方面，今年6月Wolfspeed曾表示，其位于美国纽约的莫霍克谷8英寸碳化硅晶圆工厂的利用率达到了20%。
意法半导体则计划在2025年将碳化硅产品全面升级为8英寸，目前8英寸碳化硅芯片产线正在安装调试中，预计2025年完成阶段性建设并逐步投产。
英飞凌则在今年8月宣布其位于马来西亚居林的8英寸碳化硅功率半导体晶圆厂一期项目正式启动运营，预计2025年可实现规模量产。
安森美位于韩国富川的碳化硅晶圆厂已于2023年完成扩建，计划于2025年完成相关技术验证后过渡到8英寸生产，届时产能将扩大到当前规模的10倍。
罗姆在日本福冈县筑后工厂的碳化硅新厂房已于2022年开始量产6英寸晶圆，后续将切换为8英寸晶圆产线。按照罗姆的规划，其预计在2025年量产8英寸碳化硅晶圆。
三菱电机方面，其位于熊本县正在建设的8英寸碳化硅晶圆厂将提前开始运营。该工厂的运作日期将从2026年4月变更为2025年11月。
国内企业中，士兰微8英寸碳化硅功率器件项目已进入土方工程收尾阶段，一期项目预计将于2025年三季度末初步通线，四季度试生产；芯联集成拥有一条8英寸碳化硅晶圆试验线，其8英寸碳化硅晶圆工程批已于今年4月20日下线，计划今年四季度正式开始向客户送样，2025年进入规模量产；方正微电子当前有两个Fab，其中，Fab2的8英寸碳化硅晶圆生产线预计将于2024年底通线。
美光获美补贴61.65亿美元，加强尖端DRAM供应能力
12月10日，美国商务部宣布向美国存储芯片大厂美光科技提供高达61.65亿美元的直接资金资助，以支持美光科技未来20年内在纽约州投资1000亿美元和在爱达荷州投资250亿美元的产能建设计划，并将帮助其在先进存储制造领域的份额从目前的不到2%提高到2035年的约10%。
据悉，商务部将根据美光项目里程碑的完成情况发放资金。此外，美国还宣布，商务部已与美光科技签署了一份不具约束力的初步条款备忘录 (PMT)，拟拨款高达2.75亿美元，用于支持美光扩建和现代化位于弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂。
美国商务部表示，这项投资将通过加强国内尖端DRAM芯片的可靠供应，来帮助增强美国经济的韧性，上述国内尖端DRAM芯片是个人计算、工业、高性能计算、汽车、工业、无线通信和人工智能等先进技术的重要组成部分。另外美光的DRAM芯片还为该公司的高性能内存（HBM）提供动力，这对于实现新的AI模型至关重要。利用这笔资金，美光计划在纽约和爱达荷州扩大最先进内存半导体技术的开发和生产，并承诺在2030年前投入约500亿美元。
厂房建设的进一步细节也随之披露，拟议项目将包括把美光的1-alpha技术引入其马纳萨斯工厂，并显著提高每月晶圆产量。公开资料显示，美光的1-alpha节点是一种先进的DRAM工艺技术，在位密度、功率效率和性能方面都有显著的改进。
Coherent建6英寸InP生产线，获3300万美元补贴
12月6日，美国宣布将向Coherent提供高达3300万美元的拟议直接补贴资金，该笔资金用于该公司在德克萨斯州谢尔曼现有的?700,000 平方英尺工厂的现代化和扩建，通过增加先进的晶圆制造设备来大规模生产磷化铟（InP）器件，从而建立世界上第一条 150 毫米 InP 生产线。
Skywater Technology获1600万美元补贴，提高30%晶圆产能
12月6日，美国宣布将向SkyWater提供高达1600万美元的拟议直接补贴资金，以支持其位于明尼苏达州布卢明顿的现有设施的现代化改造，通过更换设备、升级设施的洁净室和空间以及 IT 系统来提高生产和晶圆服务的质量，并将90纳米和130纳米晶圆的整体产能提高约30%。
X-Fab获5000万美元补贴，X-Fab 碳化硅代工厂开展扩产
12月6日，美国宣布将向X-Fab提供高达5000万美元的拟议直接补贴资金，将支持X-Fab 碳化硅（SiC）代工厂的扩建和现代化改造。据悉这是美国唯一的大批量SiC代工工厂。
Absolics获7500万美元补贴，新建工厂开发先进封装基板技术
12月5日，美国宣布将向韩国SKC的子公司Absolics 提供高达7500万美元的直接补贴资金。该补贴将用于Absolics在美国佐治亚州科文顿建造一座120,000平方英尺的工厂，以及开发用于半导体先进封装的基板技术。
Entegris获7700万美元补贴，扩产芯片制造用关键产品
12月5日，美国宣布将向Entegris 提供高达7700万美元的直接补贴资金。该笔补贴将用于Entegris为尖端芯片生产提供关键的半导体供应链和制造设备材料，并支持 Entegris 在科罗拉多州科罗拉多斯普林斯建造其最先进的制造中心。
公开资料显示，Entegris的制造中心计划于2025年开始初步商业运营，最初将支持液体过滤产品以及前开式统一吊舱 (FOUP) 的生产。FOUP是高度专业化的容器，可在制造过程中处理和运输半导体晶圆时保护它们。其客户群涵盖英特尔、台积电、美光（Micron）及格罗方德等主要芯片制造厂商。
英特尔获78.6亿美元补贴用于先进制造和先进封装厂房建设
11月26日，美国商务部声明将为英特尔的商业半导体制造项目提供高达78.6亿美元的直接资助。这笔资金将用于支持英特尔此前宣布的在亚利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州和俄勒冈州推进关键半导体制造和先进封装项目的计划。英特尔还计划申请美国财政部的投资税收抵免，预计最高可获得超过1000亿美元合格投资额的25%。
格芯获15亿美元补贴，扩建车用半导体产能
11月20日，美国商务部披露将向格芯（GlobalFoundries）提供高达15亿美元的补贴。格芯计划在纽约州马耳他建设一座新的大型12英寸晶圆厂，并扩建现有制造工厂以提升车用半导体产能。此外，格芯在佛蒙特州伯灵顿的现有晶圆厂也将获得1.25亿美元的补贴。格芯计划在该厂实现8英寸硅基氮化镓制造技术的商业化，并建设美国首家同类大规模量产设施，以支持电动汽车、电网、5G和6G智能手机等关键领域的技术发展。
台积电获66亿美元补贴，加速投入芯片生产中
11月15日，美国商务部表示，已最终敲定向台积电在亚利桑那州的美国子公司提供66亿美元政府补助，用于芯片生产。台积电还计划在亚利桑那州设立第三座晶圆厂，其在亚利桑那州菲尼克斯的总资本支出超过650亿美元。
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